Устройство для выращивания кристаллов
Использование: для получения пьезоэлектрических , пироэлектрических, электрооптических и других кристаллов. Устройство включает кристаллизационный сосуд. Внутри него установлен кристаллодержатель для затравки и насос, Насос имеет патрубок, снабженный гидронасадкой с системой отверстий . При этом гидронасадка размещена над кристаллодержателем, а оси ее отверстий расположены вертикально. Выращены кристаллы КДР. Скорость роста 2,5 мм/ч, что приблизительно в 2 раза выше скорости роста по прототипу. 2 пр., 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 С 30 В 7/00
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ
ОО
1сО
Ю (С> ! () р
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4891445/26 (22) 17.12.90 (46) 07.06,93. Бюл. ¹ 21 (71) Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников АН БССР (72) В.В, Клубович, Н.К.Толочко и С.ЕМозжаров (56) Патент ФРГ ¹ 1072966, кл. 12 С 2, 1960. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ
КРИСТАЛЛОВ (57) Использование: для получения пьезоэлектрических, пироэлектрических, электро1
Изобретение относится к выращиванию кристаллов из раствора и может быть использовано для получения пьезоэлектрических, пироэлектрических, электрооптических и других технически важных кристаллов.
Целью изобретения является ускорение роста кристаллов.
Поставленная цель достигается тем, что в известном устройстве для выращивания кристаллов, включающем кристаллизационный сосуд, кристаллодержатель с затравкой и насос с патрубком для подачи раствора, снабженным гидронасадкой с системой отверстий, гидронасадка установлена над кристаллодержателем, и оси отверстий в насадке расположены вертикально, На чертеже представлен общий вид предлагаемого устройства.
Устройство включает кристаллизационный сосуд 1, кристаллодержатель 2 с кристаллом 3, насос 4 с выходным патрубком 5, снабженным гидронасадкой 6, расположенной над кристаллом 3. В нижней части гидронасадки 6 выполнена система отверстий 7, . Ы„, 1819920 Al оптических и других кристаллов. Устройство включает кристаллизационный сосуд. Внутри него установлен кристаллодержатель для затравки и насос, Насос имеет патрубок, снабженный гидронасадкой с системой отверстий. При этом гидронасадка размещена над кристаллодержателем, а оси ее отверстий расположены вертикально. Выращены кристаллы КДР, Скорость роста 2,5 мм/ч, что приблизительно в 2 раза выше скорости роста по прототипу. 2 пр„1 ил.
Устройство работает следующим образом, Заполняют кристаллизационный сосуд
1 раствором до уровня расположения кристалла 3. Создают условия пересыщения и включают насос 4, При этом раствор, проходя через патрубок 5, выходит из отверстий 7 гидронасадки 6 в виде нисходящего потока, образованного системой незатопленных струй, падающих на кристалл 3. При этом вся поверхность кристалла покрывается пленкой стекающего, постоянно обновляющегося раствора, Пример 1, Выращивают кристалл
КДР из водного раствора в предлагаемом устройстве. Емкость кристаллизационного сосуда 5 л. Внутри него на расстоянии от дна
8 см установлена кристаллическая затравка с размерами вдоль осей х и у 2 см (вершина пирамиды направлена вверх). Над кристаллом на расстоянии 4 см установлена гидронасадка в виде цилиндра диаметром 3 см и высотой 5 см, в нижней торцевой стенке которого выполнена система отверстий диаметром 1,5 мм,.отстоящих друг от друга на
1819920 прозрачными, не содержат включений, обладают одинаковой плотностью дислокаций, измеренной методом травления.
Таким образом, предложенное устройство по сравнению с прототипом обеспечивает ускорение роста кристалла приблизительно в 2 раза за счет улучшения условий выращивания.
Составитель В.Клубович
Техред М.Моргентал Корректор Л.Пилипенко
Редактор T.Ôåäîòîâ
Заказ 2008 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101
2,5 мм. В нижней части кристаллизационного сосуда размещен центробежный насос.
Заполняют сосуд раствором до высоты
8 см так, чтобы кристалл оставался над раствором. Создают условия пересыщения, включают насос, Температура насыщения раствора 32,3 С, температура роста 26 С.
Скорость истечения раствора из патрубка
20 см/с. Длительность выращивания 10 ч.
За указанное время прирост кристалла в направлении Z составил 2,5 см, что соответствует скорости роста 2,5 мм/ч.
Пример 2 (сравнительный). Выращивают кристалл КДР при тех же условиях; что и в примере 1, но при этом заполняют сосуд раствором до погружения в него кристалла и гидронасадки. Концу цикла выращивания соответствующий прирост составил 1.3 см, что отвечает скорости роста 1,3 мм/ч.
Исследования кристаллов показали, что в обоих случаях они являются визуально
Формула изобретения
Устройство для выращивания кристаллов из раствора, содержащее кристаллиэационный сосуд, установленный в нем кристаллодержатель для затравки и насос с
15 патрубком, снабженным гидронасадкой с системой отверстий для подачи раствора к затравке, отл ич а ющеес я тем, что,c целью ускорения роста кристаллов, гидронасадка размещена над кристаллодержате20 лем при вертикальном расположении осей ее отверстий.
