Способ термической обработки пластин сапфира


 


Владельцы патента RU 2419177:

Общество с ограниченной ответственностью "Нанометр" (RU)

Изобретение относится к области производства подложек из лейкосапфира для гетероэпитаксии нитридов III группы. Изобретение обеспечивает получение пластин лейкосапфира с содержанием в них активных примесей на уровне 0,005÷0,01% и получению из них подложек, стойких к воздействию отжига на воздухе при температурах 1000÷1400°С в течение 2 часов и ультрафиолетового облучения в течение 1 часа при комнатной температуре. В способе термической обработки пластин сапфира прошедшие шлифовку и отмывку пластины лейкосапфира размещают в углублениях графитовых ячеек-стаканов и покрывают поверхность пластин графитовым порошком, заполняя ячейку до ее верхнего уровня, ячейки с пластинами лейкосапфира размещают внутри графитового контейнера, устанавливая их вертикально одна на другую, контейнер заполняют графитовым порошком до его верхнего уровня и закрывают графитовой крышкой, контейнер размещают внутри камеры вакуумной печи отжига, в камере создают вакуум не хуже 5·10-4 мм рт.ст., проводят разогрев контейнера с пластинами лейкосапфира до температуры отжига 1400÷1500°С со скоростью подъема температуры не более 30 градусов в минуту при продолжающейся откачке камеры вакуумными насосами, проводят вакуумный отжиг в течение 2÷4 час, проводят охлаждение контейнера с пластинами лейкосапфира со скоростью, не более 2 градусов в минуту до комнатной температуры, извлекают пластины лейкосапфира из ячеек и изготавливают из них подложки по известным технологиям. 4 з.п. ф-лы.

 

Изобретение относится к области производства подложек из лейкосапфира для гетероэпитаксии нитридов III группы, которые в дальнейшем применяются для изготовления различных оптоэлектронных элементов и устройств.

Подложки лейкосапфира (чистого бесцветного сапфира) проходят достаточно сложный технологический цикл, связанный с разрезанием кристаллов на отдельные пластины, шлифованием пластин, отжигом резаных и шлифованных пластин на воздухе при температурах 1000÷1400°C, полированием пластин, химической и гидромеханической очисткой их поверхности [1].

Известно, что наличие активных примесей в сапфире в количествах более 0,01% приводит к окрашиванию кристалла [2]. Цветовой оттенок зависит от типа примеси. Например, наличие примеси хрома дает розовую окраску (рубин). Наличие активных примесей в количествах менее 0,01% не окрашивает кристалл, однако проявляется в виде изменения его окраски при отжиге пластин на воздухе при температурах 1000÷1400°C и при ультрафиолетовом облучении пластин при комнатной температуре. Интенсивность изменения цвета пропорциональна содержанию примеси, активности ее состояния в кристалле и времени обработки. Отжиг кристаллов сапфира в восстановительной среде приводит к изменению состояния ионов примеси в кристалле и уменьшению интенсивности его окрашивания [2].

В последнее время для подложек лейкосапфира, используемых в производстве приборов оптоэлектроники, ужесточились требования к их чистоте. Требуются подложки лейкосапфира с содержанием примесей металлов на уровне 0,005% и менее. Определение содержания примесей в кристаллическом сапфире на этом уровне сложная и дорогостоящая процедура. Поэтому качество лейкосапфира по содержанию активных примесей определяют косвенным методом по изменению цвета пластины под воздействием отжига на воздухе при температурах 1000÷1400°C в течение 2 часов и при ультрафиолетовом облучении пластин в течение 1 часа при комнатной температуре. При этом появление цветового оттенка на подложках лейкосапфира не допускается.

Имеется достаточно большой объем кристаллов и пластин лейкосапфира с содержанием в них активных примесей на уровне 0,005-0,01%. Целесообразно их использовать, изменив в них состояние примесей из активного на пассивное.

Термообработка пластин сапфира является одним из способов перевода примеси из активного состояния в пассивное. Способы термообработки кристаллов и пластин сапфира известны [1, 2]. Однако они используются в основном для уменьшения напряжений в кристаллах и пластинах, уменьшения поверхностной твердости, уменьшения плотности дислокации и удаления поверхностных загрязнений. Перечисленные способы не обеспечивают перевод примеси из активного состояния в пассивное и не позволяют получить пластины с содержанием примесей на уровне 0,005÷0,01% стойкие (без изменения цвета) к воздействию отжига на воздухе при температурах 1000÷1400°C в течение 2 часов и ультрафиолетового облучения в течение 1 часа при комнатной температуре.

Наиболее близким способом к предлагаемому и принятому за прототип является способ термической обработки пластин сапфира, приведенный в [2] (Рубин и сапфир. Изд-во "Наука" 1974 г., стр.200-208), заключающийся в том, что пластины сапфира отжигают в вакууме при температурах 1200÷1950°C в течение 1 часа в нейтральной или восстановительной среде. Недостатком этого способа является невозможность получения пластин лейкосапфира с содержанием примесей на уровне 0,005÷0,01%, стойких (без изменения цвета) к воздействию отжига на воздухе при температурах 1000÷1400°C в течение 2 часов и ультрафиолетового облучения в течение 1 часа при комнатной температуре.

Задачей настоящего изобретения является преодоление указанного недостатка и создание способа термической обработки пластин сапфира для повышения их стойкости (отсутствию изменения окраски) к воздействию отжига на воздухе при температурах 1000÷1400°C и ультрафиолетового облучения.

Техническое решение поставленной задачи достигается тем, что прошедшие шлифовку и отмывку пластины лейкосапфира размещают в углублениях графитовых ячеек - стаканов и покрывают поверхность пластин графитовым порошком, заполняя ячейку до ее верхнего уровня, ячейки с пластинами лейкосапфира размещают внутри графитового контейнера, устанавливая их вертикально одна на другую, контейнер заполняют графитовым порошком до его верхнего уровня и закрывают графитовой крышкой, контейнер размещают внутри камеры вакуумной печи отжига, в камере создают вакуум не хуже 5×10-4 мм рт.ст., напускают в камеру чистый газообразный азот и проводят повторное вакуумирование камеры, проводят разогрев контейнера с пластинами лейкосапфира до температуры отжига 1400÷1500°C со скоростью подъема температуры не более 30°C в минуту при продолжающейся откачке камеры вакуумными насосами, проводят вакуумный отжиг в течение 2-4 час, проводят охлаждение контейнера с пластинами лейкосапфира со скоростью не более 2° в минуту до комнатной температуры, извлекают пластины лейкосапфира из ячеек и изготавливают из них подложки по известным технологиям.

В качестве материала ячейки, контейнера и порошка используют чистый графит марки ОСЧ. Углубление ячейки имеет плоское дно, внутренний диаметр, равный диаметру пластин лейкосапфира, и глубину, превышающую толщину пластин лейкосапфира не менее чем на 0,5 мм. Контейнер имеет плоское дно и внутренний диаметр, равный наружному диаметру ячеек.

Пример реализации способа

Шлифованные пластины лейкосапфира ориентации (0001) диаметром 100 мм, толщиной 0,6 мм с содержанием примесей на уровне 0,005÷0,01%, нестойкие к воздействию отжига на воздухе при температуре 1200°C в течение 2 часов (наличие оттенка синего цвета) и ультрафиолетового облучения в течение 1 часа при комнатной температуре (наличие оттенка коричневого цвета) в количестве 50 шт. размещали в углублениях ячеек-стаканов, изготовленных из графита марки ОСЧ, покрывали поверхность пластин графитовым порошком марки ОСЧ, заполняя ячейки до их верхнего уровня, ячейки с пластинами лейкосапфира размещали внутри контейнера, изготовленного из графита марки ОСЧ, устанавливая их вертикально одна на другую, контейнер досыпали графитовым порошком марки ОСЧ до его верхнего уровня и закрывали графитовой крышкой, контейнер размещали внутри камеры вакуумной печи отжига, в камере создавали вакуум 1×10-4 мм рт.ст., напускали в камеру газообразный азот марки ОСЧ, проводили повторное вакуумирование камеры, проводили разогрев контейнера с пластинами лейкосапфира до температуры отжига 1450°C со скоростью подъема температуры 30°C в минуту при продолжающейся откачке камеры вакуумными насосами, проводили вакуумный отжиг в течение 4 час, проводили охлаждение контейнера с пластинами лейкосапфира со скоростью 2°C в минуту до комнатной температуры, извлекали контейнер из камеры вакуумной печи, выгружали обработанные пластины и проверяли повторно на стойкость к воздействию отжига на воздухе при температуре 1200°C в течение 2 часов и ультрафиолетового облучения в течение 1 часа при комнатной температуре. Пластины стали стойкими (изменения окраски не наблюдалось).

