Устройство для сортировки на группы по электрическим параметрам плоских хрупких изделий



Устройство для сортировки на группы по электрическим параметрам плоских хрупких изделий
Устройство для сортировки на группы по электрическим параметрам плоских хрупких изделий

 


Владельцы патента RU 2528117:

Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (RU)

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники, а именно к устройствам для сортировки на группы по вольт-амперным характеристикам (ВАХ) фотопреобразователей (ФП) в спутниках, и может быть использовано при производстве фотоэлектрических панелей. Устройство содержит вертикальный пенал для сортируемых ФП с механизмом выгрузки и подачи изделий по транспортирующему горизонтальному каналу в узел контактирования, солнечный имитатор, измеритель ВАХ, узел позиционирования в виде горизонтального поворотного диска с приемными гнездами для изделий, приемные вертикальные пеналы в количестве N групп сортировки и загрузочные толкатели для загрузки последних. Приемные пеналы выполнены с возможностью загрузки изделий снизу вверх, толкатели установлены оппозитно их входным отверстиям. Приемные сквозные гнезда выполнены в количестве N плюс одно для загрузки изделия на диск узла позиционирования. Узел позиционирования установлен между приемными пеналами и толкателями и снабжен приводом поворота с фиксированным шагом, равным углу 360°/(N+l). Технический результат - повышение производительности и сокращение брака за счет механических повреждений ФП. 2 ил.

 

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники, а именно, к устройствам для сортировки на группы по вольт-ампернымхарактеристикам (ВАХ) фотопреобразователей (ФП) в спутниках, и может быть использовано при производстве фотоэлектрических панелей.

Наиболее близким аналогом к заявляемому техническому решению является устройство для сортировки интегральных схем в спутниках, которое содержит пенал для сортируемых изделий с механизмом выгрузки, вертикальный транспортирующий канал, узел контактирования, электрически соединенный с измерителем, приемные пеналы по числу групп сортировки, установленные в вертикальный ряд, узлы позиционирования изделий напротив входных отверстий приемных пеналов и толкатели для загрузки изделий в последние (SU 1018179 H01L 21/00, опубликовано 15.05.1983 г.).

Изделия в известном устройстве испытывают ударное воздействие, поскольку перемещаются в транспортирующем канале под собственным весом с возможностью механического повреждения. При увеличении числа групп, например до 20, возрастает вертикальный габарит транспортного канала, увеличиваются ударные нагрузки и снижается производительность в связи с увеличением времени полета изделия и последовательным выполнением операций транспортировки на позицию сортировки и загрузки в пенал группы сортировки.

Задача изобретения - совершенствование конструкции устройства для сортировки на группы по электрическим параметрам плоских хрупких изделий, преимущественно пластин ФП с достижением технического результата, выражающегося в повышении производительности устройства и сокращении брака за счет исключения механических повреждений изделий при их транспортировке и сортировке.

Технический результат достигается тем, что в устройстве для сортировки на группы по электрическим параметрам плоских хрупких изделий, преимущественно пластин ФП в спутниках, включающем пенал для сортируемых изделий с механизмом выгрузки, транспортирующий канал, узел контактирования, электрически соединенный с измерителем, приемные пеналы по числу групп сортировки, узел позиционирования изделий напротив входных отверстий приемных пеналов и толкатели для загрузки изделий в последние, транспортирующий канал размещен в горизонтальной плоскости, а приемные пеналы установлены вертикально и выполнены с возможностью загрузки снизу вверх, при этом узел позиционирования изделий установлен между приемными пеналами и толкателями и выполнен в виде горизонтального поворотного диска с приемными гнездами для изделий в количестве, превышающем число приемных пеналов N на один, при этом последние установлены с возможностью размещения приемных гнезд оппозитно их входным отверстиям при повороте диска на угол, равный шагу 360°/(N+1).

На фиг.1 изображен общий вид устройства; на фиг.2 - вид сверху фиг.1.

Устройство содержит вертикальный пенал 1 для сортируемых изделий (ФП) 2 с механизмом 3 выгрузки и подачи изделий по транспортирующему горизонтальному каналу 9 в узел контактирования 4, солнечный имитатор 11, измеритель 5 ВАХ, узел позиционирования 6 с приемными гнездами 7 для изделий, толкатели 8 для загрузки изделий в вертикальные приемные пеналы 10 в количестве N групп сортировки.

Приемные пеналы 10 выполнены с возможностью загрузки изделий снизу вверх, а толкатели 8 установлены оппозитно их входным отверстиям.

Узел позиционирования 6 в виде горизонтального поворотного диска, на котором приемные сквозные гнезда 7 для изделий выполнены в количестве N числа приемных пеналов 10 плюс одно для загрузки изделия на диск узла позиционирования. Так, например, при числе групп сортировки 15, приемных гнезд - 16. При таком соотношении обеспечивается непрерывность процесса приема изделий в узел позиционирования 6 без остановок на загрузку во время сортировки как в прототипе.

Оси симметрии приемных гнезд размещены радиально с шагом 360°/(N+1).

Узел позиционирования 6 установлен между приемными пеналами 10 и толкателями 8 и снабжен приводом (не показан) поворота с фиксированным шагом, равным углу 360°/(N+1).

В исходном положении N приемных гнезд 7 размещены оппозитно входным отверстиям приемных пеналов 10, а одно соосно транспортирующему каналу 9 на позиции загрузки.

Работа устройства осуществляется следующим образом.

Механизм загрузки 3 перемещает изделие 2 из пенала 1 по направляющей транспортируюшего канала 9 на позицию идентификации узла контактирования 4, включается имитатор 11 солнечного излучения и производится замер ВАХ характеристик изделия. По результатам замеров изделию присваивается номер n одной из групп и далее оно по каналу 9 перемещается в приемное гнездо 7 на диске узла позиционирования 6. Диск поворачивается на угол 360°/(N+1). Приемное гнездо с изделием устанавливается оппозитно входному отверстию ближайшего первого приемного пенала 10, позицию загрузки занимает соседнее приемное гнездо. Процесс повторяется, и, диск узла позиционирования 6 перемещает изделие 2 от пенала к пеналу. Заняв позицию под пеналом, соответствующим номеру n присвоенной группы, изделие толкателем 8 загружается в выбранный пенал.

Работа устройства управляется от ЭВМ типа IBM PC (не показана). ЭВМ обеспечивает замер ВАХ ФП и сортировку их в соответствии с полученными результатами на N групп в автоматическом режиме. Возможно и ручное управление устройством через интерфейс пользователя, поддерживаемый ЭВМ.

При заполнении одного из пеналов 10 по информации на сервисной панели системы управления и подачи звукового сигнала его извлекают вручную с последующей заменой.

Устройство для сортировки на группы по электрическим параметрам плоских хрупких изделий, преимущественно пластин фотопреобразователей в спутниках, включающее пенал для сортируемых изделий с механизмом выгрузки, транспортирующий канал, узел контактирования, электрически соединенный с измерителем, приемные пеналы по числу групп сортировки, узел позиционирования изделий напротив входных отверстий приемных пеналов и толкатели для загрузки изделий в последние, отличающееся тем, что транспортирующий канал размещен в горизонтальной плоскости, а приемные пеналы установлены вертикально и выполнены с возможностью загрузки снизу вверх, при этом узел позиционирования изделий установлен между приемными пеналами и толкателями и выполнен в виде горизонтального поворотного диска с приемными гнездами для изделий в количестве, превышающем число приемных пеналов N на один, при этом последние установлены с возможностью размещения приемных гнезд оппозитно их входным отверстиям при повороте диска на угол, равный шагу 360°/(N+1).



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических пластин (слоев) халькогенидов металлов, которые выделяют из взвеси путем осаждения их на подложку.

Изобретение относится к способу производства пластины держателя для электростатического держателя приемлемой продуктивности, который лишен неудовлетворительного высвобождения полупроводниковой пластины, которая является подложкой, которая должна быть обработана, с начального момента предоставления электростатического держателя для нового использования.

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к технологическому оборудованию для производства фотоэлектрических панелей, и, в частности, технологической таре для хрупких пластин фотопреобразователей (ФП) при позиционировании, фиксации, обработке, транспортировании, контроле, испытаниях и хранении.

Изобретение относится к захвату, в частности захвату Бернулли, для приема плоскостных элементов, например, кремниевых полупроводниковых пластин, с обеспечением низкой нагрузки на них.

Изобретение относится к устройству и способу управления температурой поверхности, по меньшей мере, одной подложки, лежащей в технологической камере реактора CVD. .

Изобретение относится к способу формирования штабелей легируемых с одной стороны полупроводниковых пластин, в частности солнечных полупроводниковых пластин, для загрузки технологической лодочки партиями полупроводниковых пластин, в которой предопределенное четное число полупроводниковых пластин рядами устанавливают в установочные шлицы подлежащего расположению точно в горизонтальной плоскости транспортировочного держателя с обращенным кверху отверстием для штабелирования.

Изобретение относится к способу формирования штабелей легируемых с одной стороны полупроводниковых пластин, в частности солнечных полупроводниковых пластин, для загрузки технологической лодочки партиями полупроводниковых пластин, в которой предопределенное четное число полупроводниковых пластин рядами устанавливают в установочные шлицы подлежащего расположению точно в горизонтальной плоскости транспортировочного держателя с обращенным кверху отверстием для штабелирования.

Изобретение относится к технологии нанесения покрытий и может быть использовано в качестве приспособления для закрепления пластинчатых деталей в технологическом оборудовании при нанесении на пластинах различных покрытий и тонких пленок, например на подложках полупроводниковых элементов.

Изобретение относится к электростатическому держателю, используемому для обработки подложек, таких как полупроводниковые пластины. .

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время термообработки при изготовлении полупроводниковый приборов. .
Изобретение относится к различным технологическим процессам, а именно к контролю электрических свойств алмазных пластин на промежуточных стадиях технологического процесса изготовления алмазных детекторов ионизирующих излучений.

Изобретение относится к тестированию матричных БИС считывания и может быть использовано для определения координат скрытых дефектов типа утечек сток-исток, которые невозможно обнаружить до стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов.

Изобретение относится к устройствам, используемым для климатических испытаний полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров.

Изобретение относится к способу выявления наличия дефектов в светодиодной структуре. Способ контроля качества светодиодной структуры заключается в регистрации излучения светодиодной структуры, обработке излучения для получения характеристик светодиодной структуры, на основе которых судят о качестве светодиодной структуры, при этом для каждой светодиодной структуры из партии изделий регистрируют спектр электролюминесценции, проводят построение зарегистрированного спектра в полулогарифмическом масштабе, разделяют коротковолновую область полученного спектра на участки, которые аппроксимируют определенной зависимостью, и выбирают аппроксимированные участки с максимальным и минимальным наклоном, определяют максимальную и минимальную температуры светодиодной структуры на выбранных участках, вычисляют среднее значение разницы температур, проводят сравнение значения разницы температур для каждой светодиодной структуры со средним, если значение разницы температур больше среднего, делают вывод о низком качестве структуры.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Технический результат - расширение функциональных возможностей одновременного определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин и электропроводности и толщины тонких полупроводниковых эпитаксиальных слоев в структурах «полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка».

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к неразрушающим методам контроля структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля качества эпитаксиальных слоев кремния в структурах «кремний на сапфире» (КНС).

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей. Сущность способа заключается в том, что при изготовлении высокоплотных электронных модулей на основе формирования встроенных пассивных элементов, прямого монтажа активных элементов (чипов) и послойного формирования межсоединений до изготовления и монтажа электронных модулей разрабатывают видоизменение схемы, которое предназначено только для ее тестируемости, а за счет технологических операций после формирования пассивных и монтажа активных элементов и перед формированием межсоединений проводят многофункциональный зондовый контроль работоспособности каждого элемента.

Изобретение относится к области испытаний сложно-функциональной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что используют трехпараметрическое распределение Вейбулла или доверительный интервал, внутренние границы которого (U - нижняя и V - верхняя) получают на основе обработки экспериментальных данных по облучению выборки размером n, внешние границы (U - нижняя и V - верхняя) задают из общих физических представлений, определяющими из которых является уровень отсутствия наблюдаемых критических изменений и незначительное, на 20-30%, превышение требований по стойкости объектов к воздействию ИИ, в выбранных границах (U, V) вводят экспериментально полученную интегральную функцию распределения нижних допустимых уровней стойкости к различным видам ИИ, определяют скорость изменения вероятности параметрических или функциональных отказов (интенсивность изменения параметрического ресурса), затем строят семейство графиков зависимости функции распределения F(U, x) от различных видов ионизирующих излучений (флюенса нейтронов (Fn); мощности дозы гамма-рентгеновского излучения (Pγ-X-Rey); полной поглощенной дозы (Dγ-X-Ray); флюенса тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) Фион; величины линейных потерь энергии (LET) (для аппаратуры, размещаемой на космическом аппарате (КА) и т.п.) при фиксированных значениях , по построенным графикам определяют уровень радиационной нагрузки , при котором вероятность отказа прибора составляет FCRIT, или ресурс сохранения работоспособности RСОХР=1-FCRIT.

Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники - инфракрасным (ИК) фотодетекторам - и может быть использовано для контроля технологического процесса и материала.

Изобретение относится к области проектирования контактирующих устройств для бескорпусных электронных компонентов и микроплат для трехмерных сборок и может быть использовано при производстве интегральных схем для их функционального контроля и электротренировки (ЭТТ).

Способ включает воздействие на кристалл исходного импульсного поляризованного немонохроматического излучения коротковолнового инфракрасного диапазона для получения исходного импульсного поляризованного излучения коротковолнового инфракрасного диапазона и импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, выделение импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, преобразование его в электрический сигнал, получение зависимости амплитуды электрического сигнала от длины волны импульсного поляризованного монохроматического излучения второй и суммарной гармоник, определение из нее длины волны 90-градусного синхронизма, по значению которого определяют мольное содержание Li2O в монокристалле LiNbO3. В качестве монокристалла LiNbO3 выбирают монокристалл в виде плоскопараллельной пластинки с кристаллографической осью Z, расположенной в плоскости входной грани кристалла, перпендикулярной оси оптической системы. Технический результат - повышение точности определения мольной доли Li2O в монокристалле LiNbO3 при низких значениях мольной доли Li2O и расширение функциональных возможностей. 3 ил.
Наверх