Запоминающее устройство

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st)s G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

0 g я

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 4

ЬЭ

1 4

Ф (21) 4866569/24 (22) 11,06.90 (46) 15.04.92. Бюл. М 14 (71) Институт проблем управления и Научнопроизводственный кооператив "Эпсилон" (72) С.Е. Юрченко, А.Ф. Подолынный и

И.П. Иерусалимов (53) 681.327.66 (088.8) (56) IEEE Transon Magnetics 1985, н, 22, М 5, р. 784, Авторское свидетельство СССР

М 1630544, кл. G 11 С 11/14, 1989.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ).

Известно запоминающее устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки, на поверхности которой расположены токовые шины стабилизации полосовых доменов (ПД), генератор цилиндрических магнитных доменов (ЦМД), а также группы токовых проводников узлов записи и считывания

ВБЛ.

Недостатком этого запоминающего устройства является его невысокая надежность, обусловленная стабилизацией ВБЛ посредством коэрцитивности магнитоодноосной пленки и магнитостатическим взаимодействием между ВБЛ.

Известно запоминающее устройство, которое содержит магнитоодноосную пленку с осью легкого намагничивания, перпен Ы 1727174 А1 (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на вертикальных блоховских линиях. Целью изобретения является повышение надежности запоминающего устройства. Поставленная цель достигается тем, что элементы стабилизации вертикальных блоховских линий выполнены в виде локальных участков магнитоодноосной пленки, имеющих форму полос шириной 0,1-0,5 и периодом 0,2 — 1,0 ширины полосового домена, намагниченность насыщения которых имеет значение, равное намагниченности насыщения элементов стабилизации полосовых доменов, 1 ил. дикулярной поверхности пленки, на поверхности которой расположены элементы стабилизации ПД, выполненные в виде локальных участков магнитоодноосной пленки в форме параллельных полос с намагниченностью насыщения, которая отличается от намагниченности насыщения окружающих участков магнитоодноосной пленки, причем намагниченность насыщения внутри участков уменьшена до 0,5...0,9

М>, где Ms — исходное значение намагниченности насыщения магнитоодноосной пленки, генератор ЦМД. магнитосвязанный с каналом продвижения ЦМД в виде меандрообразных проводников, узел записи ВБЛ и узел считывания в виде групп проводников, расположенных вблизи верхушек ПД.

Недостаток этого устройства заключается в том, что оно не обеспечивает высокой надежности, Это объясняется тем, что стабилизация ВБЛ за счет коэрцитивности и магнитостатического взаимодействия ВБЛ

1727174

35

45

50 магниченности насыщения внутри области 55 не обеспечивает надежной фиксации ВБЛ в заданных позициях, Целью изобретения является повышение надежности запоминающего устройства.

В предлагаемом устройстве на поверхности магнитоодноосной пленки перпендикулярно полосовым доменам расположены элементы стабилизации вертикальных блоховских линий, которые выполнены в виде локальных участков магнитоодноосной пленки, имеющих форму полос шириной

0,1...0,5 и периодом 0,2...1,0 ширины полосового домена, с намагниченностью насыщения, равной намагниченности насыщения элементов стабилизации полосовых доменов.

На чертеже показана конструкция запоминающего устройства.

Запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку 1 с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки. На поверхности пленки расположены элементы 2 стабилизации ПД в виде локальных участков магнитоодноосной пленки, имеющие форму полос с намагниченностью насыщения вне участков уменьшенной до 0,5...0,9 М,, где Ms — исходное значение намагниченности насыщения магнитоодноосной пленки. Перпендикулярно ПД 3 расположены элементы 4 стабилизации ВБЛ, которые имеют форму полос, с намагниченностью насыщения, имеющей значение, равное значению намагниченности насыщения элементов стабилизации ПД (т.е. 0,5...0,9 Ms), На поверхности пленки расположены генератор ЦМД 5, канал продвижения ЦМД в виде меандроо5разных проводников 6, узел записи ВБЛ и узел считывания в виде групп 7 и 8 проводников, расположенных вблизи верхушек полосовых доменов.

Устройство работает следующим образом.

