Способ получения трихлорсилана

 

Изобретение относится к металлургии кремния, а именно к получению трихлорсилана - SiHCl3, используемого в производстве полупроводникового кремния, из тетрахлорида кремния - SiCl4. Способ получения трихлорсилана включает активацию реакции взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом высокоэнергетическим пучком электронов с энергией 0,5 - 2,5 МэВ в реакторе проточного типа в парогазовой смеси тетрахлорида кремния с водородом или любых отработанных парогазовых смесях, содержащих тетрахлорид кремния. По изобретению снижаются энергозатраты на получение продукта. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области металлургии кремния, а именно к способу получения трихлорсилана - SiHCl3 (ТХС), используемого в производстве полупроводникового кремния, из тетрахлорида кремния - SiCl4(ТХК).

Известно, что получение ТХС из ТХК путем гидрирования по реакции SiCl4 + H2 ---> SiHCl3 + HCl связано с трудностью, обусловленной особой прочностью Si-Cl связи и большой скоростью обратной реакции.

В настоящее время используют в основном три способа активации этой реакции: с помощью высокой температуры (1150 - 1360 K), применения катализаторов, либо плазмы.

Известен способ получения ТХС, заключающийся в том, что парогазовую смесь ТХК с водородом продувают через катализатор, что позволяет снизить температуру процесса до 600 - 650 K при увеличении выхода ТХС и снижении энергоемкости процесса (Патент N 3458703, США, МКИ C 01 B 33/08, 1949).

Недостатками известного способа являются: - загрязнение ТХС неконтролируемыми примесями, вносимыми катализатором трихлоридом алюминия; - необходимость прерывания процесса для закаливания продуктов реакции (время контакта продуктов реакции 40 - 60 c).

Ближайшим к заявленному способу прототипом является способ получения ТХС путем проведения процесса гидрирования ТХК в плазме водорода при пропускании смеси газов SiCl4 и H2 через электродуговой плазмотрон (Патент N 2530638, США, Мкл.3, C 07 F 7/02, 1984).

Процесс гидрирования ТХК до образования ТХС протекает в "горячей" плазме с закаливанием конечных продуктов для повышения выхода ТХС. Экстремально высокие температуры процесса гидрирования, необходимость закаливания определяют высокую энергоемкость процесса. Общие энергетические затраты составляют 4,5 - 5,5 кВт ч/кг полученного ТХС.

Недостатками прототипа являются: - высокая температура процесса; - необходимость закаливания продуктов реакции; - высокие общие энергетические затраты.

Задачей изобретения является снижение энергозатрат на получение ТХС.

Решение задачи достигается активацией реакции взаимодействия ТХК с H2 высокоэнергетическим пучком электронов с энергией 0,5 - 2,5 МэВ в реакторе проточного типа, а также тем, что в качестве исходной парогазовой смеси используют смесь ТХК с H2 или любые отработанные парогазовые смеси, содержащие ТХК.

Предлагаемый способ заключается в следующем.

Парогазовую смесь, состоящую из ТХК и водорода, в соотношении H2/CCl4 0,5 - 10,0 пропускают через реактор и подвергают облучению высокоэнергетическим пучком электронов с энергией 0,5 - 2,5 МэВ, вводимым в реактор через металлическую фольгу. Процесс проводят преимущественно при нормальном или повышенном давлении. Скорость потока парогазовой смеси и доза облучения определяются размерами и конструкцией используемого реактора. Способ обеспечивает выход целевого продукта 50 - 90% с энергетическими затратами не более 0,5 кВтч/кг ТХС.

При облучении реакционной смеси пучком ускоренных электронов основная часть электрической энергии пучка идет на повышение энергии электронной подсистемы парогазовой смеси, что обеспечивает возбуждение молекул с частичной их диссоциацией и ионизацией. По различным химическим механизмам осуществляется процесс восстановления ТХК до ТХС.

Существенным отличием заявляемого способа от прототипа является то, что активацию реакции взаимодействия ТХК с водородом проводят высокоэнергетическим пучком электронов с энергией 0,5 - 2,5 МэВ, что позволяет существенно снизить энергозатраты на проведение процесса. Используемый оптимальный диапазон энергии обусловлен тем, что именно при этих значениях энергий процесс активации протекает наиболее полно и равномерно во всем реакционном объеме, одновременно позволяя снизить энергозатраты до 0,23 - 0,5 кВтч/кг ТХС.

Использование высокоэнергетического пучка электронов позволяет осуществлять процесс гидрирования как ТХК, так и отработанных парогазовых смесей, содержащих ТХК в качестве побочного продукта, например, в процессе получения кремния водородным восстановлением ТХС.

Изобретение иллюстрируется следующими примерами конкретного выполнения.

Пример 1.

В реакторе проточного типа из нержавеющей стали с внутренним диаметром 130 мм, высотой 250 мм и окном из титановой фольги толщиной 50 мкм через барботер с жидким ТХК продували водород с расходом 0,18 м3/ч. Расход ТХК при температуре источника 340 K составлял 0,165 кг/ч. Молярное соотношение H2/SiCl4=9. Давление парогазовой смеси в реакторе 0,3 ати. Активацию реакции гидрирования ТХК водородом осуществляли облучением смеси пучком высокоэнергетических электронов с энергией 1,4 МэВ. Доза облучения составляла 60 Мрад. Конечную смесь продуктов после активации конденсировали в азотную ловушку и подвергали фракционной разгонке с последующим масс-спектроскопическим и хроматографическим анализом.

