Устройство для напыления омических контактов полупроводниковых элементов

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано при получении омических контактов электронно-лучевым напылением в вакууме. Цель изобретения - повышение качества покрытия контактов. Устройство содержит посадочное гнездо 1 с рабочей поверхностью для размещения полупроводникового элемента, маску 2, выступающую относительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 - 500 мкм. и держатель, выполненный в виде радиальных перемычек. 1 ил., 1 табл.

СОКЗЗ rОВЕ1СКИХ

СОЦИАЛИС TM IECKVIX

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 (21/28

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

Г10 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4308070/21 (22) 22.09.87 (46) 30,01.91. Бюл. М 4 (71.) Саранское производственное объединение "Электровыпрямитель" (72) В.А.Шорохов и В.И.Илюшкин (53) 621.382 (088.8) (56) Технология тонких пленок. Справочник.

Том 1, M.; Советское радио, 1977, с.559-570.

Технологическая инструкция ДЖИЦ

252ЭТЖ 201200001 ПО "Электровыпрямитель", Саоанск, 1982. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ. Я2 1624564 А1 (57) Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано при получении омических контактов электронно-лучевым напылением е вакууме. Цель изобретения вЂ” повышение качества покрытия контактов. Устройство содержит посадочное гнездо 1 с рабочей поверхностью для размещения полупроводникового элемента, маску 2, выступающую относительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20- 500 мкм, и держатель, выполненный s виде радиальных перемычек. 1 ил., 1 табл.

1624564

20 Формула изобретения! упр, MA

Составитель Е,Панов

Редактор Л.Веселовская Техред М.Моргентал Корректор М.Пожо

Заказ 19б Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35. Раушская наб,. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано при получении омических контактов электронно-лучевым напылением в вакууме.

На чертеже представлено устройство для напыления.

Устройство содержит посадочное гнездо 1 с рабочей поверхностью для размещения полупроводникового элемента, маску 2, выступающую относительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 вЂ” 500 мкм, и держатель, выполненный в виде радиальных перемычек.

Устройство для напыления работает следующим образом.

В посадочное гнездо 1 на его рабочей поверхности размещается полупроводниковый элемент, маска 2 плотно прилегает к поверхности полупроводникового элемента эа счет упругих деформаций перемычек держателя 3. возникающих вследствие того, что маска выступает носительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 вЂ” 500 мкм.

Установлено, что при уменьшении величины выступа маски относительно рабочей поверхности посадочного гнезда менее 20 мкм маска отходит от поверхности полупроводникового элемента, Если маска выступает относительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину более 500 мкм, происходит пластическая деформация перемычек держателя.

Пример. Контактное покрытие наносили на прибор Т2 вЂ” 320 на установке электронно-лучевого напыления типа

ЭПП100-40/41. В качестве контактного по5 крытия использовали алюминий толщиной

20 мкм, После нанесения покрытий на полупроводниковых элементах производили замер токов управления, Полученные данные приведены в таблице.

10 Как видно из таблицы, полупроводниковые элементы, у которых покрытие наносилось на устройстве с = О, имеют повышенный брак по цепи управления (норма lynp = 30 вЂ” 300 мА). Полупроводниковые

15 элементы, у которых покрытие наносилось на предложенном устройстве с I - 20 вЂ” 500 мкм, имеют меньшие значения токов управления.

Устройство для напыления омических контактов полупроводниковых элементов. содержащее посадочное гнездо с ра25 бочей поверхностью для размещения полупроводникового элемента и маску, соединенные держателем, выполненным в виде радиальных перемычек, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью улучшения

30 качества покрытия контактов, маска выйолнена выступающей относительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 вЂ” 500 мкм.

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов // 1616429

Способ изготовления золотоалюминиевых термокомпрессионных соединений // 1604089

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ получения контактов к кремниевой подложке // 1602279

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к способам получения контактов к кремниевой подложке

Способ создания межсоединений интегральных схем // 1595277

Способ получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений // 1589927

Изобретение относится к микроэлектронике, к способу получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений

Устройство для создания туннельного контакта // 1585847

Изобретение относится к области создания контактов с малой площадью контакта, а также для образования малых диэлектрических зазоров между поверхностями двух проводящих электродов

Способ формирования полицидных структур // 1584653

Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором // 1579344

Способ создания межуровневой изоляции межсоединений больших интегральных схем // 1577617

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др