Способ формирования субмикронной электродной системы затворов
1. Способ формирования субмикронной электродной системы затворов СВЧ-полевых транзисторов, включающий создание маски, осаждение в вакууме на неподвижные полупроводниковые пластины, прикрепленные к подложкодержателю, многослойных пленок из тугоплавких и драгоценных металлов, образующих управляющую и токоведущую части электродной системы, и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения расхода драгоценных металлов, управляющую часть электродной системы в виде многослойной пленки из тугоплавких металлов выполняют общей толщиной 0,15-0,2 мкм и осаждают с расстояния, обеспечивающего максимальный угол расхождения осаждаемого молекулярного потока от строго параллельного не более 1o, а токоведущую часть электродной системы, включающую подслой из тугоплавкого металла и слой золото, осаждают с расстояния, обеспечивающего максимальный угол расхождения осаждаемого молекулярного потока не более 10o.
2. Способ формирования субмикронной электродной системы по п.1, отличающийся тем, что при одновременном осаждении пленок на несколько полупроводниковых пластин, на этапе формирования токоведущей части электродной системы, полупроводниковые пластины сдвигают к центру подложкодержателя настолько, чтобы направление осаждаемого молекулярного потока было параллельным направлению молекулярного потока, создаваемого на этапе формирования управляющей части электродной системы.
3. Способ формирования субмикронной электродной системы по пп.1 и 2, отличающийся тем, что управляющую часть электродной системы выполняют в виде двухслойной пленки из тугоплавких металлов Ti-V или Ti-Mo. 4. Способ формирования субмикронной электродной системы по пп.1-3, отличающийся тем, что токоведущую часть электродной системы выполняют в виде многослойной пленки V-Au или TI-TIN-Au или Ti-Pt-Au.
