Тетраамминтрикремнефторид

 

Изобретение относится к неорганической химии и представляет собой вещество, открывающее новую группу электронодефицитных соединений. Сущность изобретения заключается в новом веществе - тетраамминтрикремнефториде - Si3(NH3)4F12 (ТАТКФ), а также в его синтезе, который заключается во взаимодействии фторида диамминкремния - Si(NH3)2F4 и аддукта - четырехфтористого кремния с димером диоксида азота Si(N2O4)2F4 с последующей перегонкой жидкости при пониженном давлении. ТАТКФ может быть использован, например, в технологии кремния в качестве кремнийсодержащего реагента, поскольку его разложение может протекать с образованием элементарного кремния. 3 ил.

Изобретение относится к неорганической химии и представляет собой вещество, открывающее новую группу электронодефицитных соединений.

Из известных соединений подобного состава можно указать на аддукты тетрафторида кремния и алкиламинов (Гаврилова Л.А. Аддукты тетрафторида кремния и оснований жирного ряда. Продукты их дегидрофторирования.-Одесса, 1979). Химическая связь в этих соединениях между четырехфтористым кремнием и алкиламином носит координационный характер и образуется за счет неподеленной пары электронов атома азота и одной из свободных орбиталей d-оболочки атома кремния. Таким образом устанавливается двухцентровая связь Si-N, состав индивидуальной молекулы определяется формулой Si(NH2R)2F4, где количества составляющих аддукт молекул SiF4 и NH2R относятся как 1/2 соответственно. Эти соединения мономолекулярны, представляют собой твердые вещества, термическое разложение которых в любых условиях проходит как термическая диссоциация по дативной связи.

Способ получения этих соединений заключается в смешивании спиртовых или бензольных растворов четырехфтористого кремния и соответствующего алкиламина с последующим выделением твердого продукта реакции SiF4 + 2NH2R = Si(NH2R)2F4 Наиболее близким по строению к заявляемому соединению является диборан, B2H6, представляющий собой класс бороводородов (Карапетьянц М.Х., Дракин С. И. Общая и неорганическая химия. - Москва, 1994, с. 116, 344.). Бороводороды имеют общую формулу BnHn+4 или BnHn+6 и относятся к электронодефицитным соединениям. В молекуле диборана содержатся четыре двухэлектронные концевые ВН-связи, остальные четыре электрона объединяют радикалы BH2 с помощью водородных мостиков, лежащих в плоскости, перпендикулярной плоскости расположения радикалов BH2. Каждый мостиковый атом водорода образует с двумя атомами бора двухэлектронную трехцентровую связь B-H-B, таким образом в молекуле электронами заполнена лишь связывающая молекулярная орбиталь (MO), а на несвязывающей MO электронов нет. Указанный пример иллюстрирует радикальный механизм образования трехцентровой химической связи. Структурная формула диборана приведена на фиг. 1.

Диборан является газообразным соединением, Tкип.=-92oC, разлагается с протеканием окислительно-восстановительной (ОВ) реакции на элементы при 25oC. Другие представители бороводородов являются легкокипящими жидкостями, а более тяжелые бораны - твердыми веществами, однако все представители образованы посредством трехцентровых связей с участием атома водорода. Бораны весьма реакционноспособны и нестабильны.

Общим способом получения бороводородов является синтез из газовой фазы по реакции (2n+3)H2 + nBCl3 = BnHn+6 + 3nHCl в частности 6H2 + 2BCl3 = B2H6 + 6HCl Механизм процесса представляется совокупностью ОВ-реакций и последующей ассоциацией настабильных молекул BH3 1. BCl3 + 2H2 = BH2Cl + 2HCl 2. BH2Cl + H2 = BH3 + HCl 3. nBH3 = BnHn+6 + (n-3)H2
Техническим результатом изобретения является получение соединения четырехфтористого кремния и аммиака, образованного посредством трехцентровых химических связей Si-N-Si, с участием неподеленной электронной пары атома азота и двух свободных d-орбиталей атомов кремния, открывающего новый класс электронодефицитных соединений, образованных по донорно-акцепторному (ДА) механизму.

Технический результат достигается тем, что проводят синтез тетраамминтрикремнефторида (ТАТКФ) Si3(NH3)4F12.

Сущность изобретения поясняется нижеследующим описанием соединения. Химический состав молекулы ТАТКФ отображается формулой Si3(NH3)4F12. Элементарную частицу вещества можно рассматривать как совокупность трех молекул четырехфтористого кремния, объединенных при помощи четырех аммиачных мостиков. Мостиковые связи образованы с участием МО, расположенных в двух взаимоперпендикулярных плоскостях. Из трех образующихся, в каждом случае образования Si-N-Si-связей, МО электронами заполнена только связывающая. Методами ИК-спектроскопического и электронографического анализов удалось определить расположение связей в молекуле, их длины и углы между ними. Установлено также, что молекулы ТАТКФ ассоциированы в составе жидкости при помощи водородных связей H-F. Структурная формула соединения представлена на фиг. 2.

Способ получения ТАТКФ основан на цепочке обменных реакций и реакций присоединения по донорно-акцепторному механизму. Исходными веществами являются четырехфтористый кремний, аммиак и оксид азота (IV). На первых двух стадиях, представляющих собой реакции присоединения, синтезируют фторид диамминкремния Si(NH3)2F4 и аддукт четырехфтористого кремния с димером диоксида азота Si(N2O4)2F4 из которых непосредственно проводят синтез ТАТКФ. Синтез фторида диамминкремния ведут при температуре ниже 0oC из газовой фазы
SiF4(r) +2NH3(r) = Si(NH3)2F4(тв.)
Si(N2O4)2F4 получают путем пропускания четырехфтористого кремния через охлаждаемую колонку с N2O4
2N2O4(тв) + SiF4(г) = Si(N2O4)2F4(тв.)
Затем из полученных веществ при нагревании до 40oC в инертной атмосфере проводят синтез ТАТКФ
2Si(NH3)2F4(тв) + Si(N2O4)2F4(тв) = Si3(NH3)4F12(ж.) + 4NO2(г)
Полученную жидкость перегоняют при пониженном давлении.

