Способ определения статистических характеристик прозрачных диэлектрических пленок

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

252625

Союз Советских

Социзлистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 16.Ч!11.1968 (№ 1263748/25-28) с т|рисоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 22.IX 1969. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 24.II.1970

Кл. 42b, 12/02

Комитет ло делом изобретений и открытий рри Совете Мииистров

СССР

МПК G Olb

УДК 531 715 2 531 717 1 (088.8) АВторЫ изобретения

Г, С. Богословский и В, А. Усин

ЗаявитеЛь

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТАТИСТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК

ПРОЗРАЧНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

Таким образом, дифракционная картина в

20 фокальной плоскости линзы б искажается. Если исследуемый образец пленки 8 привести во вращение, например, с помощью микродвигателя 4 так, чтобы за время экспонирования регистрирующего фотоаппарата 7 перед от25 верстием прошло достаточное для усреднения число участков пленки ()20), то можно зафиксировать усредненную дифр акционную картину. На этом процессе непосредственного измерения заканчивается и начинается про30 цесс обр аботки.

Известен спосоо определения статистических характеристик прозрачных диэлектрических пленок, заключающийся в том, что через исследуемую пленку пропускают луч света.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что, с целью упрощения процесса и сокращения времени определения, устанавливают на пути луча когерентного света за исследуемой пленкой экран с отверстием, вращают исследуемую пленку в плоскости, перпендикулярной оси луча, получают усредненную дифракционную картину от отверстия и затем из сравнения полученной усредненной дифракционной картины с расчетной картиной определяют статистические характеристики пленки, На чертеже изображена схема установки для реализации предлагаемого способа.

Установка содержит оптический квантовый генератор 1 видимой части спектра, диафрагму 2, коллиматор 8 с фильтрующим микроотверстием, электрический микродвигатель 4, экран 5 с отверстием (апертурой) определенной геометрической формы, двояковыпуклую линзу б и регистрирующее устройство 7 (фотоаппарат) .

Осуществляется предлагаемый способ следующим образом.

Устанавливают в непосредственной близости от экрана 5 испытуемый образец прозрачной пленки 8 с известным показателем преломления и и с шероховатой (в силу производственных технологических причин) поверхностью. При этом падающая плоская волна

5 когерентного света генератора 1 искажается по фазе. Связь между изменениями толщины пленки и соответствующими фазовыми сдвигами выражается формулой

10 ср(х, у) =К d(x, у) ° (n — 1), 2л где К = — волновое число в свободном пространстве;

d(x, у) — отклонение толщины пленки от

15 средней;

n — показатель преломления вещества пленки. с L

Cg

Составитель Л. Лобзова

Техред A. А. Камышникова Корректор Е. Н. Миронова

Редактор М. Андреева

Заказ 209,ЧО Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета но делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва 5К-35, Раушская наб., д. 4)5

Типография, нр. Сапунова, 2 йолучеииое изображение усредненной дифракционной картины фотометрируется, например, с помощью микрофотометров МФ-2, МФ-4, а графики сравниваются с известными расчетными средними диаграммами направленности для антенн, геометрическая форма которых совпадает с формой отверстия в экране 5.

Сравнение экспериментальных и расчетных кривых позволяет с достаточно высокой точностью определить статистические характеристики пленок, а именно: среднеквадратическое отклонение толщины пленки и радиус корреляции этого отклонения где с — относительный радиус КорреляциИ (р асчетный), L — размер использовавшейся апертуры.

5 Предмет изобретения

Способ определения статистических характеристик прозрачных диэлектрических пленок, заключающийся в том, что через иссле10 дуемую пленку пропускают луч света; отличаюи ийся тем, что, с целью упрощения процесса и сокращения времени определения, устанавливают на пути луча когерентного света за исследуемой пленкой экран с отверсти15 ем, вращают исследуемую пленку в плоскости, перпендикулярной оси луча, получают усредненную дифракционную картину от отверстия и затем из сравнения полученной усредненной дифракционной картины с расчетной

20 картиной определяют статистические характеристики пленки.

Способ определения статистических характеристик прозрачных диэлектрических пленок Способ определения статистических характеристик прозрачных диэлектрических пленок 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения толщины и показателя преломления прозрачных слоев

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного автоматического измерения толщины прозрачных материалов, например листового стекла, в непрерывном производственном процессе

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к оптическим интерферометрам, и может быть использовано для непрерывного бесконтактного измерения геометрической толщины прозрачных и непрозрачных объектов, например листовых материалов (металлопроката, полимерных пленок), деталей сложной формы из мягких материалов, не допускающих контактных измерений (например, поршневых вкладышей для двигателей внутреннего сгорания), эталонных пластин и подложек в оптической и полупроводниковой промышленности и т.д

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщин слоев прозрачных жидкостей и может быть использован для бесконтактного определения толщин слоев прозрачных жидкостей в лакокрасочной, химической и электронной промышленности, а также в физических и химических приборах

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интерференционным способам измерения оптической толщины плоскопараллельных объектов и слоев

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в черной и цветной металлургии для измерения толщины проката в условиях горячего производства без остановки технологического процесса

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины пленок, в частности в устройствах для измерения и контроля толщины пленок фоторезиста, наносимых на вращающуюся полупроводниковую подложку в процессе центрифугирования в операциях фотолитографии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины и измерения разнотолщинности пленок, в частности в устройствах для нанесения фоторезиста в операциях фотолитографии

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщины слоя прозрачной жидкости
Наверх