Близкорасположенный коллиматор для сид



Близкорасположенный коллиматор для сид
Близкорасположенный коллиматор для сид
Близкорасположенный коллиматор для сид
H01L33/60 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2501122:

КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В. (NL)

Согласно изобретению предложен способ изготовления светоизлучающего устройства (СИД). Данный способ содержит этапы: обеспечения подложки, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод и; установки коллиматора, по меньшей мере, частично окружающего сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, и сформированный с помощью, по меньшей мере, одного самонесущего элемента стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм. Упомянутый коллиматора присоединяют к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и упомянутой подложке, используя пропускающий связующий материал. Также предложено устройство, изготовленное согласно описанному способу. Изобретение обеспечивает упрощение изготовления СИД. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

Настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству, содержащему, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, расположенный на подложке, и коллиматор, по меньшей мере, частично окружающий сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, для коллимации света, испускаемого упомянутым, по меньшей мере, одним светоизлучающим диодом. Настоящее изобретение дополнительно касается способа изготовления светоизлучающего устройства.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Светоизлучающие устройства согласно вышеуказанной области техники, к которой относится изобретение, общеизвестны. Они используются в качестве источников света, среди прочего, в панелях задней подсветки в дисплейных устройствах, например, для телевизоров и мониторов. Такие устройства особенно подходят для применения в качестве источников света при подсветке неизлучающих дисплеев, таких как жидкокристаллические дисплейные устройства, также называемые ЖК-панелями, которые применяются в (портативных) компьютерах или (портативных) телефонах.

Такие устройства также используются в качестве источников света в светильниках для целей общего освещения или для освещения магазинов, например, освещения окон магазинов или освещения (прозрачных или полупрозрачных) пластин из стекла или (прозрачных) пластин из стекла или (прозрачной) синтетической смолы, на которых выставлены предметы, например, ювелирные украшения. Такие устройства также используются в качестве источников света для оконных стекол, например, чтобы заставить стеклянную стенку испускать свет при определенных условиях или снижать, или блокировать видимость сквозь окно посредством света. Дополнительным альтернативным применением является использование пакетов таких устройств в качестве источников света для освещения рекламных щитов. Кроме того, данные пакеты устройств могут использоваться для внутреннего освещения, в частности, для бытового освещения.

Светоизлучающее устройство данного типа описано в публикации WO 2005/109529, где светоизлучающий диод располагается на подложке и внутри коллиматора из керамического материала.

Метод, раскрытый в WO 2005/109529, однако, обычно требует, чтобы СИД-кристалл устанавливался в предварительно сформированной керамической коллиматорной структуре на подложке.

Следовательно, существует необходимость в усовершенствованном светоизлучающем устройстве, которое легче в изготовлении.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Целью настоящего изобретения является, по меньшей мере, частично преодолеть данную проблему и обеспечить светоизлучающее устройство, в котором коллимирующая структура может легко устанавливаться после того, как светоизлучающий диод размещается на подложке.

В первом аспекте настоящее изобретение касается способа изготовления светоизлучающего устройства, содержащего этапы:

- обеспечения подложки, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод;

- установки коллиматора, по меньшей мере, частично окружающего сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, путем присоединения упомянутого коллиматора к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и упомянутой подложке, используя пропускающий связующий материал.

При использовании предлагаемого способа коллиматор может устанавливаться после установки СИД, что облегчает установку СИД.

В вариантах осуществления настоящего изобретения самоудерживающийся, преобразующий длину волны элемент оптически и физически присоединяют к светоизлучающей поверхности упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.

СИД с преобразующими длину волны пластинами испускает большую часть света в направлениях с высоким углом к нормали подложки. Следовательно, использование коллиматора является очень выгодным для таких применений.

В вариантах осуществления настоящего изобретения этап присоединения такого коллиматора к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и упомянутой подложке содержит размещение предшественника связующего материала и его упрочнение с образованием связующего материала.

Жидкий связующий материал может легко распределяться и т.д., позволяя определенную степень движения, например, подстройки положения коллиматора.

В варианте осуществления настоящего изобретения упомянутый коллиматор располагается на расстоянии от 10 до 200 мкм, в плоскости упомянутой подложки, от упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.

Коллиматор преимущественно располагается близко к СИД, чтобы поддерживать или минимизировать потерю светосилы светоизлучающего диода.

В вариантах осуществления данного изобретения упомянутый коллиматор формируют из металлического материала.

Коллиматоры, сделанные из металлического материала, могут быть изготовлены очень тонкими, в то же время имеющими высокую отражательную эффективность. Следовательно, они подходят для использования в подходе, где коллиматор приклеивают к подложке.

В вариантах осуществления настоящего изобретения коллиматор образуют с помощью, по меньшей мере, одного самоудерживающегося стенного элемента с толщиной материала в диапазоне от 100 до 500 мкм.

Во втором аспекте настоящее изобретение касается светоизлучающего устройства, содержащего, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, расположенный на подложке, и коллиматор, по меньшей мере, частично окружающий сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, для коллимации света, испускаемого упомянутым, по меньшей мере, одним светоизлучающим диодом. Данный коллиматор присоединен к упомянутой подложке и к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду посредством первого пропускающего связующего материала. Дополнительно следует заметить, что настоящее изобретение касается всех возможных комбинаций пунктов формулы изобретения.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ФИГУР ЧЕРТЕЖЕЙ

Эти и другие аспекты настоящего изобретения будут теперь описаны более подробно со ссылкой на приложенные чертежи, показывающие предпочтительный в настоящее время вариант осуществления данного изобретения.

Фиг.1 схематично изображает способ изготовления светоизлучающего устройства.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ

Иллюстративный вариант осуществления устройства настоящего изобретения показан на фиг.1. Светоизлучающее устройство 100 этого варианта осуществления содержит кристалл 101 светоизлучающего диода (СИД), размещенный на подложке 102. Самоудерживающееся, преобразующее длину волны тело 105 оптически и физически присоединено к светоизлучающей поверхности 106 диода 101 с помощью пропускающего связующего материала 107.

Светоизлучающий диод 101 испускает свет, главным образом через его светоизлучающую поверхность, с первой длиной волны (или с первым интервалом длин волн с первой интенсивностью пика).

Преобразующее длину волны тело 105 приспособлено принимать и поглощать, по меньшей мере, часть света, испускаемого диодом 101, и преобразовывать поглощенный свет в свет со второй, большей длиной волны (или со вторым интервалом длин волн с интенсивностью пика при большей длине волны). Преобразование длины волны происходит благодаря преобразующим длину волны материалам, таким как флуоресцентные и/или фосфоресцентные материалы, содержащиеся в преобразующем длину волны теле.

СИД-кристалл 101 обычно присоединяется к проводящим линиям (не показаны) для движения СИД кристалла.

Свет, испускаемый СИД и/или преобразованный преобразующим длину волны материалом, сводится коллиматором 103, который установлен сбоку, окружая СИД 101. Коллиматор 103 представляет собой отражающую поверхность, обращенную к СИД 101, и имеет воронкообразную форму с площадью сечения, которая увеличивается с расстоянием от подложки. Следовательно, стенки коллиматора выступают от СИД 101.

Коллиматор 103 физически присоединяется к СИД 101 и подложке 102 с помощью прозрачного отвержденного связующего материала 104, такого как клей.

Чтобы сохранить силу света от СИД как можно больше, существенно, что стенки коллиматора расположены близко к боковым сторонам СИД 101. В предпочтительном варианте осуществления, показанном на фиг. 1, стенки расположены на расстоянии менее 100 мкм от боковой поверхности СИД.

Здесь считается, что светоизлучающий диод или СИД относится к любому типу светоизлучающих диодов, известных специалистам в данной области техники, и включает в себя обычные СИД на неорганической основе, а также СИД на органической основе (ОСИД) и СИД на полимерной основе.

СИД кристалл предпочтительно имеет тип "перевернутого кристалла", где оба вывода расположены на одной стороне кристалла. Эта конструкция облегчает размещение преобразующего длину волны тела на светоизлучающей поверхности данного устройства. Однако другие типы кристаллов СИД также подходят для использования в настоящем изобретении.

СИД для использования в настоящем изобретении может испускать свет любого цвета от УФ диапазона до ИК диапазона, включая диапазон видимого света. Однако, так как преобразующие длину волны материалы обычно преобразуют свет путем красного смещения, часто желательно использовать СИД, излучающий свет в УФ/синем диапазоне, так как такой свет может быть преобразован, по существу, в любой другой цвет.