Генератор 5 создает необходимую для записи информации кодовую последовательность ЦМД, которые по каналу продвижения 6 подаются к верхушкам ПД 3. ЦМД располагаются напротив верхушек ПД и с помощью группы 7, 8 проводников производится преобразование наличия ЦМД в наличие ВБЛ в верхушках ПД. Далее ВБЛ продвигаются по доменным границам ПД, которые стабилизируются элементами стабилизации 2. Для считывания информации используют преобразование наличия ВБЛ в наличие ЦМД, которое осуществляется узлом считывания. Надежная стабилизация

ВБЛ осуществляется за счет разницы на5

4 и вне ее. Эта разница в намагниченности является источником эффективного планарного поля, экстремумы распределения которого находятся внутри полосы 4 и между полосами 4. Такое распределение эффективного планарного поля образует периодическую потенциальную ловушку для ВБЛ, тем самым стабилизируя их положение в устройстве, Элементы 4 имеют форму полос шириной 0,1...0,5 и периодом 0,2...1,0 ширины полосового домена. Минимальная ширина и период полос определяются тем, что минимальное расстояние между ВБЛ, в свою очередь, определяется параметрами магнитоодноосной пленки и не может быть меньше 0,1...0,2 ширины полосового домена. Это объясняется магнитостатическим и обменным взаимодействием между ВБЛ, что определяет минимальное расстояние между ВЬЛ 0,1 — 0,2W, где W — размер ПД, При увеличении периода элементов стабилизации ВБЛ происходит уменьшение надежности стабилизации ВБЛ за счет уменьшения глубины потенциальной ловушки, в которой находится ВБЛ и при периоде элементов стабилизации, превышающем 1,0 ширины ПД могут возникать сбои в продвижении ВБЛ по доменной границе ПД вследствие недостаточной стабилизации ВБЛ. Помимо этого, увеличение периода элементов стабилизации приводит к уменьшению информационной плотности устройства.

Предложенное устройство может быть выполнено следующим образом.

В качестве исходного материала используется феррит-гранатовая пленка состава (BiTm)a(FeGa)gO

ЦМД, канал продвижения КМД, узел записи

В БЛ и узел считывания имеют конструкцию, стандартную для накопителей памяти на

ВБЛ и изготавливаются из материала типа

Cr-Cu-Cr. Ширина проводников составляет

3...18 мкм, толщина 0,2.„0,6.мкм. Элементы стабилизации ПД имеют прямоугольную форму. Ширина элементов стабилизации

ПД составляет 10 мкм, расстояние между ними 10 мкм. Элементы стабилизации имеют форму полос, Ширина и период элементов стабилизации составляет 1,5 мкм и 3,0 мкм соответственно, Как элементы стабилизации ПД, так и элементы стабилизации

ВБЛ изготавливаются посредством термического отжига при температуре 400 С пленки, поверхность которой предварительно покрывается, например, слоем кремния толщиной 0,2 мкм, Из этого материала

1727174 на поверхности пленки формируется маска, определяющая конфигурацию элементов стабилизации ПД и ВБЛ, После отжига маска стравливается, Использование в предложенном устройстве таких элементов стабилизации ВБЛ позволяет надежно зафиксировать положение ВБЛ в заданных позициях, снизить вероятность случайного перехода ВБЛ из одной информационной ячейки в другую, и, следовательно, повысить надежность устройства.

Формула изобретения

Запоминающее устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки, на поверхности которой расположены элементы стабилизации полосовых доменов, выполненные в виде локальных участков магнитоодноосной пленки в форме параллельных полос с намагниченностью насыщения, отличной от намагниченности насыщения окружающих участков магнитоодноосной пленки. причем намагниченность насыщения внутри участков уменьшена до 0 5...0,9 Ms, где

Ms — исходное значение намагниченности насыщения магнитоодноосной пленки, ге5 нератор цилиндрических магнитных доменов, магнитосвязанный с каналом продвижения цилиндрических магнитных доменов в виде меандрообразных провод10 ников, узел записи вертикальных блоховских линий и узел считывания в виде групп проводников, расположенных вблизи верхушек полосовых доменов, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения надежно15 сти запоминающего устройства, оно содержит на поверхности магнитоодноосной пленки перпендикулярно полосовым доменам элементы стабилизации вертикальных блоховских линий, выполненные в виде ло20 кальных участков магнитоодноосной пленки, имеющих форму полос шириной 0,1...0,5 и периодом 0,2...1,0 ширины полосового домена, с намагниченностью насыщения, рав25 ной намагниченности насыщения элементов стабилизации полосовых доменов,

Запоминающее устройство Запоминающее устройство Запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах для формирования управляющих токов поля продвижения доменов , а также для запитки вращающихся трансформаторов, различных индуктивных и емкостных датчиков положения

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в накопителях на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной Технике и может быть использовано в запоминающих устройствах (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к исследованию магнитных • характеристик феррит-rpaHaiTO- вых пленок и может быть использовано при массовом автоматизированном контроле феррит ''ранатовых пленок при производстве устройств памяти на ЦМД

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств сверхбольшой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ) Целью изобретения является повышение точности определения динамических характеристик ВБЛ

Изобретение относится к вычислительной технике, а точнее к регистрам, и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств большой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх