Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов



Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов
Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов
Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов
Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов
Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов
Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов
Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов
Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов
Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов
Избирательный усилитель с малым током потребления для sige техпроцессов

 


Владельцы патента RU 2515544:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в повышении добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (К0) на частоте квазирезонанса f0. Устройство содержит первый и второй входные транзисторы, эмиттеры которых через первый токостабилизирующий двухполюсник связаны с первой шиной источника питания, источник входного напряжения, подключенный к базе второго входного транзистора, первый и второй частотозадающие резисторы, первый корректирующий конденсатор, причем коллектор первого входного транзистора связан со второй шиной источника питания. Коллектор второго входного транзистора связан со второй шиной источника питания через первый частотозадающий резистор и соединен по переменному току со второй шиной источника питания через последовательно соединенные первый и второй дополнительный корректирующие конденсаторы, общий узел которых соединен с выходом устройства и базой первого входного транзистора, причем база первого входного транзистора подключена по переменному току к общей шине источников питания через второй частотозадающий резистор. 8 ил.

 

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п.

В задачах выделения высокочастотных сигналов сегодня широко используются интегральные операционные усилители со специальными элементами RC-коррекции, формирующими амплитудно-частотную характеристику резонансного типа [1, 2]. Однако классическое построение таких избирательных усилителей (ИУ) сопровождается значительными энергетическими потерями, которые идут в основном на обеспечение статического режима достаточно большого числа второстепенных транзисторов, образующих операционный усилитель [1, 2]. В этой связи весьма актуальной является задача построения избирательных усилителей на биполярных транзисторах, обеспечивающих выделение узкого спектра сигналов с достаточно высокой добротностью (Q) резонансной характеристики (Q=2÷10) при малом энергопотреблении.

Известны схемы ИУ на основе биполярных транзисторов, которые обеспечивают формирование амплитудно-частотной характеристики коэффициента усиления по напряжению в заданном диапазоне частот Δf=fB-fH [3-19]. Причем их верхняя граничная частота fB иногда формируется инерционностью транзисторов схемы (емкостью на подложку), а нижняя fH определяется корректирующим конденсатором.

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является избирательный усилитель, представленный в патенте RU 2421879, фиг.2. Он содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых через первый 3 токостабилизирующий двухполюсник связаны с первой 4 шиной источника питания, источник входного напряжения 5, подключенный к базе второго 2 входного транзистора, первый 6 и второй 7 частотозадающие резисторы, первый 8 корректирующий конденсатор, причем коллектор первого 1 входного транзистора связан со второй 9 шиной источника питания.

Существенный недостаток известного ИУ-прототипа состоит в том, что он не обеспечивает высокую добротность Q f 0 f B f H амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) и большой коэффициент усиления по напряжению К0>1 на частоте квазирезонанса (f0).

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (К0) на частоте квазирезонанса f0. Это позволяет в ряде случаев уменьшить общее энергопотребление и реализовать высококачественное избирательное устройство.

Поставленная задача решается тем, что в избирательном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых через первый 3 токостабилизирующий двухполюсник связаны с первой 4 шиной источника питания, источник входного напряжения 5, подключенный к базе второго 2 входного транзистора, первый 6 и второй 7 частотозадающие резисторы, первый 8 корректирующий конденсатор, причем коллектор первого 1 входного транзистора связан со второй 9 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - коллектор второго 2 входного транзистора связан со второй 9 шиной источника питания через первый 6 частотозадающий резистор и соединен по переменному току со второй 9 шиной источника питания через последовательно соединенные первый 8 и второй 10 дополнительный корректирующие конденсаторы, общий узел которых соединен с выходом устройства 11 и базой первого 1 входного транзистора, причем база первого 1 входного транзистора подключена по переменному току к общей шине источников питания 12 через второй 7 частотозадающий резистор.

Схема усилителя-прототипа показана на фиг.1. На фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения.

На чертеже фиг.3 представлена схема ИУ фиг.2 на n-p-n SiGe транзисторах в среде компьютерного моделирования Cadence.

На фиг.4 показаны логарифмические амплитудно-частотные (АЧХ) и фазочастотные (ФЧХ) характеристики ИУ фиг.3 в широком диапазоне частот от 1 кГц до 100 ГГц при параметрах элементов Rvar=128 Ом, Cvar=280 фФ.

На фиг.5 приведены ЛАЧХ и ФЧХ ИУ фиг.3 в более узком диапазоне частот от 100 МГц до 10 ГГц при Rvar=128 Ом, Cvar=280 фФ.

На фиг.6 приведена зависимость добротности Q и частоты квазирезонанса f0 от сопротивления Rvar схемы ИУ фиг.3.

На фиг.7 показана зависимость добротности Q и частоты квазирезонанса f0 от емкости конденсатора Cvar схемы ИУ фиг.3.

На фиг.8 представлена ЛАЧХ ИУ фиг.3 при различных значениях тока общей эмиттерной цепи транзисторов ИУ Ivar=I12=I3=2I0.

Избирательный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых через первый 3 токостабилизирующий двухполюсник связаны с первой 4 шиной источника питания, источник входного напряжения 5, подключенный к базе второго 2 входного транзистора, первый 6 и второй 7 частотозадающие резисторы, первый 8 корректирующий конденсатор, причем коллектор первого 1 входного транзистора связан со второй 9 шиной источника питания. Коллектор второго 2 входного транзистора связан со второй 9 шиной источника питания через первый 6 частотозадающий резистор и соединен по переменному току со второй 9 шиной источника питания через последовательно соединенные первый 8 и второй 10 дополнительный корректирующие конденсаторы, общий узел которых соединен с выходом устройства 11 и базой первого 1 входного транзистора, причем база первого 1 входного транзистора подключена по переменному току к общей шине источников питания 12 через второй 7 частотозадающий резистор.

Рассмотрим работу схемы фиг.2.

Источник входного сигнала 5 (uвх) изменяет ток коллектора входного транзистора 2. В силу комплексного характера нагрузки его коллекторной цепи на выходе 11 ИУ воспроизводится амплитудно-частотная характеристика полосно-пропускающего типа - конденсатор 8 обеспечивает высокое подавление входного сигнала в области нижних частот (f<f0), а конденсатор 10 - в области верхних частот (f>f0). Функция емкостного делителя и масштабного преобразования коллекторного тока транзистора 2 реализуется на резисторе 6 и резисторе 7. Подключение к выходу 11 базовой цепи транзистора 1 приводит к образованию контура регенеративной обратной связи за счет пропорционального изменения тока коллектора транзистора 2, обусловленного изменением эмиттерных токов транзисторов 1 и 2. В силу указанных выше свойств емкостного делителя в коллекторной цепи транзистора 2 эта обратная связь является реактивной как в области верхних (f>f0), так и в области нижних (f<f0) частот. Вещественность этой обратной связи реализуется только на частоте квазирезонанса f0 ИУ. Поэтому действие вводимой обратной связи направлено на увеличение добротности Q и коэффициента усиления К0 ИУ при сохранении неизменной частоты его квазирезонанса f0.

Комплексный коэффициент передачи ИУ фиг.2 как отношение выходного напряжения (выход устройства 11) к входному напряжению ивх (5) определяется формулой, которую можно получить с помощью методов анализа электронных схем

K ( j f ) = u 11 u в х = K 0 j f f 0 Q f 0 2 f 2 + j f f 0 Q ,                                     (1)

где f - частота входного сигнала;

f0 - частота квазирезонанса избирательного усилителя;

Q - добротность АЧХ избирательного усилителя;

К0 - коэффициент усиления ИУ на частоте квазирезонанса f0.

Причем:

f 0 = 1 2 π C 8 C 10 R 6 R 7 ,                                            (2)

где С8, С10, R6, R7 - параметры элементов 8, 10, 6 и 7.

Добротность ИУ определяется формулой

Q 1 = D 0 + C 8 C 10 R 6 R 7 ( 1 α 2 R 7 h 11.1 + h 11.2 ) ,                           (3)

где α2 - коэффициент передачи по току эмиттера транзистора 2;

h11.i - h-параметр i-го транзистора в схеме с общей базой;

- эквивалентное затухание пассивной частотозависимой цепи в коллекторе транзистора 2.

За счет выбора параметров элементов, входящих в формулу (3), можно обеспечить Q »1.

Формула для коэффициента усиления К0 в комплексном коэффициенте передачи (1) имеет вид

K 0 = Q α 2 h 11.1 + h 11.2 R 6 R 7 C 8 C 10 .                           (4)

Важной особенностью схемы является возможность оптимизации ее параметрической чувствительности.

Оптимальным соотношением является равенство емкостей конденсаторов 8 и 10 (С810). В этой связи необходимое значение добротности Q может быть реализовано параметрически - установлением определенного соотношения между сопротивлениями резисторов 7 (R7) и h11.1, h11.2, которые определяются током 2I0 источника тока 3. В силу непосредственной связи эмиттеров транзистора 1 и 2

h 11.1 = h 11.2 ϕ T / I 0 ,                      (5)

где φT≈25 мВ - температурный потенциал;

I3=2I0 - ток источника тока 3.

Поэтому параметрическое условие реализации необходимой добротности легко реализуется выбором режимов работы этих транзисторов. В частности, при выполнении равенства

2 ϕ T α 2 I 0 = R 7,                            (6)

обеспечивается экстремально низкая чувствительность добротности ИУ к емкостным элементам схемы. Действительно указанная выше оптимальность соотношения их номиналов (С810) позволяет реализовать равенство

S C 8 Q = S C 1 0 Q = 0 . ( 7 )

В практических задачах условие (7) может использоваться для повышения стабильности параметров ИУ в режимах настройки или масштабной перестройки частоты квазирезонанса.

Равенство C8=C10=C не противоречит условию равнономинальности пассивных элементов схемы (R7=R6=R). В этом случае параметр R

R = 2 ϕ T I 0 3 1 Q α 2 ,                   (8)

что обеспечивает реализацию любой требуемой добротности ИУ.

Представленные на фиг.4-8 результаты моделирования предлагаемого ИУ фиг.2 и 3 подтверждают указанные свойства заявляемых схем.

Таким образом, предлагаемые схемотехнические решения ИУ характеризуются более высокими значениями коэффициента усиления К0 на частоте квазирезонанса f0, а также повышенными величинами добротности Q, характеризующей его избирательные свойства.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz \ N. Prokopenko, A. Budyakov, K. Schmalz, C. Scheytt, P. Ostrovskyy \\ Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 /- Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp.50-53.

2. СВЧ СФ-блоки систем связи на базе полностью дифференциальных операционных усилителей. / Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., К. Schmalz, С.Scheytt. // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2010. Сборник трудов./ Под общ. ред. академика РАН А.Л.Стемпковского. - М.: ИППМ РАН, 2010. - С.583-586.

3. Патент US 4843343, fig.2.

4. Патент US 6060956, fig.1.

5. Патент US 6801090.

6. Патентная заявка US 2008/0122530, fig.4.

7. Патент WO/2006/077525.

8. Патент US 4974916.

9. Патентная заявка US 2007/0040604, fig.3.

10. Патент JP 2008529334.

11.Патент US 6972624, fig.6А.

12.Патент US 7135923.

13.Патент ЕР 0461922.

14.Патент WO 2007022705.

15.Патентная заявка US 2011/0057723, fig.8.

16.Патент US 6011431.

17.Патент US 5012201, fig.8.

18.Патент CN 101204009.

19.Патент US 5298802.

Избирательный усилитель с малым током потребления для SiGe техпроцессов, содержащий первый (1) и второй (2) входные транзисторы, эмиттеры которых через первый (3) токостабилизирующий двухполюсник связаны с первой (4) шиной источника питания, источник входного напряжения (5), подключенный к базе второго (2) входного транзистора, первый (6) и второй (7) частотозадающие резисторы, первый (8) корректирующий конденсатор, причем коллектор первого (1) входного транзистора связан со второй (9) шиной источника питания, отличающийся тем, что коллектор второго (2) входного транзистора связан со второй (9) шиной источника питания через первый (6) частотозадающий резистор и соединен по переменному току со второй (9) шиной источника питания через последовательно соединенные первый (8) и второй (10) дополнительный корректирующие конденсаторы, общий узел которых соединен с выходом устройства (11) и базой первого (1) входного транзистора, причем база первого (1) входного транзистора подключена по переменному току к общей шине источников питания (12) через второй (7) частотозадающий резистор.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных и избирательных усилителях ВЧ и СВЧ диапазонов).

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Техническим результатом является повышение добротности амплитудно-частотной характеристики избирательного усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса fo.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Техническим результатом является повышение добротности амплитудно-частотной характеристики избирательного усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса fo.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п. Техническим результатом является уменьшение общего энергопотребления за счет повышения добротности АЧХ усилителя и его коэффициента усиления по напряжению (K0) на частоте квазирезонанса f0.

Изобретение относится к схемам для улучшения избирательности входных каскадов приемников, подходящих для беспроводной связи. .

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в качестве устройства усиления аналоговых сигналов датчиков различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. .

Изобретение относится к дифференциальному усилительному устройству и, более конкретно, к коррекции напряжения смещения дифференциального усилительного устройства.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах СВЧ-фильтрации радиосигналов систем сотовой связи, спутникового телевидения, радиолокации и т.п.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения. Техническим результатом является уменьшение абсолютного значения систематической составляющей напряжения смещения нуля и его температурного и радиационного дрейфа. Дифференциальный операционный усилитель с пассивным параллельным каналом содержит два входных транзистора, два выходных транзистора, являющиеся полевыми транзисторами с управляющим p-n переходом, неинвертирующий каскад и управляемый источник тока. 1 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, радиотехники, связи. Техническим результатом является повышение коэффициента ослабления входного синфазного напряжения и исключение синфазной составляющей в выходных сигналах операционных усилителей, что позволит повысить эффективность использования их амплитудной характеристики. Инструментальный усилитель содержит: входной прецизионный преобразователь (1) первого (2) и второго (3) источников входных напряжений, связанных с общей шиной питания (4), первый (9), второй (10) и третий (11) резисторы обратной связи, активный сумматор (12) с инвертирующим (13) и неинвертирующим (14) входами. 3 з.п. ф-лы, 26 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п. Технический результат - уменьшение общего энергопотребление за счет увеличения затухания входного сигнала в диапазоне низких частот при повышенной и стабильной добротности АЧХ ИУ и коэффициенте усиления по напряжению (K0) на частоте квазирезонанса f0. Управляемый избирательный усилитель содержит источник входного сигнала, два входных транзистора, два токостабилизирующих двухполюсника, источник питания, токовое зеркало, два корректирующих конденсатора, резистор и буферный усилитель. В качестве входных транзисторов используются полевые транзисторы, исток которых соответствует эмиттеру, сток - коллектору, а затвор - базе биполярного транзистора. 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения. Техническим результатом является уменьшение систематической составляющей напряжения смещения нуля, а также его температурного и радиационного дрейфа. Гибридный дифференциальный усилитель содержит первый (1) входной транзистор, база которого подключена к неинвертирующему входу (2) устройства, коллектор связан с первой (3) шиной источника питания, а эмиттер соединен с эмиттером второго (4) входного транзистора, причем база второго (4) входного транзистора соединена с инвертирующим входом (5) устройства, а его коллектор соединен с выходом (6) устройства и связан со второй (7) шиной источника питания через цепь нагрузки (8). В качестве первого (1) входного транзистора используется первый (1) полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соответствует базе, исток - эмиттеру, а сток - коллектору биполярного транзистора, а цепь нагрузки (8) содержит второй (9) полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со второй (7) шиной источника питания, сток связан с коллектором второго (4) входного транзистора, а исток связан со второй (7) шиной источника питания через дополнительный p-n переход (10), идентичный эмиттерно-базовому переходу второго (4) входного транзистора. 1 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Техническим результатом является уменьшение общего энергопотребления. Избирательный усилитель содержит первый (1) входной транзистор, база которого соединена со входом (2) устройства, а коллектор соединен с выходом (3) устройства и через первый (4) частотозадающий резистор связан с первой (5) шиной источника питания, первый (6) корректирующий конденсатор, включенный по переменному току параллельно первому (4) частотозадающему резистору, второй (7) входной транзистор, коллектор которого связан со второй (8) шиной источника питания, а эмиттер подключен к эмиттеру первого (1) входного транзистора, второй (9) частотозадающий резистор, первый вывод которого соединен с базой второго (7) входного транзистора, второй (10) корректирующий конденсатор, первый вывод которого соединен с базой второго (7) входного транзистора. Второй вывод второго (10) корректирующего конденсатора подключен к выходу (3) устройства, а второй вывод второго (9) частотозадающего резистора соединен с первым (11) источником вспомогательного напряжения. 6 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Технический результат - повышение добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (К0) на частоте квазирезонанса f0,что позволяет в ряде случаев уменьшить общее энергопотребление. Избирательный усилитель содержит источник входного напряжения (1), преобразователь «напряжение-ток» (2), выходной транзистор (3), первую (4) шину источника питания, первый (5) частотозадающий резистор, первый (6) и второй (7) корректирующие конденсаторы, второй (8) и третий (9) частотозадающие резисторы, источник вспомогательного напряжения (10), отрицательную шину источника питания (11), общую шину источников питания (12), выход устройства (13), первый (14) дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, дополнительный транзистор (15) и дополнительный конденсатор (16). 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к составному транзистору, который может быть использован в качестве устройства усиления аналоговых сигналов и в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения. Технический результат заключается в повышении в 8÷10 раз верхней граничной частоты различных усилителей за счет уменьшение входной и выходной емкостей используемого в них составного транзистора. Составной транзистор содержит входной транзистор (1), база которого является базой (2), а эмиттер - эмиттером (3) составного транзистора, выходной транзистор (4), коллектор которого является коллектором (5) составного транзистора, а эмиттер соединен с коллектором входного транзистора (1), при этом в схему введен дополнительный транзистор (6), статический режим которого по току эмиттера устанавливается дополнительным источником опорного тока (7), включенным между первой (8) шиной источника питания и эмиттером дополнительного транзистора (6), причем база дополнительного транзистора (6) соединена с базой входного транзистора (1), его коллектор связан с эмиттером входного транзистора (1), а эмиттер подключен к базе выходного транзистора (4). 1 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области радиотехники, а конкретно к управляемым избирательным усилителям. Технический результат заключается в повышении добротности АЧХ и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса. Избирательный усилитель содержит источник сигнала, подключенный к базе первого входного транзистора, второй входной транзистор, первый токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого входного транзистора и первой шиной источника питания, второй токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером второго входного транзистора и первой шиной источника питания, первый корректирующий конденсатор, включенный между эмиттером первого и второго входных транзисторов, первый частотозадающий резистор, включенный между коллектором первого входного транзистора и второй шиной источника питания, второй корректирующий конденсатор, второй частотозадающий резистор. Второй корректирующий конденсатор включен между базой второго входного транзистора и коллектором первого входного транзистора, второй частотозадающий резистор включен между базой второго входного транзистора, связанной с выходом устройства и общей шиной источников питания, причем параллельно второму частотозадающему резистору включен по переменному току дополнительный корректирующий конденсатор. 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения. Техническим результатом является повышение входных сопротивлений для дифференциального и синфазного сигналов по двум из четырех входов ОУ. В мультидифференциальном операционном усилителе в качестве первого (5) и второго (8) выходных транзисторов используются первый и второй полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом, затворы которых соответствуют базе, стоки - коллекторам, а истоки - эмиттерам соответствующих первого (5) и второго (8) выходных транзисторов, причем коллектор первого (1) входного транзистора связан со второй (10) шиной источника питания, сток второго (8) выходного полевого транзистора связан с первой (7) шиной источника питания, выход второго (9) токового зеркала подключен к выходу устройства (11), затвор первого (5) выходного полевого транзистора соединен со вторым (12) неинвертирующим входом устройства, а затвор второго (8) выходного полевого транзистора соединен со вторым (13) инвертирующим входом устройства. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области радиотехники, а конкретно к управляемым избирательным усилителям. Технический результат заключается в расширение частотного диапазона избирательного усилителя. Избирательный усилитель содержит основной операционный усилитель, между выходом и инвертирующим входом которого включен первый частотозадающий резистор, первый и второй частотозадающие конденсаторы, включенные последовательно между выходом основного операционного усилителя и его инвертирующим входом, второй частотозадающий резистор, первый вывод которого соединен с общим узлом последовательно включенных первого и второго частотозадающих конденсаторов, источник входного напряжения, связанный со вторым выводом второго частотозадающего резистора. Источник входного напряжения связан со вторым выводом второго частотозадающего резистора через дополнительный инвертирующий каскад, неинвертирующий вход которого соединен с инвертирующим входом основного операционного усилителя. 10 ил.
Наверх