Патент ссср 233103

 

ОПИСАНИЕ 233ЮЗ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ

Союз Соеетских

Социалистических

Республик Ф т

Зависимое от авт. свидетельства М

Кл, 21g, 11/02

Заявлено 29.1Ъ".1967 (№ 1156461 26-25) с присоединением заявки М

Приоритет

МПК Н Oll

УДК 621.382(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 18.Xll 1968. Бюллетень М 2 за 1969 г.

Дата опубликования описания 17.IV.1969

Автор изобретения

П. О. Грибовский

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКОЙ ТВЕРДОЙ СХЕМЫ

Изобретение относится к области производства твердых интегральных схем.

Известны способы производства интегральных схем на основе пленочной или планарной технологии, основным недостатком которых является большая трудоемкость и недостаточный выход готовых изделий.

Предложенный способ заключается в том, что радиоэлектронное устройство выполняется в виде моноблока твердого тела, состоящего из керамических радиоэлементов (конденсаторов, сопротивлений, пьезокерамических резонаторов — трансформаторов, пьезокерамических фильтров, ферритовых деталей и т. д., и т. п.), объединенных в монолитное твердое тело диэлектриком (например, стеклом, ситаллом, керамикой и т. п,).

На поверхность этого твердого тела наносятся токопроводящие пленки, соединяющие все элементы по заданной электрической схеме.

На поверхность твердого тела могут быть дополнительно нанесены также различные пленочные элементы (резисторы, диоды и т. п.) любым известным методом (например, термическим испарением в вакууме и т. д.).

Технологический процесс изготовления радиоэлектронных устройств по предлагаемому способу в виде моноблока твердого тела осуществляется следующим образом: по заданной электрической схеме устройства подбирается комплект необходимых миниатюрных керамических радноэлементов (без корпусов, арматуры, проволочных выводов н т. п.), например конденсаторы типа КЛГ, дисковыс пьсзокерамические резонаторы в виде керамической твердой схемы, керамического сопротивления, керамические фильтры и т. д. Этн элементы устанавливаются в определенном порядке, обеспечива|ощем возможность нх коммутации по заданной электрической схеме.

Установка элементов производится либо в специальную металлическую форму для литья, либо на твердую (металлическую. керамическую и т. п.) органи вескую пластину (бумагу, кальку, целлофан и т, п.), к которой элементы приклеиваются любым органическим клеем, а затем пластина с элементами устанавливается в металлическую форму для литья.

20 Установка элементов в форму производится по фиксирующим шпилькам. Ориентация пластины с наклеенными на нес элемснтамн прп установке в форму производится по обойме.

Форма с установленными в ней элсментамн заливается с помощью машины для литья под давлением расплавом шлнкера (прн 60—

110=С), представляющим собой смесь порошка диэлектрика (напрнмер, стекла, снталла, 30 керамики и т. п.) с органическим термопла20

Предмет изобретения

Составитель А. Б. Кот

Техред Л. К. Малова

Корректор Л. В. Юшина

Редактор Е. Семанова

Заказ 48874 Тираж 437 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр, Сапунова, 2 стичным веществом (например, парафином, воском и т. п.).

Шликер охлаждается в форме, отвердевае, и в нем оказываются заармированными все установленные радиоэлементы.

Отливка с радиоэлементами, имеющая конфигурацию внутренней полости формы, извлекается из формы и подвергается термической обработке с целью удаления органической связки и спекания частиц порошка диэлектрика (стекла, ситалла и т. п.) в моноблок твердого тела. При этом материал диэлектрика выбирается таким образом, чтобы его коэффициент термического расширения был близок

КТР элементов, а температура спекания ниже температуры разрушения элементов.

Термическая обработка осуществляется путем установки отливки на пористую огнеупорную подставку и нагревания до температуры спекания или любым другим известным способом.

После термической обработки получается плотное монолитное изделие из спекшегося материала (диэлектрика) и вмонтированных («впеченных») в него керамических радиоэлементов. На поверхности этого изделия, которое может иметь различную форму, например пластины, наносятся необходимые коммутирующие и другие пленки любым известным методом, например «вжиганием» серебряной пасты, термическим испарением в вакууме ит. п.

В случае нанесения тонких пленок методом термического вакуумного испарения или катодного напыления соответствующие поверхности полученного моноблока (изделия) подвергаются глазурованию нли доводке до необходимой чистоты поверхности.

В целях устранения трудоемких операций шлифовки и доводки поверхностей твердой схемы и нанесения на нее токопроводящих и резистивных пленок может применяться следующий процесс на органическую пластину (бумагу, кальку и т. п.): до приклейки к ней радиоэлементов наносятся любым методом (кистью, шелкографией, пульверизатором через трафарет и т. д.) токопроводящие линии (например, серебряная паста и т. п.) и сопротивления (например, паста из смеси палладия со стеклом на органической связке и т. п.), после этого к пленке приклеиваются радиоэлементы, а затем производится заливка шликером, термообработка и остальные операции по вышеописанной технологии.

Предложенный способ изготовления радиоэлектродных устройств в виде керамических твердых схем обеспечивает повышение их надежности и уменьшение веса и габаритов.

1. Способ получения керамической твердой схемы в виде моноблока керамических элементов с помощью заливки этих элементов диэлектриком н нанесением на поверхность полученного моноблока твердого тела электродов и других пленочных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения надеж30 ности при уменьшении веса и габаритов керамической схемы, заливку производят расплавом порошка ситалла, стекла или керамики с термопластичной связкой в металлической форме, с последующей термообработкой до по35 лучения моноблока твердого тела, 2, Способ по и. 1, отличающийся тем, что перед установкой в металлическую форму керамические элементы наклеивают в соответ40 ствии с электрической схемой на подложку.