Проведенная серия процессов термообработки шлифованных пластины лейкосапфира при изготовлении сапфировых подложек ориентации (0001) диаметром 50,8; 76,2 и 100 мм подтвердила промышленную применимость предлагаемого способа.

Источники информации

1. Патент РФ №2284073. Способ изготовления пластин монокристаллов. Варакин М.В., Куликов В.И., Погудин А.А., Хан В.Е.

2. Рубин и сапфир. Изд-во "Наука" 1974 г., стр.1, 104÷106, 200÷207, 214÷218.

1. Способ термической обработки сапфировых пластин, заключающийся в том, что прошедшие шлифовку и отмывку пластины лейкосапфира загружаются в контейнер для отжига, который размещается внутри камеры вакуумной печи отжига, в камере создается вакуум не хуже 5·10-4 мм рт.ст., проводится разогрев контейнера с пластинами лейкосапфира до температуры отжига с определенной скоростью при продолжающейся откачке камеры вакуумными насосами, проводится выдержка при температуре отжига в течение определенного времени, проводится охлаждение контейнера с пластинами лейкосапфира с определенной скоростью до комнатной температуры, отличающийся тем, что пластины лейкосапфира первоначально размещают в углублениях графитовых ячеек-стаканов и покрывают поверхность пластин графитовым порошком, заполняя ячейку до ее верхнего уровня, ячейки с пластинами лейкосапфира размещают внутри графитового контейнера, устанавливая их вертикально одна на другую, контейнер заполняют графитовым порошком до его верхнего уровня и закрывают графитовой крышкой, температура отжига составляет 1400÷1500°С, скорость подъема температуры не превышает 30 градусов в минуту, время отжига составляет 2÷4 ч, скорость снижения температуры не превышает 2 градусов в минуту.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве материала ячейки, контейнера и порошка используют чистый графит марки ОСЧ.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что углубление ячейки имеет плоское дно, внутренний диаметр, равный диаметру пластин лейкосапфира и глубину, превышающую толщину пластин лейкосапфира не менее чем на 0,5 мм.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что контейнер имеет плоское дно и внутренний диаметр, равный наружному диаметру ячеек.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что после вакуумирования камеры в нее напускают чистый газообразный азот и проводят повторное вакуумирование камеры.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. .
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, с пониженной плотностью дефектов.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике. .
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзисторов со структурой кремний-на-изоляторе, с пониженной плотностью дефектов.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение качества гетероструктур, расширение технологической сферы применения способа. .

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для создания современных материалов микроэлектроники. .

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для интеграции электронных материалов в полупроводниковой, электронной, сверхпроводниковой, оптической и электротехнической технологиях, для создания современных материалов микроэлектроники, гетероструктур с кристаллическим слоем типа металл-металл, металл-полупроводник, полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-изолятор вне зависимости от структуры подложки, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) или полупроводник-на-кремнии (ПНК), для производства многофункциональных устройств микросистемной техники, устройств на основе сверхпроводящих материалов, спиновых транзисторов, современных сверхбольших интегральных схем (СБИС), систем на чипе и других изделий спинотроники, опто- и микроэлектроники.

Изобретение относится к способу перекристаллизации для получения самоподдерживающихся кристаллических кремниевых лент с размером зерна более 1 мм
Наверх