Способ захвата полупроводниковых пластин для загрузки и выгрузки


 

H01L21/67 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Владельцы патента RU 2404480:

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе захвата полупроводниковых пластин для загрузки и выгрузки захват производится следующим образом: вакуум поступает во фторопластовую трубку 3, далее он поступает на лопатообразный фторопластовый наконечник 1, нажатием клапана 4 вакуум подается через отверстия 2 на пластину, подача вакуума регулируется с помощью клапана 4, вакуум подается при давлении 0,8 кг/см2, количество отверстий на наконечнике 5, диаметр отверстий 3 мм. Изобретение устраняет возможность касания металлом поверхности полупроводниковых пластин, обеспечивает снижение царапин и сколов при загрузке-выгрузке, а также обеспечивает полный охват полупроводниковых пластин и увеличение процента выхода годных. 1 ил.

 

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности для захвата полупроводниковых пластин в процессах загрузки и выгрузки в пропиленовые, фторопластовые и транспортные кассеты, а также для контроля под микроскопом и лучом сфокусированного света.

Известны различные способы захвата пластин для загрузки и выгрузки, а также для контроля полупроводниковых пластин в технологии кремниевых транзисторных структур: металлические пинцеты, металлические пинцеты с фторопластовыми наконечниками и др. [1].

Недостатками этих способов является образование царапин и сколов на поверхности полупроводниковых пластин; пинцет не полностью охватывает поверхность пластин, что приводит к образованию микротрещин и разламыванию пластин.

Целью данного изобретения является устранение касания металла поверхности полупроводниковых пластин, снижение царапин и сколов при загрузке-выгрузке, а также обеспечение полного схватывания поверхности полупроводниковых пластин и увеличение процента выхода годных транзисторов.

Поставленная цель достигается тем, что предлагается фторопластовый вакуумный пинцет для захвата полупроводниковых пластин, конструкция которого представлена на чертеже.

Сущность способа заключается в том, что для захвата полупроводниковых пластин используется фторопластовый вакуумный пинцет, состоящий из фторопластового лопатообразного наконечника 1, в центре которого имеется пять отверстий 2 для подачи вакуума через фторопластовую трубку 3 с регулируемым клапаном 4. С помощью фторопластового вакуумного захвата удобно проводить загрузку-выгрузку пластин, осуществлять контроль под микроскопом и лучом сфокусированного света пластин на наличие пылинок.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что захват полупроводниковых пластин производится с помощью фторопластового вакуумного пинцета, наконечник которого имеет пять отверстий. Использование фторопластового пинцета позволяет полностью охватить поверхность полупроводниковых пластин, устранить касание металла с пластиной, снижение царапин и сколов на полупроводниковой пластине при загрузке-выгрузке.

Захват полупроводниковых пластин производится следующим образом: вакуум поступает во фторопластовую трубку 3, далее он поступает на лопатообразный фторопластовый наконечник 1, нажатием клапана 4 вакуум подается через отверстия 2 на пластину. Подача вакуума регулируется с помощью клапана 4. Вакуум подается при давлении 0,8 кг/см2. Количество отверстий на наконечнике - 5, диаметр отверстий - 3 мм.

Контроль качества определяется по выходу годных транзисторов. Процент выхода годных транзисторов составил 98%.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Захват полупроводниковых пластин производится следующим образом: вакуум поступает во фторопластовую трубку 3, далее он поступает на лопатообразный фторопластовый наконечник 1, нажатием клапана 4 вакуум подается через отверстия 2 на пластину. Подача вакуума регулируется с помощью клапана 4. Вакуум подается при давлении 0,5 кг/см2. Количество отверстий на наконечнике - 1, диаметр отверстий - 5 мм.

Процент выхода годных транзисторов составил 95%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Вакуум подается при давлении 0,6 кг/см2. Количество отверстий на наконечнике - 3, диаметр отверстий - 4 мм.

Процент выхода годных транзисторов составил 97%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Вакуум подается при давлении 0,7 кг/см2. Количество отверстий на наконечнике - 4, диаметр отверстий - 3 мм.

