Способ снятия фоторезиста

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к снятию фоторезиста в процессе формирования защитной пленки из полиимида структуры мощного транзистора. Сущность изобретения: в способе снятия фоторезиста, включающем травление пленки фоторезиста с кремниевых пластин обработкой в травителе, состоящем из ацетона и диметилформамида, травление пленки фоторезиста проводят при соотношении компонентов: ацетон (СН₃СООСН₃) и диметилформамид ((CH₃)₂NCOH) соответственно 2:1 при комнатной температуре и времени травления 2±1 мин, при этом контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек составляет не более 5 штук. Техническим результатом изобретения является полное снятие фоторезиста, снижение температуры процесса и уменьшение времени травления.

 

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к снятию фоторезиста с полиимида в процессе формирования защитной пленки из полиимида структуры мощного транзистора.

Известны органические растворители для снятия фоторезиста: диметилформамид, трихлорэтилен и др. [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление фоторезиста, наличие остатков, высокая температура, длительность процесса.

Техническим результатом изобретения является полное снятие фоторезиста, снижение температуры процесса и уменьшение времени травления.

Технический результат достигается использованием травителя, в состав которого входят следующие основные компоненты ацетон и диметилформамид в соотношении 2:1.

Сущность способа заключается в том, что при травлении фоторезиста происходит полное снятие фоторезиста с поверхности кремниевых пластин за счет добавления ацетона в диметилформамид, которое проводят при низких температурах, и при этом время удаления пленки фоторезиста уменьшается. Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки, в металлических ваннах с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов (ацетон и диметилформамид):

Температура травителя 70±5°С, время травления 5±1 мин.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек не более 10 штук.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:

Температура травителя 60±5°С, время травления 4±1 мин.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек составляет не более 8 штук.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:

Температура травителя комнатная, время травления 2±1 мин.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек составляет не более 5 штук.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:

Температура травителя 50±5°С, время травления 1±1 мин.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек составляет более 5 штук.

Таким образом, заявленный способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное снятие фоторезиста при более низкой температуре и при меньшем времени травления.

Источники информации

1. З.Ю.Готра. Технология микроэлектронных устройств. М., «Радио и связь», 1991, стр.352-353.

Способ снятия фоторезиста, включающий травление пленки фоторезиста с кремниевых пластин обработкой в травителе, состоящем из ацетона и диметилформамида, отличающийся тем, что травление пленки фоторезиста проводят при соотношении компонентов: ацетон (СН₃СООСН₃) и диметилформамид ((CH₃)₂NCOH), соответственно 2:1 при комнатной температуре и времени травления 2±1 мин, при этом контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек составляет не более 5 штук.