Способ нанесения полиимидного покрытия на подложку

Авторы патента:

H01L21/22 - диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси

Способ нанесения полиимидного покрытия на подложку, включающий обработку подложки и формирование слоя полиимидной смолы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытия, обработку подложки осуществляют в плазме, содержащей ионы фтора, в течение 1-100 с, а перед формированием слоя полиимидной смолы подложку выдерживают в атмосфере, содержащей аммиак в течение 1-1000 с.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности к твердым планарным источникам фосфора (ТПДФ) на основе пирофосфата кремния, которые применяются для создания эмиттерных областей биполярных транзисторов, сток-истоковых областей МДП-транзисторов, подлегирования контактных окон, стабилизации окисленной поверхности кремния и других задачах диффузии в кремниевых пластинах диаметром 75 мм при температурах диффузии до 1050оС

Пленкообразующий раствор // 1753886

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для формирования диффузионных источников сурьмы на кремнии при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ формирования изолированных внутренних областей // 1715124

Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на кремнии, а именно к диффузионным способам изготовления тиристоров

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией // 1635817

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов // 1634050

Пленкообразующий раствор для легирования кремния мышьяком // 1616419

Способ изготовления кремниевых структур // 1602275

Способ диффузии алюминия и галлия в кремниевые пластины // 1593508

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния // 1593507

Способ изготовления твердых планарных источников для диффузии фосфора // 1591753

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления твердых планарных источников фосфора для диффузии

Способ легирования твердого тела // 2102816

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента // 2146842

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Способ изготовления p-n-перехода, легированного элементами или изотопами с аномально высоким сечением поглощения нейтронов // 2156009

Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства // 2209487

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих элементов микромеханических датчиков, например подвесов чувствительных маятниковых элементов интегральных акселерометров

Способ легирования кремния фосфором и выращивания оксида на кремнии в присутствии пара // 2262773

Способ получения электропроводящего полианилинового слоя // 2315066

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе

Кассета для групповой диффузионной обработки кремниевых пластин // 2357319

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время диффузионной термообработки при изготовлении полупроводниковых приборов

Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника // 2359355

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур

Способ диффузии бора // 2361316

Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области

Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок // 2371807

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора