Способ панорамного измерения модуля коэффициента отражения свч двухполюсника

Изобретение относится к радиоизмерительной технике и может быть использовано при создании панорамных измерителей параметров СВЧ устройств. Технический результат изобретения - повышение точности измерения. Способ измерения модуля коэффициента отражения (МКО) СВЧ двухполюсника, обеспечивающий получение информации об измеряемом параметре в соответствии с выражением

заключающемся в двух калибровочных измерениях МКО: - холостого хода с коэффициентов отражения Г1; - короткозамыкателя с коэффициентом отражения Г2=-Г1, а также в измерении МКО - СВЧ двухполюсника с коэффициентом отражения Гх и вычисления измеряемой величины по формуле . Дополнительно измеряют (или задают) значение МКО - при согласованной нагрузке, а результат измерения пересчитывают в искомое значение по формуле:

где: a cosψ определяют по частотной зависимости величины , задаваемой выражением . 1 ил.

 

Изобретение относится к радиоизмерительной технике и может быть использовано при создании панорамных измерителей параметров СВЧ устройств.

Измерение частотных зависимостей модуля коэффициента отражения , определяющего наряду с коэффициентом стоячей волны (КСВ) входные параметры СВЧ устройств, относится к важнейшим задачам радиоизмерительной техники.

Исторически первым, с помощью измерительной линии [1], был реализован способ измерения КСВ и пересчета его в по известной формуле КСВ-1

Однако этот способ трудно реализовать в панораме частот. Поэтому в современной измерительной технике более широко используются способы измерения комплексного значения Г и квадрата модуля 2 коэффициента отражения, из результатов измерения которых находят и при необходимости - значение КСВ по формуле

Известны [2, 3] способы измерения комплексной величины

где Ai - результат измерения комплексного коэффициента отражения Гi;

К, d, ρ - комплексные коэффициенты передачи, направленности и отражения измерителя соответственно.

Из выражения (3) тем или иным путем находят значение Гi, а значит, и модуль его . Но эти способы очень сложны в технической реализации, что ограничивает их применение.

Поэтому основными способами измерения сегодня являются способы измерения в панораме частот величины

где - результат измерения [4, 5].

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ, реализованный с помощью микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления (МПИКО) типа Р2-83 [5], принцип действия которого основан на измерении величины , согласно (4). Этот способ заключается в двух калибровочных измерениях модуля коэффициента отражения (МКО):

- холостого хода с коэффициентом отражения Г1

- короткозамыкателя с коэффициентом отражения Г2=-Г1

с последующим измерением СВЧ устройства с коэффициентом отражения Гх

и вычислением измеряемой величины и по формуле

значение которого принимается равным .

Подставляя (5)-(7) в (8) с учетом значений параметров микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления, удовлетворяющих условиям [5]

легко найти зависимость результата измерения х в (8) от параметров d, K, ρ

Из (10) следует, что известный способ измерения позволяет в результате проведения двух калибровочных измерений (холостого хода и короткозамыкателя) исключить влияние параметра К и погрешности рассогласования, вносимой в процесс калибровки влиянием параметров ρ и d в (5) и (6), но не исключает погрешностей рассогласования (влияние параметров ρ и d), вносимых непосредственно процессом измерения в соответствия с (7).

Таким образом, недостатком известного способа является недостаточная точность измерения, обусловленная тем, что он не исключает погрешностей рассогласования при измерении , вносимых влиянием параметров ρ и d.

Технической задачей изобретения является повышение точности измерения за счет уменьшения влияния параметров ρ и d на результат измерений .

Указанная цель достигается за счет того, что в способе измерения модуля коэффициента отражения СВЧ двухполюсника с помощью микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления, обеспечивающего получение информации об измеряемой параметре в соответствии с выражением

заключающемся в двух калибровочных измерениях модуля коэффициента отражения;

- - холостого хода с коэффициентов отражения Г1;

- - короткозамыкателя с коэффициентом отражения

Г2=-Г1.

а также в измерении модуля коэффициента отражения - СВЧ двухполюсника с коэффициентом отражения Гх и вычисления измеряемой величины по формуле

дополнительно измеряют (или задают) значение модуля коэффициента отражения - согласованной нагрузки, а результат измерения и пересчитывают в значение по формуле

где

ψ - разность фаз между вектором эффективного коэффициента отражения ρ э и измеряемого коэффициента Гх; величина находится из анализа частотной зависимости отношения

при в (12), равном I, а значении , равном А3. Величина cosψ определяется из анализа частотной зависимости величины , представленной выражением

принимая, что cosψ =1 при max и

cosψ =-1 при max

Сопоставительный анализ заявляемого решения и прототипа показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что дополнительно измеряют (или задают) модуль коэффициента отражения А3 - согласованной нагрузки (с коэффициентом отражения Г3=0), а результат измерения и пересчитывают в значение по формуле

где

ψ - разность фаз между векторами эффективного коэффициента отражения ρ э и измеряемого коэффициента Гх, величину находят из анализа частотной зависимости отношения

значение принимают равным А3, а величину cosψ определяют по частотной зависимости величины представляемой выражением

принимая, что cosψ =1 при mах1 и cosψ =-1 при max.

На чертеже представлена структурная схема микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления, с помощью которого реализуется предлагаемый способ.

Микропроцессорный панорамный измеритель КСВ и ослабления (МПИКО) (см. чертеж) содержит модулированный по амплитуде СВЧ генератор 1, уровень выходной мощности которого регулируется блоком 2 автоматической регулировки мощности (АРМ).

Кроме того, МПИКО содержит ответвитель 3 падающей волны, измеряемое СВЧ устройство 4, детекторную головку 5, мостовой рефлектометр 6, управляемые делители напряжения 7 и 8, измеритель отношений 9, включающий микропроцессор, и аттенюатор 10. При этом выход СВЧ генератора 1 через первичный тракт ответвителя 3 падающей волны подключен ко входу мостового рефлектометра 6, другой вход которого соединен с клеммой Zx для подключения измеряемого СВЧ устройства 4. Вход детекторной головки 5 через аттенюатор 10 подключен к выходу вторичного тракта ответвителя 3 падающей волны, выход детекторной головки 5 подключен ко входу управляемого делителя 7 напряжения, выход которого соединен со входом блока 2 АРМ и опорным входом измерителя отношений 9, измерительный вход которого через управляемый делитель напряжений 8 соединен с выходом мостового рефлектометра 6.

В данном микропроцессорном панорамном измерителе КСВ и ослабления управление процессам измерения, обработки избирательной информации и вывода результатов измерения на экран ЭЛТ осуществляется с помощью микропроцессора, встроенного в измеритель отношений 9. Однако цепи управления и обработки результатов измерения на приведенном чертеже не показаны, как не существенные для заявляемого способа.

Процесс измерения в предлагаемом способе состоит из следующей последовательности операций;

- измерения модуля коэффициента отражения холостого хода

- измерения модуля коэффициента отражения короткозамыкателя (к клемме Zx подключен короткозамыкатель)

- измерения (или введения в память микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления) модуля коэффициента отражения согласованной нагрузки (Г3=0) (к клемме Zx подключена согласованная нагрузка)

- вычисление (с помощью микропроцессора микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления) частотной зависимости величины

- анализа частотной зависимости отношения

с целью определения частот f, на которых

где

- определения значения по формуле

при fkf≥ fi и величины ρ (f) по формуле

ρ (f)=ρ э(f)-А3(f),

- измерения модуля коэффициента отражения СВЧ устройства (к клемме Zx подключено измеряемое СВЧ устройство), вычисления величины

где

и анализа частотной зависимости величины в (22) с целью определения частот, на которых

Далее путем линейной интерполяции частотной зависимости ψ определяется функция cosψ для всего диапазона частот, в котором измеряется . Модуль коэффициента отражения определяется из формулы

Преимущество предлагаемого способа заключается в том, что за счет введения новых, по сравнению с прототипом, операций:

- измерения модуля коэффициента отражения согласованной нагрузки :

- определения значения из анализа частотной зависимости отношения (13);

- определения cosψ по частотной зависимости, представленной выражением (14), принимая, что cosψ =1 при max и cosψ =-1 при max и, позволяет с некоторой степенью приближения определить частотные зависимости собственных параметров микропроцессорного панорамного измерителя КСВ и ослабления , и разность фаз ψ и, подставляя их в выражения (14), уменьшить погрешность рассогласования, обусловленную влиянием параметров ρ и d на результат измерения (7) и являющуюся основной погрешностью измерения в микропроцессорном панорамном измерителе КСВ и ослабления, вследствие чего повышается точность измерения.

Экспериментальные исследования заявляемого способа доказали, что точность измерения повышается не менее чем в 1,5-2 раза.

Литература:

1. Елизаров А.С. Электрорадиоизмерения. - Минск: Высш. шк., 1986, с.271.

2. А.с. СССР 951181 кл. G 01 R 27/04, 1980.

3. а.с. СССР N 1322199, Кл. G 01 R 27/32, 1985.

4. Техника средств связи, сер. РИТ, 1980, вып.4, с.34-40.

5. Техническое описание прибора Р2-83, ЦЮ1.400.288 ТО.

Способ панорамного измерения модуля коэффициента отражения СВЧ двухполюсника основанный на подаче на вход измеряемого СВЧ двухполюсника падающего СВЧ сигнала, выделении отраженного СВЧ сигнала, квадратичном детектировании этих сигналов в постоянные напряжения, определении их отношения предварительном проведении указанных операций при подключении вместо исследуемого СВЧ двухполюсника нагрузки холостого хода, при этом определяют и при подключении вместо исследуемого СВЧ двухполюсника короткозамыкателя, при этом определяют и вычислении искомого параметра и по формуле:

отличающийся тем, что предварительно задают известной или определяют величину аналогично величине подсоединяя вместо исследуемого СВЧ двухполюсника согласованную нагрузку, а уточненное значение искомого параметра вычисляют по формуле:

где:

ρэ и ψэ - модуль и фаза вектора погрешности при измерении соsψ3 определяют из анализа частотной зависимости величины задаваемой выражением

ρ - приближенное значение модуля вектора погрешности ρэ при определении величин и значение ρ определяется из анализа частотной зависимости отношения принимаемого равным где ψ - фаза вектора погрешности р.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к измерениям радиофизических характеристик радиопоглощающих покрытий (РПП). .

Изобретение относится к технике измерений на сверхвысоких частотах (СВЧ) и может быть использовано при создании приборов и систем для определения параметров СВЧ-устройств с стандартных каналах и для антенных измерений.

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиопередающих устройствах. .

Изобретение относится к технике измерений на СВЧ и может быть использовано для измерения комплексного коэффициента отражения оконечных нагрузок в стандартных коаксиальных и волноводных каналах.

Изобретение относится к измерению электрических величин и может быть использовано в производстве существующих и новых поглощающих материалов типа углепластиков, применяется в СВЧ диапазоне, а также для контроля электрических параметров диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использованo для измерения полной входной проводимости антенн. .

Изобретение относится к тестовому блоку базовой станции для тестирования базовой станции в мобильной системе связи, в частности к способу для измерения коэффициента стоячей волны для передающей антенны и приемной антенны, который может тестировать радиоблок базовой станции.

Изобретение относится к области акустических и радиоизмерений и применяется для определения модуля и фазы коэффициента зеркального отражения листовых материалов и плоских поверхностей веществ.

Изобретение относится к радиоизмерительной технике и может быть использовано для измерений параметров материалов в сантиметровом, миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к радиолокации, и может быть использовано для измерения радиофизических характеристик (РФХ) радиопоглощающих покрытий (РПП)

Изобретение относится к радиолокации и может быть использовано для измерения коэффициента отражения по мощности К РПМ ( ц) в сверхширокой полосе частот при различных углах падения ц электромагнитной (ЭМ) волны на радиопоглощающий материал (РПМ)

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для измерения коэффициента отражения плоских образцов радиопоглощающего покрытия (РПП) в миллиметровом, сантиметровом и дециметровом диапазоне радиоволн

Изобретение относится к технике измерения на сверхвысоких частотах и предназначено для измерения коэффициента отражения плоских образцов радиопоглощающих материалов в дециметровом и метровом диапазонах длин радиоволн

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот (СВЧ), предназначено для измерения коэффициента отражения СВЧ нагрузок в миллиметровом, сантиметровом и дециметровом диапазоне радиоволн и может быть использовано для контроля в процессе производства коэффициента отражения отражающих материалов, например используемых для изготовления рефлекторов антенн

Заявлено устройство относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на СВЧ. Техническим результатом заявленного устройства выступает упрощение и повышение точности устройства для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на СВЧ и соответственно упрощение способа измерения. Технический результат достигается благодаря тому, что в устройство дополнительно введены четвертый электрический ключ - на входе измеряемого четырехполюсника, отрезок линии передачи - в интегральную схему, резистор - в ее цепь обратной связи, в качестве измерителя частотных характеристик используют измеритель модуля коэффициента отражения, при этом все четыре электрических ключа выполнены в виде полевых транзисторов с барьером Шотки, все три отрезка линии передачи выполнены длиной, равной одной восьмой длины волны в линии передачи, и волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии передачи на входе, сток четвертого полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на входе на расстоянии от входа измеряемого четырехполюсника, равном одной восьмой длины волны в линии передачи, исток соединен с одним концом дополнительного отрезка линии передачи, другой конец которого заземлен, сток первого полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на выходе на расстоянии от выхода измеряемого четырехполюсника, равном одной восьмой длины волны в линии передачи, исток соединен с одним концом одного отрезка линии передачи, другой конец которого заземлен, сток второго полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на выходе на расстоянии от выхода измеряемого четырехполюсника, равном одной четвертой длины волны в линии передачи, исток соединен с одним концом другого отрезка линии передачи, другой конец которого заземлен, сток третьего полевого транзистора с барьером Шотки в цепи обратной связи соединен с линией передачи на выходе измеряемого четырехполюсника, исток соединен с одним концом резистора цепи обратной связи, другой конец которого соединен с одним концом ее емкости, другой конец которой соединен с линией передачи на входе измеряемого четырехполюсника, а на затвор каждого из четырех полевых транзисторов с барьером Шотки подают постоянное управляющее напряжение от соответствующего источника постоянного управляющего напряжения. 4 ил.