Процент выхода годных транзисторов составил 97%.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Вакуум подается при давлении 0,8 кг/см2. Количество отверстий на наконечнике - 5, диаметр отверстий - 3 мм.

Процент выхода годных транзисторов составил 98%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет осуществлять захват полупроводниковых пластин фторопластовым вакуумным пинцетом без образования царапин и сколов для загрузки и выгрузки пластин.

Литература

1. Панфилов Ю.В., Рябов В.Т., Цветков Ю.Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы. - М.: Радио и связь, 1988, стр.144-156.

Способ захвата полупроводниковых пластин для загрузки и выгрузки, включающий захват полупроводниковых пластин, отличающийся тем, что захват производится следующим образом: вакуум поступает во фторопластовую трубку 3, далее он поступает на лопатообразный фторопластовый наконечник 1, нажатием клапана 4 вакуум подается через отверстия 2 на пластину, подача вакуума регулируется с помощью клапана 4, вакуум подается при давлении 0,8 кг/см2, количество отверстий на наконечнике - 5, диаметр отверстий - 3 мм.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам разделения на кристаллы полупроводниковых пластин с двухсторонним тонкопленочным покрытием, и может быть использовано при получении кристаллов термодатчиков и термометров.

Изобретение относится к устройству для эжекции текучей среды и к электрической схеме цепи для управления этим устройством. .
Изобретение относится к материаловедению и может широко использоваться в полупроводниковой электронике. .
Изобретение относится к устройствам для удержания полупроводниковых пластин во время транспортировки в процессе изготовления. .

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано для двухсторонней обработки пластин квадратной формы. .

Изобретение относится к способу изготовления в едином технологическом цикле микроэлектромеханического устройства и электронной схемы управления. .

Изобретение относится к электронному модулю, предназначенному, в частности, для установки в электронное устройство типа чип-карты. .

Изобретение относится к способам изготовления интегральных схем и к способам изготовления конденсаторов интегральных схем и к конденсаторам, изготавливаемым этими способами.

Изобретение относится к нанесению тонкого слоя жидкости на элементы, в частности для фотоэлектрического применения
Изобретение относится к устройствам для удержания полупроводниковых пластин во время транспортировки в процессе изготовления

Изобретение относится к способу формирования штабелей легируемых с одной стороны полупроводниковых пластин, в частности солнечных полупроводниковых пластин, для загрузки технологической лодочки партиями полупроводниковых пластин, в которой предопределенное четное число полупроводниковых пластин рядами устанавливают в установочные шлицы подлежащего расположению точно в горизонтальной плоскости транспортировочного держателя с обращенным кверху отверстием для штабелирования

Изобретение относится к способу формирования штабелей легируемых с одной стороны полупроводниковых пластин, в частности солнечных полупроводниковых пластин, для загрузки технологической лодочки партиями полупроводниковых пластин, в которой предопределенное четное число полупроводниковых пластин рядами устанавливают в установочные шлицы подлежащего расположению точно в горизонтальной плоскости транспортировочного держателя с обращенным кверху отверстием для штабелирования

Изобретение относится к способу формирования штабелей легируемых с одной стороны полупроводниковых пластин, в частности солнечных полупроводниковых пластин, для загрузки технологической лодочки партиями полупроводниковых пластин, в которой предопределенное четное число полупроводниковых пластин рядами устанавливают в установочные шлицы подлежащего расположению точно в горизонтальной плоскости транспортировочного держателя с обращенным кверху отверстием для штабелирования
Изобретение относится к теплоотводящим элементам
Изобретение относится к технологии изготовления микросхем и микроэлектромеханических приборов

Изобретение относится к способам получения наноразмерных структур и может найти применение, в частности, в микроэлектронике, а также при изготовлении модулей памяти со сверхвысокой плотностью записи, наносенсоров, молекулярных сит, игл-зондов сканирующих туннельных микроскопов

Изобретение относится к способу обработки жидкости, который включает удаление компонента смолы из жидкости, используемой для отслаивания компонента органической смолы с поверхности подложки
Наверх