В конечной смеси содержание целевого продукта составляло 91%. Кроме того, смесь содержала следующие компоненты, %: SiCl4 - 5 SiH2Cl2 - 0,5
SiH3Cl - 3,5
Содержания полисиланхлоридов в продуктах гидрирования ТХК обнаружено не было.

Энергетические затраты составили 0,23 кВтч/кг ТХС.

Пример 2.

Способ осуществления аналогичен примеру 1, за исключением того, что энергия электронов составляла 0,5 МэВ, доза облучения 40 Мрад, соотношение H2/SiCl4 = 6.

В конечной смеси содержание целевого продукта составляло 59%. Кроме того, смесь содержала следующие компоненты, %:
SiCl4 - 28
SiH2Cl2 - 3
SiH3Cl - 10
Содержания полисиланхлоридов не обнаружено.

Энергетические затраты составили 0,24 кВтч/кг ТХС.

Пример 3.

Способ осуществляют аналогично примеру 1, за исключением того, что энергия электронов составляла 2,5 МэВ, доза облучения 100 Мрад, соотношение H2/SiCl4=4.

В конечной смеси содержание целевого продукта составило 70%.

Кроме того, смесь содержала следующие компоненты,%:
SiCl4 - 17
SiH2Cl2 - 1,5
SiH3Cl - 11,5
Содержания полисиланхлоридов не обнаружено.

Энергетические затраты составили 0,48 кВтч/кг ТХС.

Пример 4.

Способ осуществляют аналогично примеру 1, за исключением того, что отработанная смесь газов (непрореагировавший SiCl4 и побочные продукты реакции SiH2Cl2 и SiH3Cl) после проведения активации процесса гидрирования ТХК пучком высокоэнергетических электронов (E = 1,4 МэВ, 60 Мрад), конденсации и фракционной разгонки, смешивали с водородом в соотношении H2/смесь отходов = 8, подавали обратно в реактор для повторного гидрирования. После конденсации и фракционной разгонки в составе смеси обнаружили,%:
целевой продукт - 81
SiCl4 - 9
SiH2Cl2 - 2
SiH3Cl - 2
SiH4 - > 5
Содержания полисиланхлоридов не обнаружено.

Энергетические затраты составили 0,26 кВтч/кг ТХС.

Использование заявляемого способа по сравнению с прототипом позволит:
- снизить энергетические затраты на проведение процесса с 4,5 - 5,5 до 0,23 - 0,5 кВтч/кг ТХС;
- снизить температуру активации процесса гидрирования ТХК до нормальной;
- исключить необходимость закаливания конечных продуктов реакции;
- исключить наличие в конечной смеси продуктов заметных количеств пожаровзрывоопасных веществ (полисиланхлоридов);
- расширить функциональные возможности способа за счет использования любых отработанных парогазовых смесей, содержащих ТХК.


Формула изобретения

1. Способ получения трихлорсилана путем активации реакции взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом в парогазовой смеси в реакторе проточного типа, отличающийся тем, что активацию проводят высокоэнергетическим пучком электронов с энергией 0,5 - 2,5 МэВ.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве исходной парогазовой смеси используют смесь тетрахлорида кремния с водородом или любые отработанные парогазовые смеси, содержащие тетрахлорид кремния.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению кремнийсодержащих материалов и может быть использовано в производстве хлорсиланов, применяемых в технологии микроэлектроники и высокочистого кремния

Изобретение относится к области химической технологии получения поликристаллического кремния
Изобретение относится к способам получения высокочистого трихлорсилана, применяемого в качестве источника кремния в технологиях микроэлектроники

Изобретение относится к получению неорганических хлоридов, а именно тетрахлорида кремния, и позволяет упростить технологический процесс и улучшить качество целевого продукта за счет снижения выхода высших силанов

Изобретение относится к способам выделения трихлорсилана и тетрахлорида кремния из смеси хлорсиланов, может быть использовано в производстве полупроводникового кремния и позволяет повысить чистоту продуктов и их выход

Изобретение относится к неорганической химии, к получению фторидов неметаллов, точнее - к способам получения тетрафторида кремния

Изобретение относится к химии кремнийорганических соединений, а именно к способам получения высокочистого трихлорсилана, и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния

Изобретение относится к способам получения хлоридов кремния, применяемых в производстве полупроводникового кремния, в химической промышленности

Изобретение относится к способам получения соединений кремния, используемых в полупроводниковой технике и в кремнийорганической химии
Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к способу производства трихлорсилана, и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния

Изобретение относится к способам получения трихлорсилана из тетрахлорида кремния и может быть использовано для утилизации тетрахлорида кремния, образующегося в процессе получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения тетрафторсилана и газу на его основе

Изобретение относится к производству поликристаллического кремния по замкнутому циклу и касается устройств для конверсии образующегося в процессе получения поликристаллического кремния тетрахлорида кремния в трихлорсилан

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния для получения трихлорсилана, являющегося исходным сырьем для получения полупроводникового кремния
Наверх