Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

 

Изобретение относится к вычислительной Технике и может быть использовано в запоминающих устройствах (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является уменьшение габари-тов накопителя и упрощение устройства. Накопитель для ЗУ на ЦМД содержит экран 1 из магнитомягкого материала, внутри которого размещены источники постоянного магнитного поля (ПМП) 2,элементы коррекции ПМП 3. выполненные в виде полюсных наконечников из магнитомягкого материала, источники переменного магнитного поля 4. доменосодержащий элемент 5. расположенный между источниками переменного магнитного поля 4 в ПМП. создаваемом элементами коррекции 3 постоянного магнитного поля, и элемент температурной коррекции ПМП 6 из магнитомягкого материала, с температурой Кюри ниже температуры Кюри доменосодержащего элемента. Новым в накопителе является выполнение элемента температурной коррекции ПМП 6 в виде порошкообразного наполнителя, равномерно распределенного по объему герметизирующего композиционного материала, заполняющего полость внутри экра-|Ь. (>&00О>&

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

liPVI ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4844505/24 (22) 26.06.90 (46) 23.02.92. Бюл. ¹ 7 (71) Научно-исследовательский технологический институт функциональной микроэлектроники (72) И.В.Дударенко, П.Н.Богатов, 3.С.Сен- кевич и Н,А.Стариш (53) 681.327.66(088.8) (56)1. Патент США N- 4027298, кл. G11 С 19/08,,опублик. 1977.

2. Авторское свидетельство СССР № 1424591, кл. G 11 С 11/14, 1987. (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является уменьшение габари„„S U ÄÄ 1714680 А1 тов накопителя и упрощение устройства, Накопитель для ЗУ на ЦМД содержит экран

1 из магнитомягкого материала, внутри которого размещены источники постоянного магнитного поля (ПМП) .2, элементы .коррекции ПМП 3, выполненные в виде полюсных наконечников из магнитомягкого материала, источники переменного магнитного поля

4, доменосодержащий элемент 5, расположенный между источниками переменного магнитного поля 4 в ПМП, создаваемом элементами коррекции 3 постоянного магнитного поля, и элемент температурной коррекции ПМП 6 из магнитомягкого материала с температурой Кюри ниже температуры Кюри доменосодержащего элемента.

Новым в накопителе является выполнение элемента температурной коррекции ПМП 6 в виде порошкообразного наполнителя, равномерно распределенного по объему герметизирующего композиционного материала, заполняющего полость внутри экра1714680

35

45 на 1 из магнитомягкого материала. В качестве наполнителя может быть использован порошок никель-цинкового феррита. Связующим для наполнителя может служить, например, применяемый для герметизации накопителя заливочный компаунд. После герметизации накопителя компаундом весь объем компаунда с введенным в него наполнителем представляет собой элемент температурной коррекции ПМП 6. В результате

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к накопителям для запоминающих устройств (ЗУ) íà. цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), и может быть использовано в ЗУ на ЦМД;

Известен источник магнитного поля смещения (МПС) для накопителя на ЦМД, содержащий корпус из ферромагнитного материала, внутри которого расположены друг против друга два плоских постояннмх магнита с полюсными наконечниками. В данном источнике корпус выполняет роль магнитопроводз и служит электромагнитным экраном. Форма магнитов в виде пло . ских пластин, их последовательное расположение в магнитной цепй и близкое размещение к междуполюсному пространству обеспечивает хорошую однородность магнитного поля (1).

Недостатком такого. источника является отсутствие возможности температурной коррекции температурного диайазона работы накопителя.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому. является накопитель для ЗУ на ЦМД, содержащий экран из магнитомягкого материала. внутри которого размещены источники постоянного магнитного поля (ПМП), элементы: коррекции

ПМП, выполненные в виде полюсных наконечнйков из магнитомягкого материала, источники переменного магнитного поля, доменосодержзщий элемент, расположенный между источниками переменного магнитного поля в ПМП, создаваемом элементзми коррекции постоянного магнитного поля, элементы температурной коррекции ПМП из магнитомягкого материала . c температурой Кюри ниже температуры

Кюри доменосодержащего элемента.: примыкающие к торцзм источников ПМП (2).

Недостатками данного накопителя являются увеличение габаритов по сравнению с накопителем без элементов коррекции и усложнение процесса сборки за счет необходимости введения дополнительных сбо/ применения предложенного элемента тем-. пературной коррекции ПМП упрощается технология сборки накопителя с элементом температурной коррекции, уменьшаются габариты накопителя. Кроме того, появляется возможность использования для изгото вле.н ия rioð0øê00áðàçHûõ наполнителей отходов производства маг-. нитных материалов, что удешевляет накопитель. 4 ил. рочных операций изготовления и крепления элементов температурной коррекции ПМП.

Целью изобретения является уменьшение габаритов накопителя и упрощение его

5 сборки.

Поставленная цель достигается тем; что в накопителе для ЗУ на ЦМД, содержащем . экран из магнитомягкого материала, внутри которого размещены источники IlMfl, эле10 мент коррекции ПМП, выполненные в виде полюсных наконечников из магнитомягкого материала. источники переменного магнитного поля, доменосодержащий элемент, расположенный между источниками пере15 менного магнитного поля в ПМП. создаваемом. элементами коррекции ПМП. элемент температурной коррекции постоянного магнитного поля из магнитомягкого. материала . с температурой Кюри ниже температуры

20 Кюри доменосодержащего элемента выполнен в виде порошкообразного наполнителя, равномерно распределенного hO объему герметизирующего композиционного материала, заполняющего полость внутри экрана

25 из магнитомягкого материала.

