Способ изготовления л\ногослойной тонкопленочной структуры
О П И С А Н И Е 253!97
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 19.Vll.1968 (№ 1257876/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано ЗОЛХ.1969. Бюллетень № 30
Дата опубликования описания 24.П.1970
Кл. 21а4, 75
МПК Н 05k
УД К 621.3.049.75 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Авторы изобретения М. Т. Костышин, E П. Красноженов, Е. В. Михайловская, В. В, Петров и П. Ф. Романенко
Заявители Институт кибернетики Академии наук Украинской ССР и Институт полупроводников АН Украинской ССР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ
Настоящее изобретение относится к области микроэлектроники, а именно, к способу изготовления многослойных тонкопленочных структур.
Известен способ изготовления тонкопленочных многослойных структур, в соответствии с которым на каждый токопроводящий слой наносят диэлектрический слой, имеющий толщину несколько меньше расчетной, обрабатывают токопроводящий слой травителем, не воздействующим на магериал диэлектрического слоя, доводят толщину диэлектрика до расчетной, наносят второй токопроводящий слой и производят выжигание контактных мостиков электрическим током.
Однако при использовании известного способа образуется большое число токопроводящих мостиков, удаление которых затруднено.
Целью настоящего изобретения является уменьшение количества токопроводящих мостиков, улучшение параметров тонкопленочной структуры и упрощение технологии изготовления структуры.
Для этого на слой металла, служащий токопроводом, через маску наносят диэлектрический слой, имеющий толщину несколько меньше расчетной. Затем через эту же маску напыляют слой активного вещества, способного вступать с металлом в химическую реакцию под действием излучения. Это активное вещество находится в непосредственном соприкосновении с металлом токопроводящего слоя только в тех местах, в которых слой диэлект5 рика имеет отверстия. Под действием излучения в тех местах, где слой активного вещества соприкасался с металлом проводящего слоя, происходят фотохимические превращения. Затем активное вещество, а если это необходимо, 10 то и продукты реакции растворяют или удаляют каким-либо другим образом, доводят толщину диэлектрика до расчетной, напыляют второй токопроводящий слой и проводят выжигание контактных мостиков электрическим
15 током.
Применение описанного способа изготовления многослойных тонкопленоч IbIx структур устраняет необходимость защищать материал
20 токопроводов, не закрытых диэлектрическими слоями.
В случае использования в качестве материалов токопроводов меди, серебра, золота и дру25 гих металлов, в качестве активного вещества можно применять легко напыляемые соединения Аз Из, Аз Ба, РЬ,4 и другие вещества, вступающие в химическую реакцию с указанными материалами токопроводов только под дейст30 вием света, 253197
Предмет изобретения
Составитель Э. Фридолииа
Редактор В. Кузнецов Техред А. А. Камышникова Корректор Р. И. Крючкова
Заказ 335/8 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета ио делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва 7К-35, Раушская иаб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Способ изготовления многослойной тонкопленочной структуры, состоящей из чередующихся токопроводящих и разделяющих их слоев диэлектрика, основанный на последовательном нанесении указанных слоев и последовательной доводке толщины каждого диэлектрического слоя до номинального значения, производимой после удаления токопроводящего материала с дефектных участков диэлектрического слоя, имеющего толщину несколько меньше расчетной, и выжигания электротоком межслойных контактных мостиков с токопроводящей поверхности, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества межслойных токопроводящих мостиков и упрощения процесса удаления их, на каждый диэлектрический слой через маску, которая применялась для напыления диэлектрика, наносят светочувствительный материал, который под действием света или какого-либо облучения вступает в
1о химическую реакцию с токопроводящим материалом, находящимся в порах диэлектрического слоя, после чего слой светочувствительного материала и, если это нужно, продукты реакции удаляют.
