Способ (варианты) и система (варианты) для обработки подложек полупроводниковых приборов

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и микросхем. Сущность изобретения: предложены способы и системы обработки подложек для полупроводниковых приборов с созданием мениска жидкости, перемещаемого с первой поверхности на расположенную рядом параллельную ей вторую поверхность. Предлагаемые в изобретении систему и способ можно также использовать для перемещения мениска вдоль края подложки. Изобретение обеспечивает эффективную очистку и сушку поверхностей и краев полупроводниковых пластин при одновременном снижении количества образующихся на поверхности пластины капелек воды или моющей жидкости, которые после испарения оставляют на поверхности и крае пластины следы грязи. 7 н. и 12 з.п. ф-лы, 20 ил.

 

Текст описания приведен в факсимильном виде.

1. Способ обработки подложки для полупроводниковых приборов с созданием мениска жидкости, перемещаемого с первой поверхности на вторую поверхность, при осуществлении которого формируют мениск между первой поверхностью и бесконтактной головкой, имеющей поверхность головки, которую размещают в основном параллельно указанным первой и второй поверхностям и в которой выполнено несколько отводящих отверстий и несколько подводящих отверстий, при этом инжектируют выбранную жидкость из первой группы отверстий между указанной поверхностью головки и первой поверхностью и создают разрежение во второй группе отверстий между поверхностью головки и первой поверхностью, и перемещают мениск с первой поверхности на вторую поверхность, расположенную рядом и в одной плоскости с первой поверхностью.

2. Способ по п.1, в котором при перемещении мениска с первой поверхности на вторую поверхность первую часть мениска удерживают между первой частью указанной поверхности головки и первой поверхностью, а вторую часть мениска удерживают между второй частью поверхности головки и второй поверхностью.

3. Способ по п.1, в котором мениск также перемещают со второй поверхности на первую поверхность.

4. Система для обработки подложки для полупроводниковых приборов с созданием мениска жидкости, включающая первую поверхность, вторую поверхность, которая расположена по существу в одной плоскости с первой поверхностью, и подвижную бесконтактную головку, установленную с возможностью перемещения в первом направлении по существу перпендикулярно первой и второй поверхностям и во втором направлении по существу параллельно первой и второй поверхностям и возможностью формирования мениска между бесконтактной головкой и по меньшей мере одной из первой или второй поверхностей, причем бесконтактная головка имеет поверхность головки, размещаемую в основном параллельно первой и второй поверхностям и в которой выполнено несколько отводящих отверстий и несколько подводящих отверстий с возможностью при формировании мениска инжектирования выбранной жидкости из нескольких подводящих отверстий между указанной поверхностью головки и первой поверхностью и создания разрежения в нескольких отводящих отверстиях между поверхностью головки и первой поверхностью.

5. Система по п.4, в которой вторая поверхность представляет собой подложку, а первая поверхность выполнена в виде пластины, расположенной сбоку и в основном вокруг подложки.

6. Способ обработки подложки для полупроводниковых приборов с созданием мениска жидкости, имеющего оптимизированный градиент поверхностного натяжения, при осуществлении которого выбирают первый материал для изготовления первой поверхности, выбирают второй материал для изготовления второй поверхности, отличающийся по своим гидрофильным свойствам от первого материала, причем первая поверхность является поверхностью бесконтактной головки, а вторая поверхность - подложкой, и бесконтактная головка имеет поверхность головки, в которой выполнено несколько отводящих отверстий и несколько подводящих отверстий, и формируют мениск между первой и второй поверхностями.

7. Система обработки подложки для полупроводниковых приборов с созданием мениска жидкости, имеющего оптимизированный градиент поверхностного натяжения, включающая первую поверхность, изготовленную из первого материала, и вторую поверхность, изготовленную из второго материала, который по своим гидрофильным свойствам отличается от первого материала, и расположенную по существу параллельно первой поверхности рядом с ней, причем первая поверхность является поверхностью бесконтактной головки, способной формировать мениск между этой поверхностью головки и второй поверхностью и имеющей несколько отводящих отверстий и несколько подводящих отверстий, выполненных в поверхности головки с возможностью формирования мениска, включающего инжектирование выбранной жидкости из нескольких подводящих отверстий между указанной поверхностью головки и первой поверхностью и создания разрежения в нескольких отводящих отверстиях между поверхностью головки и первой поверхностью.

8. Способ обработки подложки для полупроводниковых приборов с созданием мениска жидкости для обработки края подложки, при осуществлении которого формируют мениск в вогнутой части бесконтактной головки, в которую может входить по меньшей мере часть края подложки, причем эта вогнутая часть головки имеет поверхность головки, в которой выполнено несколько отводящих отверстий и несколько подводящих отверстий, при этом инжектируют выбранную жидкость из нескольких подводящих отверстий в вогнутую часть головки и создают разрежение в нескольких отводящих отверстиях в вогнутой части головки,

и перемещают мениск на край подложки, так что передний край мениска разделяется на две части, первая из которых удерживается между верхней поверхностью подложки и соответствующей верхней частью внутренней поверхности головки, а вторая удерживается между нижней поверхностью подложки и соответствующей нижней частью внутренней поверхности головки.

9. Способ по п.8, при осуществлении которого подложку опирают на расположенный сбоку от нее ролик, включающий указанную бесконтактную головку, посредством которой сформированный ею мениск затем перемещают на край подложки.

10. Способ по п.9, в котором мениск удаляют с края подложки.

11. Способ по п.8, в котором при перемещении мениска увеличивают его размеры.

12. Способ по п.8, в котором подложка имеет форму круга с проходящим по окружности краем подложки, по меньшей мере часть которого входит внутрь мениска.

13. Способ по п.8, в котором осуществляют перемещение края подложки относительно бесконтактной головки, так что мениск перемещается вдоль края подложки.

14. Способ по п.8, в котором мениск удаляют с края подложки, так что первая и вторая части переднего края мениска смыкаются и снова образуют передний край мениска.

15. Способ по п.8, в котором подложка имеет форму круга с проходящим по окружности краем подложки, при этом мениск формируют на дуге вокруг по меньшей мере части окружности подложки.

16. Система для обработки подложки для полупроводниковых приборов с созданием мениска жидкости для обработки края подложки, включающая расположенный сбоку от подложки ролик, первую расположенную на ролике в непосредственной близости от края подложки формирующую мениск бесконтактную головку, которая имеет вогнутый участок, внутрь которого может входить край подложки, и множество открытых на вогнутой части головки каналов, по меньшей мере через один из которых инжектируют жидкость, по меньшей мере один из них используют для создания разрежения и по меньшей мере еще один из них используют для регулирования поверхностного натяжения мениска.

17. Система по п.16, в которой подложка имеет форму круга с проходящим по окружности краем подложки, а первая бесконтактная головка способна формировать мениск, который охватывает по меньшей мере часть окружности подложки.

18. Система для обработки подложки для полупроводниковых приборов с созданием мениска жидкости для обработки края подложки, включающая бесконтактную головку, которая имеет вогнутый участок, внутрь которого может входить край подложки, и множество открытых на вогнутой части бесконтактной головки каналов, по меньшей мере через один из которых инжектируют жидкость, по меньшей мере два или несколько из них используют для создания разрежения и по меньшей мере еще один из них используют для регулирования поверхностного натяжения мениска.

19. Система по п.18, в которой подложка имеет форму круга с проходящим по окружности краем подложки, а бесконтактная головка имеет поверхность изогнутой формы, расположенную вокруг по меньшей мере части окружности подложки.

Приоритет по пунктам:

31.03.2003 - пп.1-7;

24.06.2003 - пп.8-19.