Устройство для диагностирования ис озу

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

Владельцы патента RU 2316012:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)

Предложенное изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных схем (ИС) оперативно запоминающих устройств (ОЗУ), а также для причин их отказов. Цель изобретения - повышение точности диагностики и увеличение функциональных возможностей контроля полупроводниковых изделий с использованием информационно-энергетического метода. Устройство для диагностирования интегральных схем оперативно запоминающих устройств состоит из блока задания режима воздействия, выход которого соединен с входом исследуемой ИС, электронно-вычислительной машины (ЭВМ), монитора, платы сопряжения ИС с ЭВМ, платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ, блока управления и запуска, причем выход исследуемой ИС соединен с входом платы сопряжения ИС с ЭВМ, а выход платы сопряжения ИС с ЭВМ - с ЭВМ, при этом выход блока задания режима воздействия соединен с входом платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ, а выход платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ - с ЭВМ, причем ЭВМ соединена с входом блока управления и запуска, а выход блока управления и запуска - с входом блока задания режима воздействия. 1 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных схем оперативно запоминающих устройств (ИС ОЗУ), а также для причин их отказов.

Известно множество диагностических методов контроля качества и надежности ИС (НЧ шум, интегральные ВАХ, m-характеристики и др.). Преимуществом информационно-энергетического метода для диагностики ИС ОЗУ являются большие функциональные возможности [1].

Наиболее близким является устройство, предложенное в источнике [2]. Структурная схема устройства для диагностики информационно-энергетическим методом, предлагаемая в источнике [2], является установкой аналогового типа, состоящей из блока задания воздействия, эталонной ИС, блока вычитания, преобразователя ток-напряжение, интегратора, аналогового запоминающего устройства, компаратора и блока результатов и контроля. Результаты компарирования обрабатываются блоком контроля по принципу "годен - брак". При этом контроль производится в каждом цикле (записи) или считывания при обращении к каждой ячейке, т.е. просматривается вся матрица ОЗУ (все ячейки памяти). Недостатком данной установки является большая погрешность измерений и невозможность автоматизирования процесса измерений.

Цель изобретения - повышение точности диагностики и увеличение функциональных возможностей контроля ППИ с использованием информационно-энергетического метода.

Это достигается введением дополнительно платы сопряжения ИС с ЭВМ, платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ, блока управления и запуска и применением ЭВМ.

Предлагаемая схема установки лишена указанных недостатков. Блок-схема изображена на чертеже. Она состоит из блока задания режима воздействия типа бегущий "0" или бегущая "1" 1, блока управления и запуска 2, исследуемой ИС 3, платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ 4, платы сопряжения ИС с электронно-вычислительной машиной (ЭВМ) 5, ЭВМ 6 и монитора 7.

Устройство для диагностирования ИС ОЗУ, состоящее из блока задания режима воздействия 1, выход которого соединен с входом исследуемой ИС 3, ЭВМ 6 и монитора 7, при этом дополнительно введены плата сопряжения ИС с ЭВМ 5, платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ 4, блока управления и запуска 2, причем выход исследуемой ИС соединен с входом платы сопряжения ИС с ЭВМ, а выход платы сопряжения ИС с ЭВМ - с ЭВМ, при этом выход блока задания режима воздействия соединен с входом платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ, а выход платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ - с ЭВМ, причем ЭВМ соединена с входом блока управления и запуска, а выход блока управления и запуска - с входом блока задания режима воздействия.

Преимуществом предложенной схемы устройства является то, что возможно накопление информации по конкретному типу исследуемой ИС ОЗУ, т.е. создание базы данных, что невозможно при использовании установки по аналоговому способу реализации информационно-энергетического метода. Также возможно применение современных статистических методов обработки полученных результатов, таких как определение коэффициентов корреляции, регрессионный анализ, применение метода наименьших квадратов и др.

Устройство работает следующим образом: на исследуемую ИС ОЗУ 3 с блока задания режима воздействия 1, управляемого блоком управления и запуска 2, вход которого соединен с ЭВМ и управляется ЭВМ в соответствии с программой, поступает тестовая последовательность типа бегущий 0 или бегущая 1, которая также поступает на ЭВМ 6, через плату сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ 4, с ИС 3 сигнал поступает в ЭВМ 6 через плату сопряжения 5. В ЭВМ 6 в соответствии с написанной программой выходные сигналы с испытуемой ИС 3 и с блока задания режима воздействия 1 вычитаются и дальнейшей обработке подвергается эта разность сигналов. Работа устройства состоит из двух этапов. На первом этапе накапливается статистика и формируется эталонная ИС, а на втором - производится разделение ИС в соответствии с заданными значениями параметров.

Источники информации

1. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства. Минск, 1997 г., 390 с.

2. РД 11 0682-89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля диагностических параметров.

Устройство для диагностирования интегральных схем оперативно-запоминающих устройств (ИС ОЗУ), состоящее из блока задания режима воздействия, выход которого соединен с входом исследуемой ИС, электронно-вычислительной машины (ЭВМ) и монитора, отличающееся тем, что дополнительно введены плата сопряжения ИС с ЭВМ, платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ, блока управления и запуска, причем выход исследуемой ИС соединен с входом платы сопряжения ИС с ЭВМ, а выход платы сопряжения ИС с ЭВМ - с ЭВМ, при этом выход блока задания режима воздействия соединен с входом платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ, а выход платы сопряжения блока задания режима воздействия с ЭВМ - с ЭВМ, причем ЭВМ соединена с входом блока управления и запуска, а выход блока управления и запуска - с входом блока задания режима воздействия.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных аналоговых интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры.

Переключающее устройство // 2310878

Изобретение относится к тестированию функциональной способности электронного переключателя. .

Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности // 2309418

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения.

Способ определения потенциально ненадежных биполярных транзисторов // 2309417

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению надежности партий биполярных транзисторов за счет определения потенциально ненадежных приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения.

Устройство для контроля полупроводниковых изделий по производным вольт-амперных характеристик // 2308732

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) (диодов, транзисторов, интегральных схем), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя.

Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых изделий на пластине // 2307369

Способ неразрушающего контроля устойчивости к вторичному пробою мощных мдп-транзисторов // 2307368

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов. .

Способ выделения из партии варикапов группы приборов повышенной надежности // 2303790

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности варикапов, и может быть использовано для отбраковки потенциально ненадежных приборов, а также для выделения приборов повышенной надежности как на этапе производства, так и на этапе применения.

Способ определения коэффициента шума свч- и квч-транзисторов // 2303270

Изобретение относится к методам диагностики шумовых и динамических параметров сверхбыстродействующих полевых СВЧ- и КВЧ-транзисторов. .

Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении // 2300115

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении и может быть использовано для контроля их качества.

Способ разбраковки полупроводниковых изделий на пластине // 2316013

Способ сравнительной оценки стойкости партий биполярных транзисторов к электростатическому разряду // 2317560

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю полупроводниковых приборов

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках // 2318218

Способ разделения интегральных схем по надежности // 2324194

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам разделения партии интегральных схем (ИС) на надежные и потенциально ненадежные схемы

Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий // 2326394

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу повышения надежности партий полупроводниковых изделий (ППИ) в процессе серийного производства

Способ измерения температурных коэффициентов температурочувствительных параметров силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении // 2326395

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к технике измерения параметров полупроводниковых приборов

Способ определения времени жизни электронов в активной области полупроводникового инжекционного лазерного диода // 2330299

Изобретение относится к области оптических информационных технологий, в частности к методам диагностики динамических параметров лазеров, используемых в волоконно-оптических линиях связи и определяющих скорость передачи импульсно-кодовой информации

Способ определения электрофизических параметров полупроводников // 2330300

Изобретение относится к технике контроля полупроводников

Способ неразрушающего контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых изделий // 2331898

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано при контроле микросхем и полупроводниковых приборов

Устройство для регистрации коэффициента неидеальности экспоненциальных вольт-амперных характеристик полупроводниковых изделий // 2332678

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для контроля экспоненциальных вольт-амперных характеристик (ВАХ), и может быть использовано для регистрации коэффициента неидеальности полупроводниковых изделий (ППИ), т.е