Преобразующий длину волны материал для использования в настоящем изобретении предпочтительно представляет собой флуоресцентный и/или фосфоресцентный материал, который возбуждается не преобразованным светом и испускает свет при релаксации.

В предпочтительном в настоящее время варианте осуществления преобразующее длину волны тело формируют в самоудерживающееся, преобразующее длину волны тело 105, содержащее или состоящее из преобразующего длину волны материала.

В одном варианте осуществления самоудерживающееся, преобразующее длину волны тело может быть образовано из прессованного керамического материала, по существу, из преобразующего длину волны материала или размерно-устойчивого матричного материала, такого как ПММА (полиметилметакрилат) или другие материалы, но не ограничиваясь ими, который может быть легирован частицами и содержать введенные, преобразующие длину волны частицы. В другом варианте осуществления самонесущее, преобразующее длину волны тело может содержать керамический материал, имеющий плотность больше чем 97% от теоретической плотности твердого тела.

Примеры люминофоров, которые могут быть сформированы в люминесцентные керамические слои, включают в себя гранатные люминофоры с общей формулой (Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:CeaPrb, где 0<x<1, 0<y<1, 0<z≤0,1, 0<a≤0,2 и 0<b≤0,1, такие как Lu3Al5O12:Ce3+ и Y3Al5O12:Ce3+, которые испускают свет в желто-зеленом диапазоне; и (Sr1-x-yBaxCay)2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euz 2+, 0≤a<5, 0<x≤1, 0≤y≤1 и 0<z≤1, такие как Sr2Si5N8:Eu2+, которые испускают свет в красном диапазоне. Подходящие Y3Al5O12:Ce3+ керамические заготовки могут быть заказаны от Baikowski International Corporation of Charlotte, N.C. Другие зеленые, желтые или красные излучающие люминофоры также могут быть пригодными, включая (Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua 2+ (a=0,002-0,2, b=0,0-0,25, c=0,0-0,25, x=1,5-2,5, z=1,5-2,5), включая, например, SrSi2N2O2:Eu2+; (Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+, включая, например, SrGa2S4:Eu2+; Sr1-xBaxSiO4:Eu2+; и (Ca1-xSrx)S:Eu2+, где 0<x≤1, включая, например, CaS:Eu2+ и SrS:Eu2+. Кроме того, материалы, подобные SSONe, CeCAS, также могут быть использованы.

Самонесущее, преобразующее длину волны тело обычно формируют в плоскую пластину или куполообразное тело (имеющее плоскую поверхность в направлении СИД), или любую другую форму, которая может подходить применению данного устройства. Преобразующее длину волны тело в форме плоской пластины для использования в настоящем изобретении обычно имеет толщину от 10 до 1000 мкм, например, приблизительно от 100 до 500 мкм, например, около 250 мкм.

Связующий материал 107 для использования при оптическом и физическом присоединении самоудерживающегося, преобразующего длину волны тела 105 к СИД предпочтительно является, по существу, пропускающим, по меньшей мере, для не преобразованного света с первой длиной волны.

Примеры связующих материалов, которые пригодны для использования, зависят от приложения, материала светоизлучающей поверхности СИД, материала преобразующего длину волны тела и от температур, которым должен подвергаться связующий материал.

Примеры связующих материалов включают в себя, например, низкоплавкое стекло, эпоксидные материалы, пропускающие полимеры, цианакрилатные адгезивы, УФ-отверждаемые адгезивы и силоксаны, такие как ПДМС.

Коллиматор 103 обычно содержит один или несколько самонесущих стенных элементов из высокоотражающего материала, такого как металлический материал, обычно металлическая фольга, такого как серебро, золото, алюминий, титан и т.д.

Один пример такого высокоотражающего материала представляет собой Miro® от Alanod.

Предпочтительно, стенные элементы представляют собой тонкие стенки, обычно имеющие толщину приблизительно от 100 до 500 мкм, или твердое тело с внутренней отражающей камерой.

Высота коллиматора и угол, образуемый внутренними стенками коллиматора по отношению к нормали к поверхности, зависит от приложения и желаемой степени коллимации света.

Стенные элементы могут быть прямыми или изогнутыми, образуя коллиматор V-образной или U-образной формы. Коллиматор уменьшает углы источника и смешивает свет у выходного окна до однородного распределения света. В случае проекционных дисплеев, выходное окно может отображаться с помощью линзы-расширителя и полевой линзы непосредственно на дисплей, где обычно требуются смешивающие стержни, интеграторы или другие гомогенизаторы.

Обычно высота коллиматора (считая от поверхности подложки) составляет приблизительно от 5 до 15 мм.

Обычно угол, образуемый внутренними стенками коллиматора по отношению к нормали к подложке, составляет от 5 до 15°.

Коллиматор 103 физически присоединяется к СИД 101 и подложке 102 с помощью прозрачного связующего материала 104. Связующий материал 104 является оптически пропускающим, помогая выходить свету, генерируемому в СИД-кристалле.

Связующий материал 104 предпочтительно является затвердевшим, по существу, жестким и не гибким материалом, образованным путем затвердевания in situ, такого как отверждение, материала предшественника. Примеры связующих материалов для использования в настоящем изобретении включают в себя материалы на основе кремния, такие как силиконовые материалы (например, ПДМС), и эпоксидные материалы, например, Shin-etsu.

Кроме того, связующий материал 104 может инкапсулировать СИД 101 и, возможно, и если присутствует, преобразующую длину волны пластину 105, чтобы защищать эту сборку от внешних воздействий, таких как удар или царапанье.

Согласно настоящему изобретению светоизлучающий диод 100 может быть изготовлен, как описано ниже.

СИД 101, возможно обеспеченный преобразующим длину волны телом 105, как описано выше, размещают на подложке 102.

Коллиматор 103 затем размещают на подложке, окружая боковые стороны СИД, путем использования связующего материала. Коллиматор 103 может быть предварительно сформированным, или, альтернативно, коллиматор 103 формируют на подложке 102, размещая два или больше стенных элементов, совместно формирующих коллиматор. Коллиматор размещают на подложке до, после или одновременно с отложением предшественника связующего материала. Предшественник связующего материала осаждают так, что он находится в контакте с СИД 101, подложкой 102 и коллиматором 103.

Затем материал предшественника связующего материала затвердевает, например отверждается, в связующий материал 104, физически присоединяя коллиматор 103 к подложке и физически и оптически присоединяя коллиматор 103 к СИД 101. Необязательно, связующий материал также находится в контакте с преобразующим длину волны телом 105.

Специалист в данной области техники поймет, что настоящее изобретение никоим образом не ограничивается предпочтительными вариантами осуществления, описанными выше. Напротив, много модификаций и вариаций возможны внутри объема приложенной формулы изобретения. Например, больше чем один, например, два или больше, светоизлучающих диодов могут располагаться в одной и той же коллимирующей структуре. Кроме того, больше чем один, например, два или больше, светоизлучающих диодов могут присоединяться к одному и тому же самоудерживающемуся, преобразующему длину волны телу. Кроме того, следует отметить, что, хотя вышеприведенное описание главным образом касается преобразующего длину волны материала, содержащегося в самоудерживающемся, преобразующем длину волны теле, настоящее изобретение не ограничивается этим, и преобразующий длину волны материал может, например, осаждаться напылением в виде порошка на светоизлучающую поверхность СИД.

1. Способ изготовления светоизлучающего устройства, содержащий этапы, согласно которым:
- обеспечивают подложку, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод;
- устанавливают коллиматор, по меньшей мере, частично окружающий сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод и сформированный с помощью, по меньшей мере, одного самонесущего элемента стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм, путем того, что
присоединяют упомянутый коллиматор к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и/или упомянутой подложке, используя пропускающий связующий материал.

2. Способ по п.1, в котором самонесущий, преобразующий длину волны элемент оптически и физически присоединяют к светоизлучающей поверхности упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.

3. Способ по п.1, в котором на этапе присоединения упомянутого коллиматора к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и/или упомянутой подложке размещают предшественник связующего материала и упрочняют указанный предшественник, образуя связующий материал.

4. Способ по п.1, в котором упомянутый коллиматор располагают на расстоянии от 10 до 200 мкм, в плоскости упомянутой подложки, от упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.

5. Способ по п.1, в котором упомянутый коллиматор формируют из металлического материала.

6. Светоизлучающее устройство (100), содержащее, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, расположенный на подложке, и коллиматор, по меньшей мере, частично окружающий сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, для коллимации света, испускаемого упомянутым, по меньшей мере, одним светоизлучающим диодом, при этом упомянутый коллиматор содержит, по меньшей мере, один самонесущий элемент стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм, присоединенный к упомянутой подложке и к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду посредством первого пропускающего связующего материала.

7. Светоизлучающее устройство по п.6, в котором самонесущий, преобразующий длину волны элемент оптически и физически присоединен к светоизлучающей поверхности упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.

8. Светоизлучающее устройство по п.6, где упомянутый коллиматор сформирован с помощью металлического материала.

9. Светоизлучающее устройство по п.6, в котором расстояние в плоскости упомянутой подложки между упомянутым коллиматором и упомянутым, по меньшей мере, одним светоизлучающим диодом находится в диапазоне от 10 до 100 мкм.

10. Светоизлучающее устройство по п.6, в котором упомянутый коллиматор имеет воронкообразную форму с площадью сечения, которая постепенно увеличивается с расстоянием вдоль нормали к упомянутой подложке от упомянутой подложки.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к люминисцентным материалам и их применению в светоизлучающих диодных устройствах. Предложен материал желтого послесвечения, имеющий химическую формулу aY2O3·bAl2O3·cSiO2:mCe·nB·xNa·yP, где a, b, c, m, n, x и y являются коэффициентами, причем a не меньше 1, но не больше 2, b не меньше 2, но не больше 3, c не меньше 0,001, но не больше 1, m не меньше 0,0001, но не больше 0,6, n не меньше 0,0001, но не больше 0,5, x не меньше 0,0001, но не больше 0,2, и y не меньше 0,0001, но не больше 0,5, причем Y, Al и Si являются основными элементами, а Ce, B, Na и P являются активаторами.

Изобретение относится к светотехнике и может быть использовано при изготовлении устройств общего и местного освещения. Люминесцентный композитный материал содержит полимерную основу 1 из оптически прозрачного полимерного материала и многослойную полимерную пленку, содержащую люминофоры, из трех слоев: оптически прозрачная полимерная пленка 2; полимерная композиция 3, включающая неорганический люминофор - иттрий-алюминиевый гранат, допированный церием, или галлий-гадолиниевый гранат, допированный церием; полимерная композиция 4 с диспергированными полупроводниковыми нанокристаллами, выполненными из полупроводникового ядра, первого и второго полупроводниковых слоев, и испускающими флуоресцентный сигнал с максимумами пиков флуоресценции в диапазоне длин волн 580-650 нм.
Изобретение может быть использовано при детектировании ионизирующего излучения и для создания источников белого света на основе нитридных гетеропереходов. Предложена гибкая (самонесущая) поликарбонатная пленка, наполненная неорганическими люминофорами из твердых растворов алюминатов и силикатов редкоземельных элементов.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам. Светотрназистор белого света представляет собой полупроводниковое устройство, предназначенное для светового излучения на основе транзисторной структуры с чередующимся типом проводимости, образующей активную область, генерирующую синее свечение.

Описываются новые полициклические азотсодержащие гетероароматические соединения - тетрацианозамещенные 1,4,9b-триазафеналены общей формулы 1 где R означает - фенил, замещенный NO2, галогеном, С1-4алкилом или группой -OR1, где R1 - метил, - нафтил или - гетероарил состава C4H3S, и способ их получения исходя из соответствующих R-замещенных 1,1,2,2-тетрацианоциклопропанов при их кипячении в 1,2-дихлорбензоле.

Способ изготовления светоизлучающего устройства с преобразованной длиной волны содержит: светоизлучающий диод для эмитирования светового излучения с первой длиной волны, имеющего светоизлучающую поверхность, на данной поверхности расположен материал, преобразующий длину волны, который приспособлен для приема светового излучения, эмитируемого указанным светоизлучающим диодом, и преобразования по меньшей мере части указанного воспринятого светового излучения в световое излучение со второй длиной волны; размещение, по меньшей мере на части внешней поверхности указанного светоизлучающего устройства с преобразованной длиной волны, светоотверждаемого покровного материала, облучение которого световым излучением с указанной первой длиной волны эффективной интенсивности вызывает отверждение указанного светоотверждаемого покровного материала; и отверждение по меньшей мере части указанного светоотверждаемого покровного материала облучением указанного материала посредством указанного светоизлучающего диода, чтобы образовать отвержденный материал, блокирующий световое излучение.

Осветительное устройство (10), включающее в себя: светоизлучающий диод (20) (СИД), излучающий излучение СИД (21), передающее основание (50), включающее в себя люминесцентный материал (51), где люминесцентный материал (51) расположен, чтобы поглощать, по крайней мере, часть излучения СИД (21) и излучать излучение люминесцентного материала (13), при этом СИД (20) и люминесцентный материал (51) расположены, чтобы генерировать свет (115) предварительно установленного цвета; просвечивающее выходное окно (60), расположенное, чтобы передавать, по крайней мере, часть света (115); углубление СИД (11) и углубление рассеивателя (12), при этом углубление СИД (11) имеет боковую стенку углубления СИД (45) и поперечное сечение углубления СИД (211), углубление рассеивателя (12) имеет боковую стенку углубления рассеивателя (41) и поперечное сечение углубления рассеивателя (212), передающее основание (50) находится далее по ходу относительно СИД (20) и ранее по ходу относительно просвечивающего выходного окна (60); углубление СИД (11) находится ранее по ходу относительно передающего основания (50) и далее по ходу относительно СИД (20); углубление рассеивателя (12) находится далее по ходу относительно передающего основания (50) и ранее по ходу относительно просвечивающего выходного окна (60); а отношение поперечного сечения углубления рассеивателя (212) и поперечного сечения углубления СИД (211) находится в интервале от 1,01 до 2.

Светоизлучающее полупроводниковое устройство согласно изобретению содержит: подложку; первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на подложке; второй слой из полупроводника с проводимостью р-типа; активный слой, расположенный между первым и вторым слоями; проводящий слой, расположенный на втором слое; первый контакт, нанесенный на подложку; второй контакт, нанесенный на проводящий слой, при этом подложка содержит, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, выполненное в форме усеченной инвертированной пирамиды, при этом первый, второй, активный и проводящий слои нанесены как на горизонтальные участки подложки, так и на внутренние грани отверстий.

Изобретение относится к светоизлучающим диодам и, в частности, к технологии улучшения извлечения света. Технический результат заключается в повышении яркости за счет устранения желто-зеленого цвета.

Изобретение может быть использовано в излучателях или в фотоприемниках среднего инфракрасного диапазона. Способ изготовления полупроводниковой структуры на основе селенида свинца, содержащей подложку и пленку селенида свинца, включает формирование поликристаллической пленки селенида свинца и ее последующую термическую обработку в кислородсодержащей среде, при этом согласно изобретению поликристаллическую пленку селенида свинца формируют на подложке, выполненной из материала, имеющего температурный коэффициент линейного расширения, лежащий в диапазоне от 10·10-6 °С-1 до 26·10-6 °С-1.

Изобретение относится к твердотельным источникам света на основе органических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые используются для создания цветных информационных экранов и цветовых индикаторных устройств с высокими потребительскими свойствами, а также экономичных и эффективных источников света. Предложен органический светоизлучающий диод, содержащий несущую основу, выполненную в виде прозрачной подложки с размещенными на ней прозрачным слоем анода и металлическим слоем катода, между которыми расположен светоизлучающий слой, выполненный на основе дендронизованного полиарилсилана общей формулы (I) или (II), где n - целое число от 5 до 1000. Технический результат - расширение ассортимента ОСИД с высокими рабочими характеристиками, в частности, с диапазоном излучения от 400 до 700 нм, что позволяет использовать их в качестве источников света. 6 з.п. ф-лы, 3 ил., 6 пр.

Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечение кристалла светоизлучающего диода (СИД) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности, формование материала (54) прокладки поверх кристалла СИД так, что материал прокладки запечатывает кристалл СИД и, по существу, полностью заполняет зазор между кристаллом СИД и опорой, и удаление материала (54) прокладки, но меньшей мере, с верхней поверхности кристалла СИД, причем кристалл СИД содержит эпитаксиальные слои (10), выращенные на ростовой подложке, причем поверхность ростовой подложки является верхней поверхностью кристалла СИД, при этом способ дополнительно содержит этап удаления ростовой подложки с эпитаксиальных слоев после формования материала (54) прокладки поверх кристалла СИД. Также предложены промежуточный способ изготовления светоизлучающего устройства, светоизлучающее устройство до сингуляции, светоизлучающее устройство, содержащее именно перевернутый кристалл. Таким образом использованная в изобретении обработка на уровне пластины одновременно многих СИД значительно сокращает время изготовления и позволяет использовать для прокладки широкий диапазон материалов, поскольку допускает широкий диапазон вязкости. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является воспроизведение света практически равномерного цвета. Осветительное устройство 12 включает в себя множество точечных источников 17 света и основание 14, на котором размещены точечные источники 17 света, классифицируемые на два или более цветовых диапазонов А, В и С, в соответствии с цветами света. Каждый цветовой диапазон определяется посредством квадрата, каждая сторона которого имеет длину, равную 0,01 в цветовом графике цветового пространства Международной Комиссии по Освещению 1931. 4 н. и 22 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение может быть использовано при изготовлении твердотельных компактных мощных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазонов частот. Гетеропереходная структура согласно изобретению представляет собой совокупность чередующихся пар узкозонных (GaAs, либо GaN) и широкозонных (соответственно, Ga1-x Alx As, либо Ga1-xAlxN) полупроводниковых слоев. Толщины чередующихся узкозонных и широкозонных слоев выбираются одинаковыми в диапазоне 30…100 нм, узкозонные GaAs и GaN слои многослойной гетероструктуры легируются донорами до концентраций 5·1017…1·1018 см-3, а широкозонные слои Ga1-xAlxAs и Ga1-xAlxN не легируются, количество периодов пар чередующихся GaAs и Ga1-x Alx As (и, соответственно, GaN и Ga1-xAlxN) слоев мультислойной гетероструктуры выбирается от трех до нескольких десятков, мольная доля арсенида алюминия для всех слоев арсенида галлия - арсенида алюминия выбирается из диапазоне 0,20…0,35, а мольная доля нитрида алюминия для всех слоев нитрида галлия - нитрида алюминия выбирается из диапазона 0,35…0,65, при этом в слое Ga1-x Alx As (для системы GaAs-AlAs) и в слое Ga1-xAlxN (для системы GaN-AlN) из пары, наиболее удаленной от подложки, мольная доля арсенида алюминия (соответственно, нитрида алюминия) понижена и составляет около 0.7·Х, а сам этот слой покрыт более толстым (не менее 150 нм) легированным GaAs (соответственно, GaN) слоем. Вариантом заявляемой структуры может быть структура, в которой в слое твердого раствора из пары, ближайшей к подложке, мольная доля арсенида алюминия (соответственно, нитрида алюминия) составляет (0,65…0,75)·Х. Изобретение обеспечивает существенное увеличение мощности твердотельных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазона частот излучения 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Светоизлучающее устройство (1) содержит светоизлучающий диод (2), размещенный на монтажной подложке (3), причем упомянутое устройство имеет боковую периферийную поверхность (6) и верхнюю поверхность (8) и оптически активный слой покрытия (7), причем упомянутый слой покрытия (7) покрывает по меньшей мере часть упомянутой периферийной поверхности (6), простирается от монтажной подложки (3) до упомянутой верхней поверхности (8) и по существу не покрывает верхнюю поверхность (8). При этом по меньшей мере часть упомянутой боковой периферийной поверхности была предварительно обработана, чтобы она стала одной из полярной и аполярной, и при этом композиция покрытия, которая была использована для образования по меньшей мере части упомянутого слоя покрытия, является одной из полярной и аполярной. Также раскрыт способ получения такого устройства и предложен массив светоизлучающих устройств, состоящий из упомянутых выше светоизлучающих устройств. Изобретение обеспечивает возможность снижения потерь эффективности из-за рассеяния света через боковые поверхности светоизлучающего устройства. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 9 ил.

Сид-модуль // 2503093
Согласно изобретению предложен источник света, который содержит СИД-кристалл и люминесцентный преобразователь длины волны, смонтированные бок о бок на основании, причем СИД-кристалл выполнен с возможностью излучения света возбуждения в первом диапазоне длин волн, а люминесцентный преобразователь длины волны выполнен с возможностью преобразования света возбуждения в преобразованный свет во втором диапазоне длин волн; отражатель со встроенным поглощающим слоем, причем отражатель выполнен с возможностью пропускания преобразованного света от люминесцентного преобразователя длины волны, причем встроенный поглощающий слой выполнен с возможностью снижения пропускания отражателем любого света возбуждения, падающего на отражатель под, по существу, непрямыми углами; и отдельный полусферический поглотитель, расположенный вокруг люминесцентного преобразователя длины волны таким образом, что преобразованный свет от люминесцентного преобразователя длины волны проходит через отдельный полусферический поглотитель при нормальном угле падения, а свет возбуждения, пропущенный через отражатель, проходит через отдельный полусферический поглотитель под непрямым углом. Также предложен модуль светоизлучающего диода. Изобретение обеспечивает менее сложный способ удаления света возбуждения из света, выходящего из источника. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 12 ил., 2 табл.

Предложенный способ изготовления полупроводниковых излучателей применяется в технологии квантовой электроники. Получаемые полупроводниковые излучатели предназначены для использования в аппаратуре медицинской диагностики, экологической аппаратуре контроля газовых сред, волоконно-оптических датчиках давления, температуры, вибрации, химического анализа веществ, скорости потока жидкости и газов, в системах связи, контрольно-измерительной аппаратуре. Способ заключается в изготовлении полупроводникового излучателя, в котором торцевую грань, противоположную выводной, активного элемента соединяют с внешним спектрально-селективным отражателем на основе кристаллической брэгговской решетки, имеющей последовательность чередующихся параллельных слоев двух видов полупроводниковых материалов. Излучатель может быть суперлюминесцентный, лазерный одноэлементный, многоэлементный. Способ изготовления полупроводникового излучателя согласно изобретению обеспечивает упрощение технологии изготовления за счет упрощения и ускорения сборки элементов излучателя, увеличение мощности излучения при сохранении стабилизации длины волны и ширины спектра выходного излучения при изменении температуры окружающей среды и тока накачки через активный кристалл, увеличение долговечности и надежности, уменьшение габаритов излучателя, снижение его себестоимости. 8 з.п. ф-лы, 1 ил., 5 пр.

Изобретение относится к светотехнике, в частности к световым приборам на светодиодах. Сущность изобретения заключается в том, что рабочая поверхность формирующей оптической системы, через которую выводится излучение светодиода, представляет собой в общем случае асимметричную асферическую поверхность. Оптический модуль согласно изобретению содержит светодиод (светодиодный кристалл) и примыкающую к нему формирующую оптическую систему (ФОС), через которую выводится излучение светодиода. Рабочая световыводящая поверхность ФОС представляет собой асимметричную асферическую поверхность, при этом форма рабочей поверхности ФОС определена из решения предложенной системы уравнений. Задача изобретения заключается в создании оптического модуля, обеспечивающего формирование требуемой индикатрисы излучения. 1 табл., 3 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является уменьшение неравномерности яркости и оттенков. Блок (49) задней подсветки устройства отображения (69) отображения, включающего в себя жидкокристаллическую панель отображения (59), включает в себя основание (41), рассеивающую пластину (43), которая поддерживается посредством основания, и точечный источник света для облучения светом рассеивающей пластины. Точечный источник света включает в себя светодиод (22), установленный на монтажной подложке (21). Предоставляется множество светодиодов, и соответственно они покрываются рассеивающими линзами (24). Оптические оси (OA) рассеивающих линз наклонены относительно рассеивающей пластины, и рассеивающие линзы, имеющие различные наклоны оптических осей, располагаются на основании смешанным образом. Рассеивающие линзы, имеющие оптические оси, наклонные в противоположных направлениях, спариваются, и пары размещаются в матрице. 6 н. и 19 з.п. ф-лы, 12 ил.

Источник света, в котором используют светоиспускающий диод с элементом, преобразующим длину волны, выполнен с возможностью получения неравномерного углового распределения цвета, которое можно использовать с конкретным оптическим устройством, которое трансформирует угловое распределение цвета в равномерное распределение цвета. Соотношение высоты и ширины элемента, преобразующего длину волны, выбирают для получения желаемого неравномерного углового распределения цвета. Использование управляемой угловой неравномерности цвета в источнике света и его использование в применениях, которые трансформируют неравномерность в равномерное распределение цвета, увеличивает эффективность системы по сравнению со стандартными системами, в которых используют равномерный угловой светоиспускающий диод. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 10 ил.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2013-12-10 2013-12-09T14:38:22
Наверх