Блок питания для доменной памяти

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах. Целью изобретения является повышение надежности работы доменной памяти. Блок питания содержит стабилизированные источники питания постоянного тока 1 и 2, источник 3 эталонного напряжения, подключенные входами через выключатель 4 к сети 5 первичного питания, коммутатор 6, выход 10 питания логических элементов доменной памяти, выход 11 питания формирователя токов продвижения доменной памяти, делитель напряжения 12, элементы сравнения 16 и 17, логические элементы ИЛИ 18 и И 19, несимметричные элементы задержки 20, 21 и 22, элемент задержки 25, выход 29 сигнала разрешения обращения к доменной памяти. Надежность работы доменной памяти повышается за счет отключения питания доменной памяти и блокировки сигнала разрешения обращения к доменной памяти. 1 ил. сл с

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sils G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ЬЭ 4 (лЭ (21) 4806003/24 (22) 26.03.90 (46) 15,04.92. Бюл. N. 14 (71) Всесоюзный научно-исследовательский институт "Альтаир" (72) Е.В. Горохов, В,А. Драчук и Ю.И. КоноBBJlQB (53) 681.327,66 (088.8) (56) Заявка Японии N 63-49448, кл. G 11 С 11/14, 1988.

Авторское свидетельство СССР

М 175367, кл. G 11 С 11/14, 1985, (прототип). (54) БЛОК ПИТАНИЯ ДЛЯ ДОМЕННОЙ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах. Целью изобретения является повышение надежности

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах.

Целью изобретения является повышение надежности работы доменной памяти путем ее блокировки на время нарушенйя работы источников памяти.

На чертеже дана схема предварительного блока питания для доменной памяти.

Блок питания для доменной памяти содержит стабилизированные источники питания постоянного тока 1 и 2, источник 3 эталонного напряжения, подключенные входами через выключатель 4 к сети 5 первичного питания, коммутатор 6, выполненный, например, на электромагнитном реле с двумя контактными группами 7 и 8 и обмот„„5JJ „„1727173 А1 работы доменной памяти . Блок питания содержит стабилизированные источники питания постоянного тока 1 и 2, источник 3 эталонного напряжения, подключенные входами через выключатель 4 к сети 5 первичного питания, коммутатор 6, выход 10 питания логических элементов доменной памяти, выход 11 питания формирователя токов продвижения доменной памяти, делитель напряжения 12, элементы сравнения

16 и 17, логические элементы ИЛИ 18 и И 19, несимметричные элементы задержки 20, 21 и 22, элемент задержки 25, выход 29 сигнала разрешения обращения к доменной памяти.

Надежность работы доменной памяти повышается за счет отключения питания доменной памяти и блокировки сигнала разрешения обращения к доменной памяти.

1 ил. кой 9, подключенный входными контактами к выходам источников 1 и 2 питания, а выходными — к выходной шине 10 напряжения питания логических элементов доменной памяти и выходной шине 11 напряжения питания схемы формирования токов продвижения доменной памяти. схему анализа из последовательно включенных делителя

12 напряжения, выполненного, например, из резисторов 13, 14 и 15 и подключенного входом к выходу источника 2 питания, двух элементов сравнения 16 и 17, элемента ИЛ И

18 и элемента И 19, три несимметричных элемента задержки 20, 21 и 22. выполненных, например, на диодах 23 и конденсаторах 24, первый из которых включен между выходом источника 3 эталонного напряжения и вторым входом элементов сравнения

1727173

17 и 16, второй включен между управляющим входом коммутатора 6 и выходом элемента ИЛИ 18, а третий включен между выходом источника питания 1 и входами питания элементов 16, 17, 18 и 19, элемент

25 задержки, выполненный, например, на резисторах 26, 27 конденсатор 28, включенный между выходной шиной напряжения питания 11 и вторым входом элемента И 19, формирующего на выходной шине 29 сигнал разрешения обращения к доменной памяти. Кроме того, сопротивления резисторов 13, 14 и 15 делителя 12 напряжения подобраны так, что при снижении напряжения Ez источника 2 питания до уровня Е2н напряжения нижней границы рабочей зоны напряжения питания схемы формирования токов продвижения доменной памяти напряжение на первом (более высоковольтном) выходе делителя 12 становится равным эталонному напряжению Ез источника 3, а при повышении напряжения

Е источника 2 до уровня Е2В напряжения верхней границы рабочей эоны напряжения питания схемы формирования токов продвижения напряжение на втором выходе делителя 12 достигает эталонного напряжения Ез.

Блок питания для доменной памяти работает следующим образом.

При включении блока питания выключателем 4 на входы источников 1, 2, и источника 3 эталонного напряжения поступает напряжение первичной сети 5 питания. В каждом из этих источников переменное напряжение сети трансформируется (допускается общий трансформатор для всех источников), выпрямляется, сглаживается конденсаторным фильтром и стабилизируется электронным стабилизатором. Источник 1 питания является низковольтным (5 В) и осуществляет питание логической схемы управления доменной памяти и логических схем блока питания, источник 2 питания является более высоковольтным (до 20...27 В) и мощным и осуществляет питание формирователей токов продвижения в катушках микросборок доменной памяти. Выходные напряжения источников 1 и 2 питания доменной памяти поступают на выходные шины 10 и 11 блока питания через контактные группы 7 и 8 коммутатора 6, изображенного для наглядности на чертеже в виде электромагнитного реле с обмоткой 9, Выходное напряжение Е источника 2 питания подается на вход делителя 12 напряжения, с первого и второго выходов которого напряжение поступает на первые входы элементов сравнения 16 и 17. На вторые входы элементов 16 и 17 через вкл ючен5

55 ный в прямом направлении диод 23 несимметричного элемента 20 задержки подается эталонное напряжение Ез с источника 3 эталонного напряжения. На выходе каждого из элементов сравнения 16 и 17 появляется нормированный сигнал "единичного" уровня, когда напряжение на его первом входе выше напряжения на втором входе, При номинальном значении напряжения Ez источника 2 питания напряжение на первом выходе делителя 12 выше, а на втором выходе ниже эталонного напряжения. При этом на выходе элемента 16 сравнения устанавливается сигнал единичного уровня, а на выходе элемента 17 — сигнал нулевого уровня, Эта комбинация выходных сигналов элементов сравнения является единственной комбинацией для входных сигналов логического элемента ИЛИ 18, при которой на его выходе устанавливается логический сигнал единичного уровня. Этот сигнал поступает на второй вход элемента И 19 и через диод

23 несимметричного элемента 21 задержки на управляющий вход коммутатора 6, в данном случае на обмотку 9, поддерживая в замкнутом состоянии контактные группы 7 и 8 коммутатора, При этом выходное напряжение Е источника 1 питания через контактную группу 7 поступает на выходную шину

10 напряжения питания логических элементов доменной памяти, а выходное напряжение Ег источника 2 питания через контактную группу 8 поступает на выходную шину 11 напряжения питания схемы формирования токов продвижения доменной памяти, Одновременно напряжение с шины 11 через элемент 25 задержки поступает на первый вход элемента И 9, на выходе которого, а следовательно, и на выходной шине

29, формируется сигнал разрешения обращения к доменной памяти. Рассмотренное выше состояние блока памяти является его рабочим режимом.

В случае, если по каким-либо причинам выходное напряжение источника питания 2 увеличивается относительно номинального значения, то увеличивается напряжение и на первом входе элемента сравнения 17 и при достижении напряжением Е уровня

Егв напряжения верхней границы рабочей зоны напряжения схемы формирования токов продвижения доменной памяти напряжение на первом входе элемента сравнения

17 становится выше эталонного напряжения Ез на его втором входе, и на выходе элемента 17 появляется сигнал единичного уровня, по которому уровень выходного сигнала элемента ИЛ И 18 изменяется с единичного на нулевой, Нулевой сигнал с выхода элемента ИЛИ 18 по второму входу элемен1727173

25

40 секунд), а выходное напряжение Е> источ- 50

55 та И 19 запрещает формирование на шине

29 сигнала разрешения обращения к доменной памяти и одновременно переводит диод 23 несимметричного элемента 21 в непроводящее состояние. После отключения диода 23 накопленная в конденсаторе 24 элемента задержки 21 энергия удерживает коммутатор 6 в рабочем состоянии, задерживая отключение питающих доменную память напряжений на шинах 10 и 11 на время, необходимое для окончания незавершенных циклов работы доменной памяти с целью недопущения разрушения информации в моменты коммутации, Аналогично, при снижении напряжения

Е2 источника питания 2 до уровня Е2Н напряжения нижней границы напряжения питания схемы формирования напряжение на первом входе элемента сравнения 16 становится ниже эталонного напряжения Ез на его втором входе и на выходе элемента 16 сравнения устанавливается сигнал нулевого уровня, по которому уровень выходного сигнала элемента ИЛИ 18 изменяется с единичного уровня на нулевой. Далее производится снятие с шины 29 сигнала разрешения обращения к доменной памяти и задержанное отключение питающих доменную память напряжений с выходных шин 10 и 11 подобно рассмотренному выше случаю повышения напряжения Е .

В режиме включения блока питания существенным является то, что напряжение на выходах источника 3 эталонного напряжения и стабилизированного источника 1 питания как маломощных и имеющих конденсаторы сглаживающих фильтров небольшой емкости устанавливаются раньше, чем напряжения на выходе источника 2 питания доменной памяти, как более мощного и с конденсаторами фильтров большой емкости. Эталонное напряжение Ез источника

3 через включенный в прямом направлении диод 23 несимметричного элемента 20 задержки поступает на вторые входы элементов 16 и 17 сравнения практически без задержки (постоянная времени цепи диод

23 — конденсатор 24 составляет доли милиника 1 через диод 23 несимметричного элемента 22 задержки поступает на питающие выводы элементов 16, 17, 18 и 19 схемы также без заметной задержки. Поэтому на интервале времени между моментом установки эталонного и питающего напряжений на элементах 16, 17, 18 и 19 блока и моментом, когда выходное напряжение Ег источника 2 достигает уровня Е н напряжения нижней границы рабочей зоны напряжения на первых входах элементов сравнения 16 и

17 ниже эталонного напряжения на их вторых входах, выходные сигналы элементов 16 и 17 имеют нулевой уровень, что поддерживает на нулевом уровне выходной сигнал элемента ИЛИ 18. Этот сигнал запрещает формирование сигнала (29) разрешения обращения к доменной памяти и составляет в разомкнутом состоянии контактные группы

7 и 8 коммутатора 6, запрещая тем самым выдачу неустановившихся напряжений источников 1 и 2 питания на выходные шины

i0 и 11 питающих доменную память напряжений.

При повышении напряжения Е2 источника 2 питания до уровня Егн нижней границы рабочей зоны напряжение на первом входе элемента сравнения 16 становится выше эталонного напряжения на его втором входе, выходной сигнал элемента 16 принимает единичный уровень, а выходное напряжение элемента ИЛИ 18 переходит от нулевого уровня в единичный. Этот сигнал поступает на второй вход элемента И 19 и через диод 23 несимметричного элемента

21 задержки воздействует на обмотку 9 коммутатора 6 и переводит контактные группы

7 и 8 в замкнутое состояние, подключая выходные шины 10 и 11 напряжения питания доменной памяти к выходам источников питания 1 и 2. Установившееся на шине 11 напряжение поступает на вход элемента Задержки 25, на выходе которого возникает нормированный резисторами 26 и 27 по величине и задержанный конденсатором 28 сигнал единичного уровня. завершающий формирование на выходной шине 29 сигнала разрешения обращения к доменной памяти, Задержка этого сигнала относительно питающего напряжения на шине 11 необходима для завершения переходного режима в устройстве доменной памяти после подачи на него питающих напряжений (зарядки конденсаторов развязывающих и разделительных фильтров, установление режимов задающих генераторов и т,д.).

В режиме выключения блока питания выключателем 4 сети 5 напряжение снимается со входов источника питания 1, 2 и 3, после чего конденсаторы сглаживающих фильтров этих источников начинают разряжаться, а их выходные напряжения Е, Ег, Ез медленно снижаются, Напряжения на диодах 23 несимметричных элементов задержки 20 и 22 становятся обратными, и запасенная в конденсаторах 24 этих элементов энергия поддерживает элементы 16, 17. 18 и 19 в рабочем состоянии на время завершения режима выключения блока если, конечно, функции конденсаторов 24 не выполняют конденсаторы сглаживающих

1727173 фильтров источников 1 и 3. При снижении напряжения Ez источника 2 питания до уровня Егн нижней границы выходной сигнал элемента сравнения 16 изменяется с единичного уровня на нулевой и на выходе элемента ИЛИ 18 устанавливается сигнал нулевого уровня, Далее производится снятие с шины 29 сигнала разрешения обращения к доменной памяти и задержанное отключение питающих доменную память напряжений с выходных шин 10 и 11 подобно рассмотренному выше случаю снижения напряжения Е2 при нарушении работы источника питания 2, Составитель В. Фельдман

Техред М.Моргентал Корректор О. Кравцова

Редактор Г. Аникеев

Заказ 1281 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Формула изобретения

Блок питания для доменной памяти, содержащий первый и второй стабилизированные источники питания постоянного тока, источник эталонного напряжения, первый элемент сравнения, элемент задержки и элемент И, причем входы первого и второго стабилизированных источников питания постоянного тока соединены со входом источника эталонного напряжения и являются входом первичного сетевого питания блока питания, выход элемента задержки подключен к первому входу элемента И, выход которого является выходом сигнала разрешения обращения к памяти, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения надежности, в блок питания введены коммутатор, делитель напряжения, второй элемент сравнения, элемент ИЛИ, первый, второй и третий несимметричные элементы задержки, причем выход первого стабилизированного источника питания постоянного тока соединен с первым входом

5 коммутатора, первый выход которого является первым выходом блока питания, выход второго стабилизированного источника питания постоянного тока соединен с входом делителя напряжения и вторым входом ком10 мутатора, второй выход которого является вторым выходом блока питания, второй выход коммутатора соединен с входом элемента задержки, первый выход делителя напряжения подключен к первому входу

15 первого элемента сравнения, второй выход делителя напряжения подключен к первому входу второго элемента сравнения, вторые входы первого и второго элементов сравнения объединены и соединены с выходом

20 первого несимметричного элемента задержки, вход которого подключен к выходу источника эталонного напряжения, выходы первого и второго элементов сравнения соединены с входами элемента ИЛИ, выход

25 которого подключен к второму входу элемента И и входу второго несимметричного элемента задержки, выход которого подключен к управляющему входу коммутатора, выход первого стабилизированного

30 источника питания подключен к входу третьего несимметричного элемента задержки, выход которого соединен с входами питания элементов сравнения, элементов И и ИЛИ блока питания, 35

Блок питания для доменной памяти Блок питания для доменной памяти Блок питания для доменной памяти Блок питания для доменной памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах для формирования управляющих токов поля продвижения доменов , а также для запитки вращающихся трансформаторов, различных индуктивных и емкостных датчиков положения

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в накопителях на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной Технике и может быть использовано в запоминающих устройствах (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к исследованию магнитных • характеристик феррит-rpaHaiTO- вых пленок и может быть использовано при массовом автоматизированном контроле феррит ''ранатовых пленок при производстве устройств памяти на ЦМД

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств сверхбольшой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ) Целью изобретения является повышение точности определения динамических характеристик ВБЛ

Изобретение относится к вычислительной технике, а точнее к регистрам, и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств большой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах для формирования управляющих токов в катушках с целью создания вращающегося магнитного поля

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх