Термоэлектрический материал на осноз сульфида церия;€л плтентро-всьсишзная" пхничса-айбиблиотека

 

2510 37

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Кл. 21b, 27/06

Заявлено 28.Ч.1968 (№ 1243847/26-25) с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет

Опубликовано 26.Ч111.1969. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 22.1.1970

МПК Н 01m

УДК 621.362.2 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Г. В. Самсонов, Ю. М. Горячев, Т. Г. Куценок, С. В. Радзиковская и Е. Я. Тельников

Ордена Трудовото Красного Знамени институт проблем материаловедения АН Украинской ССР

Заявитель

Предмет изобретения

Изобретение относится к области прямого преобразования тепловой энергии в электрическую.

Для увеличения к. п. д. термоэлектрического элемента необходимо иметь высокие значения рабочей температуры материала и величины добротности материала Z. Известный термоэлектрический материал на основе сульфида

1 церия имеет характеристику Z= 0,95 ° 10 а град при 1000 С.

Описываемый материал отличается тем, что сульфид церия состава CeS 1,35 — 1,37 легирован 1 — 2 атом. % Nb. Указанное легирование за счет уменьшения электросопротивления .позволило увеличить коэффициент добротности Z

1 до величины 2 10 а при 1400 К. Максиград мальная рабочая температура материала

1700 К.

Высокая рабочая температура материала позволяет использовать его как верхнюю ступень термоэлектрического каскада для получения высокого к. и. д.

Описываемый материал изготавливался обычным методом порошковой металлургии, 10

Термоэлектрический материал на основе сульфнда церия п-типа, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента добротности, сульфид церия состава CeS 1,35 — 1,37 легпрован 1 — 2 атом. % Nb.

Термоэлектрический материал на осноз сульфида церия;€л плтентро-всьсишзная пхничса-айбиблиотека 

 

Похожие патенты:

Термопара // 102692

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к полупроводниковым изделиям для термоэлектрических устройств и термоэлектрическим устройствам и может быть использовано в термоэлектрических приборах, основанных на эффектах Пельтье и Зеебека

Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии, в частности к изготовлению термоэлектрических материалов (ТЭМ) n-типа проводимости, используемых в термоэлектрических устройствах (ТЭУ)

Изобретение относится к полупроводниковой технике, более конкретно к полупроводниковым изделиям из кристаллических материалов с определенной структурой, предназначенным для термоэлектрических устройств, основанных на эффектах
Наверх