Устройство для измерения эффективного

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

2ОЗУВ

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскиз

Социэлистическиз

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено ЗО.И1.1966 (№ 1093792/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 09.XI,1967. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 7.II.1968

Кл. 21g, 11/02

МПК Н 011

УДК 621.382,2:537,311.33. .08 (088.8) Ковтитет по лелем изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

М. Э. Кричевский

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОГО

ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ

Предмет изобретения

Известны устройства для измерения эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых диодах, которь|е содержат генератор синусоидального напряжения и осциллorраф.

Предложенное устройство отличается тем, что содержит блок деления, а генератор синусоидального напряжения представляет собой генератор переменной частоты, что позволяет повысить точность и производительность измерения.

На чертеже изображена принципиальная схема предложенного устройства.

Оно состоит из задающего генератора 1, усилителя 2 мощности, подключенного к выходу задающего генератора, измерителя 8 частоты и блока 4 деления.

Сигнал от генератора 1 через усилитель 2 поступает на выпрямительную ячейку, состоящую из испытуемого диода 5 и нагрузочного сопротивления б. Обратный ток отделяется диодами 7 и 8 и проходит через диод 9 с логарифмической вольт-амперной характеристикой, который выделяет напряжение, пропорциональное логарифму тока. Ток, пропорциональный частоте, проходит через емкость 10, выпрямляется мостовым выпрямителем на

5 диодах 11 вЂ” 14 и проходит через диод 15 с логарифмической вольт-амперной характеристикой. Измеритель 1б показывает разность напряжений на диодах 9 и 15, пропорциональную логарифму извлеченного заряда.

Устройство для измерения эффективного

15 времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых диодах, содержащее генератор синусоидального напряжения, усилительное устройство, измеритель частоты и источник питания, отличающееся тем, что, с

20 целью повышения точности измерения, оно содержит блок деления, а генератор синусоидального напряжения выполнен в виде генератора переменной частоты.

203789

Составитель P. Г. Акопян

Редакторы Н. О. Громов Техред T. П. Курилко Корректоры: Е. Н. Гудзова и М. П. Ромашова

Заказ 4591)3 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д, 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Патент 187859 // 187859

Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников // 186538

Индикатор для определения глубины дрейфа лития в кремниевых^? — г — п-детекторах ядерных излучений // 184980

Ударно-вибрационный стенд // 179387

Способ измерения дрейфа обратного тока р—п-переходов // 174277

Способ стробоскопического наблюдения // 172406

Измеритель физических свойств материалов на сеч // 166763

Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов // 164068

Патент 163291 // 163291

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349