На фиг, 1 представлен накопитель, общий вид; на фиг.2 —.схема работы накопителя при температуре окружающей среды выше температуры Кюри материала корректирующего элемента; на фиг.3. — то же, при температуре окружающей среды ниже температуры Кюри; на фиг.4 — температурная зависимость области устойчивой работы доменосодержащего элемента и температурная зависимость. магнитных параметров источника магнитного поля смещения

Накопитель для ЗУ на ЦМД содержит экран 1, выполненный из мзгнитомягкого материала, источники ПМП, выполненные в

40 виде пластин 2, элементы 3 коррекции постоянного поля, выполненные в виде полюсных наконечников из мзгнитомягкога материала, источникй 4 переменного магнитного поля, выполненные в виде электромагнитной катушки, доменосодержащий элемент 5, расположенный между источниками 4 пере1714680

5 менного магнитного поля в ПМП, создаваемом элементами 3 коррекции, элемент 6 температурной коррекции ПМП, выполненный в виде порошкообразного наполнителя из магнитомягкого материала с температурой .Кюри ниже температуры Кюри доменосодержащего элемента 5, равномерно распределенного по объему герметизирующего композиционного .материала, запол10 няющего полость внутри экрана 1 из магнитомягкого материала, Накопитель для ЗУ на ЦМД работает следующим образом. .. Температурный диапазон работы доме-: которая заключена между верхней Н и нижней Нсмн границами поля смещения (фиг.4). Температурный диапазон работо20 способности накопителя находится в области сопряжения, определяемой границами пересечения OP доменосодержащего.элемента 5 по МПС,с графиком напряженностй магнитного поля источника ПМП Нс .

График напряженности МПС определяет материал пластин 2 источника МПС и, как правило, носит линейный характер в зоне сопряжения с OP. го материала с температурой Кюри Т» ниже температуры Кюри доменосодержащего, магнитомягкого материала, внутри которого элемента. При этом магнитная- индукцию В элемента 6 коррекции при температурах

t«p> t» равна нулю и линейного возрастает

BPl4 to»p < t».

Наполнитель представляет собой пороtooK магнитомягкого материала с темпераразмещены источники постоянного магнитного поля, элементы коррекции постоянного магнитного поля, выполненные в виде полюсных наконечников из магнитомягкого материала, источники переменного магнитного поля, магнитосвязанные с доменосодержащим кристаллом, расположенным между источниками переменного магнитного поля в постоянном магнитном поле, сос T» = 10 С. Связующим для наполнйтеля здаваемом элементами коррекции является полимерный композиционный материал, применяемый для герметизации напостоянного магнитного поля, элемент температурной коррекции постоянного магнитного поля из магнитомягкого материала, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения габаритов и упрощения накопителя, элементтемпературной коррекции постоянного магнитного поля выполнен в виде порошкообразного наполнителя, равномерно распределенного по объему герметизирующего композиционного материала, расположенного в полости внутри экрана из магнитомягкого материала, дом весь объем компаунда с введенным в него накопителем представляет собой srreмент 6 температурной коррекции ПМП.

При температурах окружающей .среды

to»p

После герметизации накопителя компаунков. ПМП на объем заливочного компаунда (фиг.З). При этом магнитный поток Фдэ черездоменосодержащий элемент 5 уменьшается на величину ЛФ.

В результате график напряженности

МПС в зоне.доменосодержащего элемента

5 выйдет за пределы области работоспособностй при более низкой температуре (фиг,4).

Таким образом, температурный диапазон работы накопителя для ЗУ на ЦМД расширяется в сторону отрицательных температур.

В результате применения элемента температурной коррекции ПМП в виде порошка из магнитомягкого материала с температурой Кюри ниже температуры Кюри доменосодержащего элемента, вводимого в заливочный материал, упрощается технология сборки накопителя с элементом температурной коррекции,. уменьшаются габариты накопителя по сравнению с накопителем, использующим элементы температурной коррекции в виде пластин. Кроме того, появляется возможность использования для изготовления порошкообразных напал н ителей отходов и роизводства магнитных материалов, что удешевляет накопитель.

Формула изобретения

Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащий экран из

1714680

1714680

Составитель И.Дударенко

Техреду М;Моргентал

Корректор Н.Король

Редактор С,Пекарь

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 698 Тираж . - Подписное

8НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва; Ж-35, Раушская неб., 4/5

Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к исследованию магнитных • характеристик феррит-rpaHaiTO- вых пленок и может быть использовано при массовом автоматизированном контроле феррит ''ранатовых пленок при производстве устройств памяти на ЦМД

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств сверхбольшой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ) Целью изобретения является повышение точности определения динамических характеристик ВБЛ

Изобретение относится к вычислительной технике, а точнее к регистрам, и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств большой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах для формирования управляющих токов в катушках с целью создания вращающегося магнитного поля

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для определения параметров считанного сигнала в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на плоских магнитных доменах

Изобретение относится к оптоэлектроникё и вычислительной технике и может быть использовано в волоконно-оптических линиях связи и интегрально-оптических устройствах для управления и концентрации светового излучения

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), микросборки которых содержат дефектные регистры

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для считывания цилиндрических магнитных доменов

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх