Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором
Авторы патента:
Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором, включающий помещение припоя между кремниевой структурой и термокомпенсатором, нагрев до расплавления припоя, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения напряжения пробоя за счет улучшение качества соединения, охлаждение осуществляют со скоростью 0,2...1,5oC/мин.
Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к способам получения контактов к кремниевой подложке
Изобретение относится к микроэлектронике, к способу получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений
Устройство для создания туннельного контакта // 1585847
Изобретение относится к области создания контактов с малой площадью контакта, а также для образования малых диэлектрических зазоров между поверхностями двух проводящих электродов
Способ формирования полицидных структур // 1584653
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия
Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)
Способ магнетронного распыления // 2114487
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений
Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797
Изобретение относится к микроэлектронике
Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов
Способ напыления рельефных подложек // 2229182
Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов
Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др