Кремниевый высоковольтный диод
Сущность изобретения: в кремниевом высоковольтном диоде с коллекторным и эмиттерным выводами, ориентированными в параллельных направлениях, под эмиттерным выводом в металлическом основании сделан вырез размерами, обеспечивающими расстояние от эмиттерного вывода до кромок выреза, равное не менее половины расстояния между эмиттерным и коллекторным выводом в том же сочетании. 1 табл.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (5()5 Н 01 (23/00
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4923845/21 (22) 01.04.91 (46) 23,03.93. Бюл, ¹ 11 (71) Особое конструкторское бюро при Ташкентском заводе электронной техники им.
В.И.Ленина (72) А,Ф.Муратов, Н,ИДжус, Л.M.Нерсесян и Г.К.Эшчанов (56) 1. Приборы полупроводниковые, диоды типа 2Д212А, 2Д212В. Технические условия
Ц23.362.006 ТУ. 1978.
Изобретение относится к области конструирования и производства полупроводниковых приборов, Целью изобретения является повышение устойчивости диода к пробивному напряжению, На фиг. 1 и 2 представлена схема диода.
В пластмассовом корпусе на металлическом основании 1 смонтирован столик 2, Между компенсаторами 3 и 4 размещен кристалл 10 с р-и-переходом. Эмиттерный вывод 5, приваренный к верхнему компенсатору, и коллекторный вывод 6, приваренный к основанию, выходят с одного торца пластмассового корпуса 7. Вырез 8 в металлическом основании заливается вровень с нижней поверхностью основания герметизирующим компаундом при формировании корпуса. 9 — защитный компаунд (силиконовый каучук).
В таблице представлены результаты испытаний диодов (после технологических обработок, в том числе камера влаги, термоциклы и др. операции).
«5U,Ä1803943 А1 (54) КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ
ДИОД (57) Сущность изобретения: в кремниевом высоковольтном диоде с коллекторным и эмиттерным выводами, ориентированными в параллел ьн ых нап равлен и ях, под эмиттерным выводом в металлическом основании сделан вырез размерами, обеспечивающими расстояние от эмиттерного вывода до кромок выреза, равное не менее половины расстояния между эмитте рным и коллекторным выводом в том же сочетании, 1 табл.
Использование предложенного изобретения позволило разработать импульсный высоковольтный термоустойчивый диод с паоаметоами: leap>M= ЗА, teoc,oep 150 нс;
Тк<>р = 100 С (или 2А при Trop= 125 С), Uopp=1400 В, Формула изобретения
Кремниевый высоковольтный диод, содержащий пластмассовый корпус с металлическим основанием, на котором последовательно размещены металлический столик, нижний компенсатор, кристалл с р-п-р-переходом, верхний компенсатор с эмиттерным выводом и ориентированный в параллельном направлении коллекторный вывод, соединенный с металлическим основанием, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения устойчивости диода к пробивному напряжению, в металлическом основании под эмиттерным выводом выполнен заполненный пластмассой вырез, размеры которого выбраны так, что минималь-ое расстояние по поверхности корпуса
<;т эмиттерного вывода в месте его выхо1803943
* S — расстояние между эмиттерным выводом и металлическим
d — расстояние между эмиттерным и коллекторным выводами. да из корпуса до кромок выреза равно не менее половины расстояния между эмиттерным и коллекторным выводами в том же сечении.