Процесс образования ТАТКФ можно представить через механизм образования электростатически наведенного комплекса (фиг. 3).

Пример конкретного выполнения способа с наиболее оптимальными параметрами приведен ниже.

В кварцевый реактор, охлаждаемый контактной трубкой и сухим льдом, сообщающийся с атмосферой через трубку с хлоридом кальция, подается высушенный диоксид азота в количестве 50 л (н.у.). На поверхности контактной трубки образуется димер N2O4 массой 102 г, после чего в реактор пропускается 12,6 л (н.у.) четырехфтористого кремния, поглощаемого N2O4 с образованием 160 г Si(N2O4)2. По завершении процесса в реактор одновременно пропускают в соотношении 1/2,04 четырехфтористый кремний в количестве 25 л (н.у.) и сухой аммиак в количестве 51 л (н.у.) соответственно, в результате чего на поверхности контактной трубки образуется 150 г Si(NH3)2F4 с 96%-ным выходом. После этого перекрывается сообщение реактора с атмосферой, внутренний патрубок контактной трубки заменяется резистивным нагревателем, реактор заполняется аргоном до достижения давления последнего в 1,7 атм и нагревается до 38-40oC. В результате образуется 162 г ТАТКФ с 78%-ным выходом.

ТАТКФ представляет собой бесцветную жидкость с резким запахом, дымящую на воздухе, плотностью при 298 K, равной 1,48 г/см3, показатель преломления nD(20)= 1,4518, Tпл.= 3,4oC, Tкип.=40,8oC, Mr=380, при 60oC разлагается на четырехфтористый кремний и аммиак, при 600oC разложение сопровождается ОВ-реакцией по схеме
Si3(NH3)4F12(г) = 3Si(тв) + 2N2(г) + 12HF(г)
Существенность отличий вновь синтезированного соединения в сравнении с его аналогами по составу как Si(NH2R)2F4 и по строению, как диборан, сводится к тому, что в первом случае соединения имеют разное строение, так в аддуктах Si(NH2R)2F4 количества составляющих молекул относятся как целые числа, а в ТАТКФ подобное отношение носит дробный характер, как следствие, появляются отличия в свойствах, таких как агрегатное состояние и протекание реакций термического разложения, где разложение ТАТКФ может сопровождаться OB-процессом, во втором же случае отличие заключается в том, что связь B-H-B в диборане образована по радикальному механизму, в то время как связь Si-N-Si в случае нового соединения по ДА-механизму, другое отличие состоит в том, что бороводороды не являются аддуктами.

ТАТКФ может быть использован, например, в технологии кремния в качестве кремнийсодержащего реагента, поскольку его разложение может протекать с образованием элементарного кремния.


Формула изобретения

Тетраамминтрикремнефторид состава
Si3(NH3)4F12
как представитель электронодефицитных соединений, образованных по донорно-акцепторному механизму.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению гексафторсиликата аммония высокой чистоты, служащего исходным сырьем для получения высокодисперсного диоксида кремния
Изобретение относится к способу получения кремнефторида калия и может быть использовано в технологии получения кремнефтористых соединений и очистки сточных вод от фтора
Изобретение относится к способам получения гранулированного кремнефтористого аммония, широко используемого в цветной, металлургической и других отраслях промышленности

Изобретение относится к технологии получения тетрафторида кремния, конкретно тетрафторида кремния из разбавленных растворов кремнефтористоводородной кислоты

Изобретение относится к химической технологии, в частности к способам удаления фтора из растворов и утилизации отходов производства
Изобретение относится к способам получения высокочистого трихлорсилана, применяемого в качестве источника кремния в технологиях микроэлектроники

Изобретение относится к пирохимическим методам переработки отходов производства и может быть использовано в технологии получения высокочистых соединений кремния для электронных устройств, оптических волокон, солнечных батарей, полупроводниковых материалов

Изобретение относится к области химической технологии получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к получению кремнийсодержащих материалов и может быть использовано в производстве хлорсиланов, применяемых в технологии микроэлектроники и высокочистого кремния
Изобретение относится к металлургии кремния, а именно к получению трихлорсилана - SiHCl3, используемого в производстве полупроводникового кремния, из тетрахлорида кремния - SiCl4

Изобретение относится к химической технологии, в частности к получению кремнефтористого натрия

Изобретение относится к технологии получения неорганических фторидов из кремнийфторидсодержащих газов и может найти применение в производстве фтористоводородной кислоты, фосфорных удобрений или в алюминиевой промышленности на стадии утилизации отходящих газов, имеющих в своем составе HF, SiF4 либо их смесь, при водной абсорбции которых образуется раствор HF, H2SiF6 либо их смесь

Изобретение относится к получению кремнефтористых солей и может быть использовано в технологии получения кремнефторида калия

Изобретение относится к неорганической химии, к получению фторидов неметаллов, точнее - к способам получения тетрафторида кремния

Изобретение относится к химии кремнийорганических соединений, а именно к способам получения высокочистого трихлорсилана, и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния

Изобретение относится к способам получения хлоридов кремния, применяемых в производстве полупроводникового кремния, в химической промышленности
Наверх