Патент ссср 181744

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

«л. 21О, 11/02

49с, 19

Заявлено 18.111.1965 (№ 947867/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 21.IV.1966. bto.1лстень Л 10

Дата опубликования описан!ни 21Х1.1966 !Е I I

Комитет по делам изооретений и открытий при Совете Министров

СССР

621,96 т, Дк

63! ЛЬ2, (088.8) 1В1ОР изобретения

H. A. Бондюров

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРЕЗКИ ВЬIВОДОВ НО)КЕК

ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ1Х ТРИОДОВ кло! 11с1 с1! 11леl!О lt прон ск(lст нО>кк „ tt» нижtilt! отсскатель 5, ножка прижимается к нсподвн>кному вожу /1 пружиной 12, обрсзастс!1 II Iiott»/t»oT в ящик.

11рсдмет нзобрс!сии!!

Устройство для обрсзкн выводов ножек полупроводш1кo»t tz триодов, состоящее из внб10 робункера, отсекатслсй, ножниц, orëè÷àloröåсся тем. что, с целью предотвр»щения изгиба коротких выводов при обрезке ножек с тремя выводами, закрепленнь!х!н It» ножке в вершинах равнобедренного треугольника, обра15 зов»нного в1.!вод>1)!и ножки, один нз ножей ножниц имеет выемку, глубина котор011 меньше высоты треугольника и толщина равна требуемой длине обрезанного вывода, а второй нож имеет три режущие кромки, распо20 ло>кенные на разных уровнях так, что меньш»я разница между уровнем средней кромки и уровнем одной из крайних больше высоты упомянутого треугольника.

11звссп!ы устройстti» для обрезки выводов с д1*сковымп и прямыми ножамн, имеющими

Одну режущую кромку, В предложенном устройстве один из ножей их!ссг выемку, и другой — Tpii режущие кромки. Это позволя T производить обрезку выводов постепенно, что исключает изгиб выводов н 1>o»ttaettttc микротрещин в стеклянном изоляторе, а слсд<ш»тельно, улучш»ст «ачество продукции.

На фиг. 1 изображена кинем»тнческая схема устройства; на фиг. 2 — подви>кный но>к;

it;l фиг. 3 — неподвижный нож.

Устройство состоит из вибробункера 1, лотк» 2, отсекателей 3, 4 it 5 с пружиной 6 для возьрата отсекателей. Ножницы и отсекатели приводятся в дьч!жение от электродвигателя

7, редуктора 8 и «улачка 9. Ножницы имеют два ножа: подви>кный 10 и неподвижный 11, Подви>кный нож содер>кит три режущие кромки, неподвижный — впадину. Ножки для обрезки из вибробункера подаются в лоток 2, затем на отсекатель 3 и 4. Отсекатель 4 от "© 4 гг

181744

Фиг 2

Ф г 3

Составитель В. В. Шведова

Редактор И. Г. Карпас Техрсд А. А Камышникова Коррекгоры: Е. Д. Курдюмова и В, П. Федулова

Заказ 1608i6 Тиоаж 2800 Формат бум. 60 90 /з Обьем 0,16 изд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Патент ссср 181744 Патент ссср 181744 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх