Накопитель информации на вертикальных блоховских линиях

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств большой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ). Целью изобретения является упрощение накопителя. Накопитель информации содержит монокристаллическую подложку , на одну сторону которой нанесена магнитоодноосная планка с элементами стабилизации полосовых доменов в виде вытравленных на всю глубину пленки канавок , ширина и расстояние между которыми равны полупериоду полосовой доменной структуры в пленке. На поверхности пленки расположены элементы создания потенциального рельефа для стабилизации ВБЛ в виде параллельных друг другу и перпендикулярных канавкам тонкопленочных полос На другой стороне подложки расположен источник вращающегося магнитного поля в виде однофазного слоя проводника с большим коэффициентом отражения света и двумя парами взаимно ортогональных контактов, подключенных к источникам переменного тока со сдвигом фаз я/2. 1 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sl)s G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫ И КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4663413/24 (22) 12.01.89 (46) 15.10.91. Бюл. hL 38 (71) Донецкий физико-технический институт

АН УССР (72) А. М. Гришин и А. Ю. Мартынович (53) 681.327.66(088.8) (56) Элементы и устройства на ЦМД. Справочник,М.: Радио и связь, 1987, с. 488, Авторское свидетельство СССР

М 1602237, кл. G 11 С 11/14, 1987. (54) НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ НА

ВЕРТИКАЛЬНЫХ БЛОХОВСКИХ ЛИНИЯХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств большой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ). Целью изобретения является упрощение накопителя. Накопитель инфорИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств большой емкости на вертикальных блоховских линиях (В БЛ).

Цель изобретения является упрощение накопителя.

На чертеже изображена конструкция накопителя.

Накопитель информации на ВБЛ содержит монокристаллическую подложку 1, на одну сторону которой нанесена магнитоодноосная пленка 2 с элементами стабилизации полосовых доменов в виде вытравленных на всю глубину пленки канавок 3, ширина и расстояние между которы1684810 А1 мации содержит монокристаллическую подложку, на одну сторону которой нанесена магнитоодноосная планка с элементами стабилизации полосовых доменов в виде вытравленных на всю глубину пленки канавок, ширина и расстояние между которыми равны полупериоду полосовой доменной структуры в пленке. На поверхности пленки расположены элементы создания потенциального рельефа для стабилизации ВБЛ в виде параллельных друг другу и перпендикулярных канавкам тонкопленочных полос.

На другой стороне подложки расположен источник вращающегося магнитного поля в виде однофаэного слоя проводника с большим коэффициентом отражения света и двумя парами взаимно ортогональных контактов, подключенных к источникам переменного тока со сдвигом фаз .гг /2. 1 ил. !

1 ми равны полупериоду полосовой доменной структуры в пленке. На поверхности пленки

2 расположены элементы создания потенциального рельефа для стабилизации ВБЛ в виде параллельных друг другу и перпендикулярных канавкам тонкопленочных полос

4. На другой стороне подложки 1 расположен источник вращающегося магнитного поля в виде однородного слоя проводника 5 с большим коэффициентом отражения света и двумя парами взаимно ортогональных контактов, подключенные к источникам 6 и

6 переменного тока со сдвигом фаз л /2 (KoHTBKTbl для простоты Hp. показаны).

Накопитель работает следующим образом.

1684810

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Н, Каменская Техред М.Моргентал Корректор Т,Палий

Заказ 3509 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Г!атент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Через проводящий слой пропускается ток от источников переменного тока 6 и 6, сдвинутых по фазе на л /2. Суммарный ток, протекающий в слое 5, имеет постоянную амплитуду и вращается с частотой в, равной частоте переменного тока. Создаваемое током магнитное поле Н параллельно плоскости проводящего слоя и перпендикулярно направлению тока, т.е. вращается с той же частотой а. Величины Н и I связаны следующим соотношением;

Н=2л!, где (Н =Э, (!)=мА/мкм — линейная плотность тока в металлическом слое.

Вращающееся магнитное поле Н продвигает ВБЛ вдоль границы полосового домена. Ограничением на линейную плотность тока I является условие, чтобы создаваемое им магнитное поле Н должно быть больше поля коэрцитивности Hc: !

> °

Нс

Тонкопленочные полосы 4 обеспечивают стабилизацию положения ВБЛ во время их движения, Пример . На монокристаллическую подложку из гадолиний-галлиевого граната размером 5х5х0,5 мм нанесена пленка толщиной 5 мкм. Период полосовой доменной структуры в пленке А=6 мкм. 8 пленке на всю ее глубину вытравлены канавки шириной 3 мкм. Расстояние между канавками 3 мкм, На поверхность пленки нанесены полосы, перпендикулярные канавкам. На другую свободную поверхность подложки нанесен однородный по толщине проводящий слой. Он содержит слои Cr— - Со — Cr. Первый слой Сг (толщина 0,02 мкм) обладает большим коэффициентом отражения. Второй проводящий слой Си имеет толщину 0,5

40 мам. Третий наружный слой CI (толщина

0,02 мкм) предназначен для улучшения контакта между слоем проводника и токопроводами, Источники переменного тока подключены к двум парам ортогональных контактов на четырех сторонах проводящего слоя и создают вращающийся ток с линейной плотностью l=2 мА/мкм.

Вращающийся ток создает вращающееся магнитное поле амплитуды Н=1Э, Нс=0,1Э.

Рабочий участок пленки, в котором магнитное поле планарно и однородно, имеет размеры 4х4 мм и отстоит от краев пленки на

0,5 мм со всех сторон.

Формула изобретения

Накопитель информации на вертикальных блоховских линиях, содержащий монокристаллическую подложку, на одну сторону которой нанесена магнитоодноосная пленка с элементами стабилизации полосовых доменов в виде канавок, вытравленных на всю высоту магнитоодноосной пленки, причем ширина канавок и расстояние между ними равны полупериоду полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке, элементы создания потенциального рельефа для стабилизации вертикальных блоховских линий в виде параллельных друг другу и перпендикулярных канавкам тонкопленочных полос, нанесенных на поверхность магнитоодноосной пленки, источник вращающегося магнитного поля и источник переменного тока со сдвигом фаз к/2, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью упрощения накопителя, источник вращающегося магнитного поля выполнен в виде однородного слоя проводника с двумя парами взаимно ортогональных контактов, нанесенного на другую сторону подложки, и подключенного к источникам переменного тока.