Способ прецизионного совмещения рисунков
200431
Составитель А. М. Массов
Редактор Л. А. Утехина Техред Л. Я. Бриккер Корректоры: А. П, Татаринцева и И. Л. Кириллова
Заказ 2905/14 Тираж 535 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2 пыления. Причем маски могут быть как механическими, так и удаляемыми, т. е. наносимыми непосредственно па подложки и удаляемыми после их использования.
Вспомогательные фигуры можно получать сочетанием указанных выше приемов.
Вспомогательные фигуры выполняют либо одновременно с проведением аналогичных процессов на подложках, например, получением проводящих, диэлектрических, резистивных рисунков и покрытий, и в этом случае способ получения фигур для совмещения связан со способами обработки подложек (как активных, так и пассивных), либо могут быть выполнены самостоятельно, независимо от основных процессов обработки подложек. Перемещение одной подложки относительно другой осуществляют при помощи какой-либо системы, например механической, вручную, или при помощи автоматического контура.
При малых размерах вспомогательных фигур могут быть предусмотрены относительно грубая предварительная ориентировка совмещаемых подложек по отношению друг к другу и грубое выставлеппе вспомогательных фигур путем сканирования вручную либо с помощью автоматического контура.
Прецизионное совмещение рисунков путем регистрации максимальной величины емкости вспомогательных емкостных элементов может быть использовано для решения других задач, связанных с совмещением двух рисунков, И выполненных не менее, чем на двух непрозрачных подложках, Предмет изобретения
Способ прецизионного совмещения рисунIS ков, выполненных не менее, чем на двух непрозрачных подложках, например, при изготовлении интегральных субсистем или гибридных тонкопленочных схем, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, нано20 сят часть вспомогательного емкостного элемента на каждую подложку и регистрируют величину максимальной емкости при совмещении этих подложек.
О П И С А Н И Е 29943I
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ABTGPCKGM3 СВИДЕТЕЛЬО ВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 17. VII. 1966 (№ 1090255/26-10) Кл. 57d, 1/01 с присоединением заявки №
Приоритет
МПК 6 03f
УДЕ. 778.644 (088.8) Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 29.VII.1967. Бюллетень № 16
Дата опубликования описания 11,1Х.1967 /
f .
1 в.,;
Ю. А. Воителев и В. К. Камотесов
Авторы изобретения
Заявитель
СПОСОБ ПРЕЦИЗИОННОГО СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКОВ
Известны способы прецизионного совмещения двух рисунков для тех случаев, когда один из них выполнен на прозрачной подложке, например, для совмещения фотошаблонов с рисунком на полупроводниковом материале в производстве интегральных полупроводниковых схем. В основу их положено визуальное совмещение при помощи микроскопа или других оптических систем.
Однако в ряде случаев необходимо совместить рисунки, выполненные пе менее, чем на двух непрозрачных подложках. Например, при изготовлении интегральных субсистем необходимо совместить полупроводниковую матрицу с тонкопленочным многослойным рисунком соединений, выполненным на пассивной подложке. Это инвертированный способ присоединения, дающий значительные возможности повышения надежности аппаратуры при высокой плотности компоновки и степени автоматизации производства. Трудность заключается в том, что в этих случаях нельзя визуально производить совмещение.
Предложенный способ прецизионного совмещения рисунков, выполненных не менее, чем на двух непрозрачных подложках, состоит в том, что совмещение осуществляют путем регистрации максимальной величины емкости вспомогательных емкостпых элементов, выполненных на этих подложках таким образом, что на каждой подлои<ке наносят часть вспомогательного емкостного элемента.
На одной подложке выполнены две плп более вспомогательные фигуры, например, два круга, состоящие из двух слоев.
1 (иж((п!(слоl, — это проводчщии з! атер иял, например алюминий, медь или золото, а верхний слой — диэлектрик, например, двуокись крсмния, HHTHOI НЯ 1р i ГO!! и!!и I. CHOi !ОГЯТЕЛЫ!ЯЯ фПГ Р2, СОСТОЯIЦЯЯ ИЗ од(:о,о слоя проводящего материала, например алюм(!ппя, мсдп или золота. 15 Вспомогательные ф!Птуры могут быть нанесены, H2HP((мсР, Hi, THxl ooP260TI 1323ложс!(иеъ(:!сгколетУчих coBIHHLHIIII, Яно дировапием в газоразрядной плазме пли в элсктрпческо!! Иа!Иlе 131.тех(p02кцпи В парОЗОЙ 25 фазе 11 т. д. Матер!12л может Оыть Ооработан фотоBHTorp2(»«Iec«Hx(травлением, элсктронПl.! М Л ЧОЪ(И ДР ГИ. (и СПОСООЯМП. ВспомОГ2тельные фиГуры IIOi!
