Криоэлектронный регистр сдвига

 

Изобретение относится к вычислительной технике, а точнее к регистрам, и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях. Целью изобретения является повышение надежности регистра . Цель достигается тем, что донная часть углубления 3 в сверхпроводящем слое 2 выполнена с уклоном в направлении от первой боковой стенки углубления 3 до второй . При выключении тока продвижения все магнитные вихри 6 остаются на своих позициях 4 у второй боковой стенки углубления 3. При аварийном отключении тока во время следования очередного импульса продвижения все вихри 6 возвращаются на свои прежние позиции 4, если выключение произошло в первой половине импульса, или переходят на следующие, если выключение произошло во второй половине импульса. Таким образом, потери информации не происходит . 3 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)э 6 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4759282/24 (22) 02.10.89 (46) 07.11.91. Бюл. М 41 (71) Донецкий физико-технический институт

АН УССР (72) А.М.Гришин и В.В.Пермяков (53) 681.327.6(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1351472, кл. G 11 С 11/14, 1986.

lEEE Trans; Ч. Mag -15, М 1, с.558. (54) КРИОЭЛ ЕКТРОН НЫ Й P ЕГИСТР

СДВИГА (57) Изобретение относится к вычислительной технике, а точнее к регистрам, и может быть использовано при разрабопи эаповмнающих устройств на магнитных вихрях. Целью иэобре„„SU „„1689989 А1 тения является повышение надежности регистра. Цель достигается тем, что донная часть углубления 3 в сверхпроводящем слое

2 выполнена с уклоном в направлении от первой боковой стенки углубления 3 до второй. При выключении тока продвижения все магнитные вихри 6 остаются на своих позициях 4 у второй боковой стенки углубления

3. При аварийном отключении тока во время следования очередного импульса продвижения все вихри 6 возвращаются на свои прежние позиции 4, если выключение про.изошло в первой половине импульса, или переходят на следующие, если выключение произошло во второй половине импульса.

Таким образом, потери информации не происходит. 3 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, а точнее к регистрам, и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях, Цель изобретения — повышение надежности регистра.

На фиг1, приведена часть криоэлектронного регистра сдвига МВ, вид в плане, на фиг.2 — разрез А-А на фиг.1, на фиг.З— график изменения во времени тока продвиЖЕНИЯ.

Криоэлектронный регистр сдвига содержит диэлектрическую подложку 1, сверхпроводящий слой 2 с углублением 3, причем расстояние от поверхности подложки 1 до донной части углубления 3 g BTopoA боковой стенки (позиция) 4, выполненной в виде треугол ьн ых зубьев, составляет 60 — 90 $ рас-

СТОЯНИЯ ОТ ПОВ8РХНОСТИ ДИЗЛ8КТРИЧЕСКОЙ

oop1o)KKw 1 ро донной части углубления 3 Y первой боковой стенки (позиция) 5, выполненной в виде треугольных зубьев.

В месте минимальной толщины слоя 2 позиции 4 мОГут быть занЯты маГнитными вихрями 6 или представлять собой вакансии. Позиции 5 соответствуют неустойчивым состояниям вихрей 6, из которых они стремятся скатиться в места понижения слоя 2, Токоподводы подключены к слою 2 в начале и в конце углубления, Генераторы вихрей 6 на входе в канал и детекторы вихрей 6 на выходе из канала условно не показаны, Регистр работает следующим образом, В начальный момент слой 2 находится в сверхпроводящем состоянии без вихрей 6, Вводят Очередной вихрь 6 в начало углубления 3, Где Он занима8т ближайшую пОзицию

4, Подают импульс тока в.слой 2, за счет которо;о возникает сила Лоренца, смещающая вихрь 6 поперек углубления 3 и вверх по уклону. Длительность импульс= выбирается такой, чтобы вихрь 6 достиг первой боковой с-енки и, взаимодействуя с уклоном зуба этой стенки продвинулся вперед а пол шаГа (сплошная линия) ПродвиГаЯсь в утолщенную часть слоя 2, вихрь 6 удлиняется и увеличивает свою внутреннюю энер5

35 гию, После выключения тока, вихрь скатывается по уклону дна углубления 3, уменьшая собственную энергию, взаимодействует с уклоном зуба второй боковой стенки и продвигается вперед на вторые полшага, занимая следующую позицию 4 (пунктирная линия).

При подаче заданного числа импульсов вихрь 6 сдвинется на такое же количество бит-позиций. Если перед очередным импульсом тока не вводить вихрь 6 в начало углубления, то образуется вакансия, Чередование занятых бит-позиций и вакансий, сохранятся при продвижении, что позволяет использовать их для записи информации, приник, например, занятую позицию за "1", а вакансию — за "0".

При выключении тока продвижения в промежутке между. импульсами все вихри 6 остаются на своих позициях 4 неопределенно долгое время. При аварийном отключении тока во время следования очередного импульса все вихри 6 возвращаются на свои прежние позиции 4, если выключение произошло в первой половине импульса, или переходят на следующие, если выключение произошло во второй половине импульса.

Формула изобретения

Криоэлектронный регистр сдвига, содержащий диэлектрическую подложку, сверхпроводящий слой, расположенный на поверхности диэлектрической подложки, в котором выполнено углубление, на боковых стенках которого выполнены зубья, причем зубья на первой боковой стенке углубления сдвинуты относительно зубьев на второй боковой стенке углубления на половину длины зуба, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности регистра, данная часть углубления выполнена с уклоном в направлении от первой боковой стенки углубления до второй, при этом расстояние от поверхности диэлектрической подложки до донной части угл уоления у второй(боковой) стенки углубления составляет 60-90 (расстояния от поверхности диэлектрической подложки ро донной части углублвйия g fl6pвой стенки углубления.

9 02. 5

Составитель С.Королев

Редактор С.Патрушева Техред М.Моргентал Корректор Т.Йалий

Заказ 3816 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательские комбинат "Пауент", г. Ужгород. Ул.Гагарина, 101

Криоэлектронный регистр сдвига Криоэлектронный регистр сдвига Криоэлектронный регистр сдвига 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств большой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах для формирования управляющих токов в катушках с целью создания вращающегося магнитного поля

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для определения параметров считанного сигнала в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на плоских магнитных доменах

Изобретение относится к оптоэлектроникё и вычислительной технике и может быть использовано в волоконно-оптических линиях связи и интегрально-оптических устройствах для управления и концентрации светового излучения

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), микросборки которых содержат дефектные регистры

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для считывания цилиндрических магнитных доменов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на основе доменосодержащих пленок феррит-гранатов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх