Способ определения величины пересыщенияраствора

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советокиз

Сациалистичвокин

Реооублин

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 08,1Ъ .1966 (№ 1067712/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 31Х.1967. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 4.Л1.1967

Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Миииотров

СССР

5,14

Авторы изобретения А. Н. Ковалевский, Ф, М, Алемайкии и И. С. Рез

Заявитель Всесоюзный научно-исследовательский институт синтеза минеральното сырья Министерства геологии СССР

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ

РАСТВОРА

Величину пересыщения раствора, например рабо )его раствора, при выращивании монокристаллов определяют визуально по появлению замутненности граней растущего кристалла. Однако известным способом нельзя достигнуть необходимой точности определения величины перенасыщения и, кроме того, процесс этог трудоемок.

Для точности определения и уменьшения трудоемкости процесса предлагается измерять темперагуру пересыщепного раствора и температуру, при которой обеспечивается получение его в насыщенном состоянии, и по их разности судить о величине пересыщения.

В связи с тем, что пересыщенныс растворы неустойчивы (в присутствии кристаллической фазы изменяют свою концентрацию) измерение температуры пересыщенного раствора и температуры, при которой обеспечивается получ "IIHp его и насыщенном состоянии, следует проводить одновремешю. С этой целью внутри реактора, содержащего pD(lo)ий раствор для выращивания кристаллов, располагают неоольшую камеp) ем кос)1>!О в несколько миллилитров со стенками и. "вещества низкой теплопроводности, например из стекла. Внутри камеры размещают электронагрсва1ель и датчик для регистрации темпсрагуры в ней, головку ртутного термометра, тсрмопару, термометр сопротивления и т. п. Внутреннее пространство камеры сообщается с реактором.

3io обеспечивает наполнение камеры раоочим раствором той же концентрации, что и в остальном объеме реактора. B конструкции

5 камеры предусмотрена возможность замера температуры па,ыщения находящегося в ней раствора каким-либо известным способом, например прецизионным методом orðåäåëåíèë температуры насыщения прозрачных раство>0 ров.

Замер величины пересыщения рабочего раствора в реакторе производится следующим способом. С помощью электронагревателя псвышают температуру раствора в камере до

15 тех пор, пока он не станет насыщенным. Замер разности температур раствора, находящегося в этот момент внутри камеры и вне ее, то есть в остальном объеме реактора, даст искомую величину пересыщения рабочего ра20 створа в реакторе, выраженную в единицах тс мпературы.

П р и и е р. При выращивании монокристаллов дигидрофосфата аммония рабочая температура раствора в реакторе (т, е. темпера25 тура, при которой осуществляется рост монокристаллов) может быть взята равной 63,2 С.

Для замера величины пересыщения этого рас1 вора повышают температуру внутри камеры до тех пор, пока раствор в ней не станет на30 сыщенным(например, при 63,8 С). Разность

IS6711

Составитель В. Г. Постыляков

Текрсд Т. П. Курилко Корректоры: В. В. Крылова и Г. И. Плешакова

Рсдактор Т. Н. Каранова

Заказ 1941/3 Тираж;>35 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Сове1е Министров СССР

Москва, Центр, пр, Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Ф температур- раствора в камере и реакторе в этот момент равная 63,8 — 63,2=0,6 С, определяет величину пересыщения раствора в реа кторе.

Предмет изобретения

Способ определения величины пересьпцения раствора, например рабочего раствора прн выращивании монокристаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения и уменьшения трудоемкости процесса, измеряют температуру пересыщенного раствора и температуру, при которой обеспечивается получение его в насыщенном состоянии, и по их разности судят о величине пересыщения.

Способ определения величины пересыщенияраствора Способ определения величины пересыщенияраствора 

 

Похожие патенты:

Метаномер // 146669

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейнооптических эффектов
Изобретение относится к области физической и технической акустики твердого тела и может быть использовано в радиоэлектронике, автоматизации технологических процессов, материаловедении, в частности, в области практического применения пьезоэлектрических свойств кристаллов при изготовлении из них пьезоэлектрических преобразователей для приборов ультразвукового неразрушающего контроля

 // 353469

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной технике
Наверх