Изобретение относится к технике измерений на сверхвысоких частотах. Согласно способу предварительно осуществляют калибровку с помощью плоского эталонного отражателя, затем перпендикулярно оси зеркала по середине расстояния Lфок между фазовым центром облучателя и фокусом зеркала устанавливают эталонный отражатель с известным коэффициентом отражения ГЭТ, измеряют коэффициент отражения S 11 Э Т ( f ) в той же полосе частот и определяют третий коэффициент A 3 Э Т обобщенного полинома P Э Т ( f ) = ∑ A n Э Т exp ( − j n 2 π f L ф о к / c ) , аппроксимирующего разность измеренных коэффициентов отражения, отнесенных к апертуре облучателя: P Э Т ( f ) ≈ ( S 11 Э Т ( f ) − S 11 И А ( f ) ) exp ( j 2 φ И О ( f ) ) , после чего вместо эталонного отражателя устанавливают испытуемый отражатель, измеряют коэффициент отражения на входе измерительной антенны S 11 И О ( f ) в той же полосе частот и определяют третий коэффициент полинома P И О ( f ) = ∑ A n И О exp ( − j n 2 π f L ф о к / c ) , аппроксимирующего разность коэффициентов отражения S 11 И О ( f ) − S 11 И А ( f ) , отнесенных к A 3 И С апертуре облучателя P Э Т ( f ) ≈ ( S 11 И О ( f ) − S 11 И А ( f ) ) exp ( j 2 φ И О ( f ) ) , коэффициент отражения ГИО испытуемого отражателя определяют по формуле Г И О = Г Э Т | A 3 И О | / | A 3 Э Т | 3 . Устройство измерения коэффициента отражения содержит измерительную антенну, эталонный плоский отражатель, прибор измерения комплексной амплитуды отраженного сигнала, СВЧ-кабель, вычислитель. При этом антенна выполнена в виде осесимметричного параболического зеркала с облучателем в его вершине, а на краю зеркала закреплен радиопрозрачный фиксатор с механизмом юстировки положения плоского отражателя. Технический результат изобретения - повышение точности измерения коэффициента отражения. 2 н.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к технике СВЧ измерений. Способ предлагает подачу через развязывающее устройство электромагнитного сигнала от генератора СВЧ на многоэлементный электроакустический преобразователь, нанесенный на кристаллический образец, засветку пучком света от лазера расположенных вдоль многоэлементного электроакустического преобразователя участков оптической среды, пропускная способность которых зависит от уровня поля стоячей электромагнитной волны в многоэлементном электроакустическом преобразователе, регистрацию распределения интенсивности света вдоль преобразователя после прохождения светом участков оптической среды и оценку распределения поля электромагнитной волны в многоэлементном электроакустическом преобразователе по зарегистрированной картине распределения интенсивности света. При этом посредством многоэлементного электроакустического преобразователя возбуждают упругие волны в кристаллическом образце, акустически соединенном с фотоупругой средой, обладающей высоким коэффициентом акустооптического качества и малым затуханием упругих волн, направляют эти волны в фотоупругую среду, фотоупругую среду освещают пучком света необходимой поляризации от лазера, направляя его на возбужденные отдельными элементами многоэлементного электроакустического преобразователя упругие волны под углом Брэгга, и затем регистрируют картину распределения интенсивности света. Технический результат - улучшение параметров преобразователя. 3 ил.

Изобретение относится к области радиолокационных, лазерных и акустических измерений и может использоваться для калибровки доплеровских радаров (лидаров, сонаров) и имитации изменения структуры отраженного сигнала. Заявленное устройство для имитации доплеровского сдвига частоты отраженного сигнала включает антенну, тракт с расположенным на расстоянии четверть длины волны от конца тракта короткозамыкающим pin-диодом, который управляется мультивибратором, причем антенна и тракт делятся пополам и во вторую половину вводится управляемый тем же мультивибратором дополнительный короткозамыкающий pin-диод, расположенный на расстоянии четверть длины волны от конца и сдвинутый по длине тракта на одну восьмую длины волны относительно исходного pin-диода. Техническим результатом является подавление второй (зеркальной) доплеровской компоненты. 5 ил.
Наверх