С подложкой из неполупроводника, например диэлектрика (H01L27/12)
H Электричество(232322)
H01L27/12 С подложкой из неполупроводника, например диэлектрика(14)
Интегральная схема свч // 2782187
Изобретение относится к электронной технике СВЧ и может быть использовано в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР) наземного, морского, воздушного и космического базирования.
Интегральная схема свч // 2782184
Изобретение может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР). Интегральная схема СВЧ содержит диэлектрическую подложку, на лицевой и обратной сторонах выполнено металлизационное покрытие, при этом на лицевой стороне покрытие локальное, на лицевой стороне подложки расположены пассивные элементы, линии передачи, выводы, по меньшей мере, один кристалл активного элемента, контактные площадки кристалла активного элемента, в подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, элементы интегральной схемы выполнены и соединены электрически согласно ее заданной топологии и электрической схеме, при этом подложка выполнена из карбида кремния, металлизационное покрытие на обратной стороне подложки выполнено сплошным, сквозное отверстие металлизировано, на контактных площадках кристалла активного элемента выполнен проводящий слой, содержащий олово и золото, посредством которого лицевая сторона кристалла активного элемента соединена с контактными площадками кристалла активного элемента.
Подложка дисплея и устройство отображения // 2779413
Подложка дисплея и устройство отображения. Подложка дисплея содержит базовую подложку и множество подпикселей, размещенных в виде матрицы на базовой подложке.
Дисплейная подложка и дисплейное устройство // 2778835
Предложены дисплейная подложка (10) и дисплейное устройство (30). Дисплейная подложка (10) содержит первую электропроводную структуру (110), имеющую противоположные первую поверхность (111) и третью поверхность (113) и противоположные вторую поверхность (112) и четвертую поверхность (114), причем первая поверхность и вторая поверхность выполнены из одного и того же материала.
Гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2778281
Изобретение относится к области электронной техники. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона выполнена в виде многослойной печатной платы, которая установлена на дне металлического корпуса с крышкой и электрически соединена с ним, плата выполнена с топологическим рисунком проводников металлизации по крайней мере на одной из сторон каждого диэлектрического слоя многослойной печатной платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя; с навесными компонентами, в том числе активным генераторным компонентом и активным управляющим компонентом, расположенными на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя, а также коаксиальным диэлектрическим резонатором, выводы которых электрически соединены с топологическим рисунком проводников металлизации верхнего диэлектрического слоя многослойной платы и которые в совокупности образуют генератор, управляемый напряжением; коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией платы; по меньшей мере один коаксиальный выход на торцевой поверхности, обращенной к указанным активным компонентам, электрически соединен с активными генераторным и управляющим компонентами через проводники топологического рисунка металлизации, имеющими в своем составе емкостные связи, при этом в многослойной печатной плате выполнено отверстие, соразмерное расположенному в нем диэлектрическому коаксиальному резонатору, который установлен на дне металлического корпуса и электрически соединен с дном корпуса металлизацией своей боковой поверхности; часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, соединяющая активные генераторный и управляющий компоненты с коаксиальным выходом коаксиального диэлектрического резонатора, расположена на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора и электрически соединена с пленочными проводниками топологического рисунка, расположенного на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя многослойной платы, и имеет в своем составе емкостные связи, причем емкостная связь между пленочным проводником соединения генераторного компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде по меньшей мере одного зазора шириной 0,035-0,055 мм, а емкостная связь между боковой стороной пленочного проводника соединения управляющего компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде зазора шириной 0,16-0,24 мм.
Гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2777532
Изобретение относится к области электронной техники. В известной конструкции гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, которая установлена на дне металлического корпуса с крышкой и электрически соединена с ним, плата выполнена: с топологическим рисунком проводников металлизации, по крайней мере, на одной из сторон каждого диэлектрического слоя многослойной печатной платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя, с навесными компонентами, в том числе активным генераторным компонентом, активным управляющим компонентом, и коаксиальным диэлектрическим резонатором, расположенными на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя и электрически соединенными с его топологическим рисунком проводников металлизации, образующими генератор, управляемый напряжением; обратная сторона верхнего диэлектрического слоя многослойной платы также имеет экранную заземляющую металлизацию, по меньшей мере, на части, занятой генератором, управляемым напряжением, коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией через топологический рисунок проводников металлизации верхнего диэлектрического слоя, и, по меньшей мере, один коаксиальный выход на торцевой поверхности, обращенной к указанным активным компонентам, который электрически соединен с активными генераторным и управляющим компонентами через проводники топологического рисунка металлизации, имеющими в своем составе емкостные связи.
Отделение опорных пластин // 2763361
Изобретение относится к технологии обработки сборного изделия, включающей временную поддержку сборного изделия между двумя опорными пластинами, приклеенными к изделию с возможностью отделения. Технология включает: предоставление сборного изделия, временно приклеенного на противоположных сторонах к соответствующим опорным пластинам соответствующими клейкими элементами, причем указанное сборное изделие содержит по меньшей мере одну пластиковую подложку; нагрев сборного изделия во время механического сжатия указанного сборного изделия между опорными пластинами, причем прочность склейки одного из указанных клейких элементов с соответствующей опорной пластиной и/или сборным изделием частично уменьшается во время указанного нагрева сборного изделия при механическом сжатии; и при этом прочность склейки указанного клейкого элемента с соответствующей опорной пластиной и/или сборным изделием может быть дополнительно уменьшена путем дополнительного нагрева указанного клейкого элемента после частичного или полного снятия давления, под которым сборное изделие механически сжимается между указанными двумя опорными пластинами.
Подложка дисплея и способ ее изготовления // 2759445
Изобретения относятся к области технологии отображения, в частности к подложке дисплея и способу ее изготовления. Подложка дисплея содержит подложку; первый электрод, расположенный на подложке; и выпуклость, расположенную на первом электроде, при этом соотношение между размером поперечного сечения выпуклости в плоскости, параллельной подложке, и расстоянием от указанного поперечного сечения до поверхности первого электрода имеет отрицательный коэффициент корреляции, при этом выпуклость включает в себя первую часть и вторую часть, покрывающую первую часть, в которой ортогональная проекция первой части на подложку находится в пределах ортогональной проекции первого электрода на подложку, вторая часть контактирует с первым электродом, поверхность второй части, удаленная от подложки, соответствует поверхности первой части, удаленной от подложки, и первая часть состоит из диэлектрического материала, а вторая часть состоит из электропроводящего материала.
Изобретения относятся к устройствам отображения изображения. Матричная подложка содержит базовую подложку, содержащую множество пиксельных областей, множество тонкопленочных транзисторов, распределенных в соответствующих пиксельных областях, при этом каждый из тонкопленочных транзисторов содержит активный слой, расположенный на подложке; электрод затвора, расположенный на базовой подложке, причем активный слой и электрод затвора уложены один поверх другого; электрод истока, расположенный над электродом затвора, причем электрод истока электрически соединен с активным слоем через первое сквозное отверстие; электрод стока, расположенный над электродом затвора, причем электрод стока электрически соединен с активным слоем через второе сквозное отверстие, при этом электрод стока содержит первый участок, расположенный во втором сквозном отверстии; пассивирующий слой, расположенный на электродах истока и электродах стока, множество электродов пикселей, распределенных в соответствующих пиксельных областях, причем каждый из электродов пикселей электрически соединен с соответствующим одним из электродов стока через соответствующее третье сквозное отверстие, при этом электрод пикселя в каждой из пиксельных областей содержит два отдельных первых участка, расположенных в третьем сквозном отверстии, и второй участок, соединяющий два первых участка, два первых участка электрода пикселя находятся на двух противоположных сторонах второго сквозного отверстия, соответственно.
Подложки матрицы и способы их изготовления // 2688814
Изобретение относится к подложке матрицы и способу ее изготовления. Способ изготовления подложки матрицы включает: осаждение проводящего слоя на подложку и применение первой маски для травления проводящего слоя с формированием трех электродов тонкопленочного транзистора, первой сигнальной линии и второй сигнальной линии, причем первая сигнальная линия содержит первую часть и вторую часть, разделенные и расположенные с каждой стороны второй сигнальной линии, последовательное осаждение промежуточных слоев и применение второй маски при травлении промежуточных слове с формированием первой соединительной перемычки, соединяющей первую часть и вторую часть, осаждение проводящего электрода и применение третьей маски при травлении проводящего электрода с формированием электрода пикселя и соединительной линии, электрически соединенной с первой частью и второй частью.
Предлагаются способ изготовления и оборудование для изготовления подложки тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления после формирования затвора и изолирующего слоя затвора тонкопленочного транзистора последовательно наносятся полупроводниковый слой и первый защитный слой.
Схема goa и жидкокристаллический дисплей // 2669520
Изобретение относится к области жидкокристаллических устройств отображения. Технический результат заключается в снижении энергопотребления жидкокристаллических устройств отображения.
Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает область расположения электродов пикселей, область расположения электродов данных, прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой аморфного кремния, второй металлический слой, второй диэлектрический слой, сформированные в области расположения электродов пикселей и области расположения электродов данных.
Группа изобретений относится к области полупроводниковых устройств. Способ подавления токов утечки в устройстве, содержащем структурированный проводящий слой, образующий цепь электрода истока и цепь электрода стока для множества транзисторов, полупроводниковый слой, обеспечивающий соответствующий полупроводниковый канал для каждого транзистора между цепью электрода истока и цепью электрода стока, и цепь электрода затвора, покрывающую полупроводниковые каналы множества транзисторных устройств для переключения полупроводниковых каналов между двумя или более уровнями проводимости, при этом указанный способ содержит применение одного или более дополнительных проводников, независимых от указанной цепи электрода затвора, для емкостного индуцирования уменьшения проводимости указанных одной или более областей указанного полупроводникового слоя за пределами указанных полупроводниковых каналов.
Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку.
Разводка матрицы транзисторов // 2660318
Использование: для создания массива транзисторов. Сущность изобретения заключается в том, что устройство, представляющее собой массив транзисторов, содержит первый проводящий слой, находящийся на первом уровне и задающий множество первых проводников, образующих электроды затвора или истока для указанного массива транзисторов, и второй проводящий слой, находящийся на втором уровне и задающий множество вторых проводников, образующих другие электроды истока или затвора для указанного массива транзисторов, при этом второй проводящий слой дополнительно задает проводники разводки, расположенные в одной или более зонах между вторыми проводниками, а каждый проводник разводки соединен посредством одной или более межслоевых проводящих перемычек с соответствующим первым проводником.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик.
Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии.
Интегральная схема свч // 2556271
Изобретение относится к интегральным схемам СВЧ и может быть использовано в электронной технике СВЧ. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, выполненную из алмаза, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, на обратной стороне диэлектрической подложки выполнено металлизационное покрытие, при этом элементы интегральной схемы электрически соединены и заземлены согласно ее электрической схемы.
Многокристальный модуль // 2140688
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых микросхем. .
Полевой транзистор // 2029415
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники и, в частности, полностью сверхпроводниковых интегральных схем. .
Гибридная интегральная схема // 1808148
Прибор с интегральной схемой // 679168
Полупроводниковое устройство // 243076
