Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов

 

Изобретение относится к получению монокристаллов бромидов и может быть использовано для легирования кристаллов и их использования в фундаментальных исследованиях . Обеспечивает получение бромидов с избытком брома. Способ включает электролиз кристалла с использованием плоского электрода и острийного, соединенного с положительным потенциалом. Электролиз ведут при температуре на 30 - 50°С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА: после 12 ч обработки концентрация брома в кристалле составила 10 18 СМ -3

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st)s С 30 В 33/04,29/12

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4783232/26 . (22) 16.01.90 (46) 30.04.92. Бюл. № 16 (71) Центр научно-технического творчества молодежи "Антарес" (72) А. В. Шапурко (53) 621.315.92(088.8) (56) Nakai У.Ч - centers in potassium bromide

crystals. 3. Phys, Soc. Japan, 1958, V. 13, р.

1424 — 1431, Uchida Y. at al. inJection of positive holes

in alkali halide crystals // —,3, Phys. Soc.

Japan., 1953, V. 8, ¹ б, р. 795 — 796. (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к получению монокристаллов бромидов, содержащих избыток брома, и может быть использовано для легирования монокристаллов и их использования в фундаментальных исследованиях.

Известен способ обработки монокристаллов бромидов, включающий введение брома из газовой фазы в монокристалл бромида при термической обработке.

Этот способ требует использования атмосферы брома и, как правило, давлений, превышающих 10 атм.

Наиболее близким к предлагаемому является способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов путем их электролиза при пропускании тока 0,1 мА с использованием одного плоскогО электрода и второго— острийного,соединенного с положительным потен циалом.

Этот способ позволяет инжектировать в иодиды дырочные центры окраски, однако

„„Я „, 1730221 А1 (57) Изобретение относится к получению монокристаллов бромидов и может быть использовано для легирования кристаллов и их использования в фундаментальных исследованиях. Обеспечивает получение бромидов с избытком брома. Способ включает электролиз кристалла с использованием плоского электрода и острийного, соединенного с положительным потенциалом.

Электролиз ведут при температуре на 30—

50 С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА: после 12 ч обработки концентрация брома в кристалле составила 10 см з. этот способ не позволяет получать монокристаллы бромидов с избытком брома.

Цель изобретения — получение монокристаллов бромидов с избытком брома.

Поставленная цель достигается тем, что бром вводят в монокристалл бромида электролизом самого монокристалла, используя плоский и острийный электроды, при подаче положительного потенциала на острийный электрод при температуре на 30 — 50 С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА.

Как показали опыты, электролиз для введения брома целесообразно осуществлять при температуре на 30 — 50 С ниже температуры плавления. При более низких температурах может возникать неравномерность распределения брома в образцах.

Пример. Для получения монокристалла бромида цезия с избытком брома выращенный по методу Стокбаргера монокристалл бромида цезия диаметром 16 мм и длиной 15

1730221

25

35

45

Составитель А.Шапурко

Редактор Л,Веселовская Техред М,Моргентал Корректор Н.Король

Заказ 1492 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 мм помещали в ячейку, представляющую собой плоский и острийный электроды, помещенные в нагревательное устройство. После нагрева монокристалла до 580 С через него пропускали ток 10 мА в течение 10 с, подавая положительный потенциал на острийный электрод. При этом в образец инжектировалось желто-оранжевое облако брома, После прекращения пропускания тока образец охлаждали в гептане комнатной температуры.

Определение брома осуществляли по характерной полосе поглощения с максимумом 280 нм. Оценочное количество избыточного брома в образце составило 10 .см

Предлагаемый способ позволяет получить монокристаллы бромидов с избытком брома.

Формула изобретения

5 Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов путем их электролиза с использованием одного плоского электрода и другого — острийного, соединенного с положительным потенциалом, о т л и ч а ю щ и й10 с я тем, что, с целью получения бромидов с избытком брома, электролиз ведут при температуре на 30 — 50 С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА, 15

Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения монокристаллических постоянных магнитов на основе Fe-Co-Cr-Mo

Изобретение относится к области облагораживания бесцветных разновидностей пренита и позволяет получить из некондиционного сырья высококачественные ювелирные разности

Изобретение относится к области получения щелочно-галоидных кристаллов высокой степени чистоты, широко используемых в фундаментальных исследованиях в качестве термолюминесцентных дозиметров ядерных излучений, лазерных сред, сред для записи информации

Изобретение относится к облагораживанию бесцветных или слабоокрашенных кристаллов турмалина, которые могут быть использованы в ювелирной промышленности

Изобретение относится к физике твердого тела, геофизике и геохимии и может быть использовано для облагораживания кристаллов природного флюорита с последующим их использованием в гравильноювелирной и ювелирно-декоративной промышленности, а также в качестве фильтров в оптике

Изобретение относится к физике твердого тела, геофизике и геохимии и может быть использовано для окрашивания низкосортных кристаллов природного кальцита с последующим их использованием в травильной , художественно-декоративной и ювелирной промышленности, а также в качестве фильтров в оптике

Изобретение относится к термообрабс |Тке сцинтилляционных кристаллов , которые могут быть использованы лл гаммарегистрации и спектрометрии квантов

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов на основе арсенида индия

Изобретение относится к способам обработки активных элементов лазерной и нелинейной оптики и может быть использовано при изготовлении нелинейных элементов на основе монокристалла иодата лития -LilO3 например параметрических преобразователей длины волны лазерного излучения

Изобретение относится к получению ионных кристаллов, легированных гидридионами , и может быть использовано для получения фотохромных сред, лазерных сред, детекторов светового и ионизирующих излучений

Изобретение относится к способу полг учения монокристаллов хлористого свинца, PbCIa и может быть использовано в полупроводниковой технике, оптоэлектронике, а также для создания сверхпроводящих материалов на основе PbCla

Изобретение относится к способу получения монокристаллов йодида свинца РЫа и может быть использовано в полупроводниковой технике, оптоэлектронике,а также для создания сверхпроводящих материалов на основе йодида

Изобретение относится к получению ферромагнитных монокристаллических материалов с гексагональной структурой, применяемых в электронике

Изобретение относится к области получения щелочно-галоидных кристаллов высокой степени чистоты, широко используемых в фундаментальных исследованиях в качестве термолюминесцентных дозиметров ядерных излучений, лазерных сред, сред для записи информации

Изобретение относится к физике твердого тела, геофизике и геохимии и может быть использовано для облагораживания кристаллов природного флюорита с последующим их использованием в гравильноювелирной и ювелирно-декоративной промышленности, а также в качестве фильтров в оптике

Изобретение относится к химии и касается способа получения просветляющих фторидных покрытий, имеющих чрезвычайно высокую границу прозрачности, что позволяет их использовать в оптических приборах одновременно в УФ- и ИК-областях, обеспечивает улучшение качества покрытий и увеличение скорости процесса

Изобретение относится к способам спонтанного получения мелкокристаллического монойодида меди и может быть использовано в различных областях неорганической химии, например как исходное сырье для создания композиционных материалов, в состав которых входил бы Cul, в акустооптике, пьезотехнике, в лазерной и сверхпроводниковой технике

Изобретение относится к электронной технике и позволяет улучшить оптическое качество кристаллов, увеличить производительность и повысить выход годных элементов

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх