Управляемый избирательный усилитель



Управляемый избирательный усилитель
Управляемый избирательный усилитель
Управляемый избирательный усилитель
Управляемый избирательный усилитель
Управляемый избирательный усилитель
Управляемый избирательный усилитель
Управляемый избирательный усилитель
Управляемый избирательный усилитель
Управляемый избирательный усилитель

 


Владельцы патента RU 2519035:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п. Технический результат - уменьшение общего энергопотребление за счет увеличения затухания входного сигнала в диапазоне низких частот при повышенной и стабильной добротности АЧХ ИУ и коэффициенте усиления по напряжению (K0) на частоте квазирезонанса f0. Управляемый избирательный усилитель содержит источник входного сигнала, два входных транзистора, два токостабилизирующих двухполюсника, источник питания, токовое зеркало, два корректирующих конденсатора, резистор и буферный усилитель. В качестве входных транзисторов используются полевые транзисторы, исток которых соответствует эмиттеру, сток - коллектору, а затвор - базе биполярного транзистора. 8 ил.

 

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п.

В задачах выделения высокочастотных сигналов сегодня широко используются интегральные операционные усилители со специальными элементами RC-коррекции, формирующими амплитудно-частотную характеристику резонансного типа [1, 2]. Однако классическое построение таких избирательных усилителей (ИУ) сопровождается значительными энергетическими потерями, которые идут в основном на обеспечение статического режима достаточно большого числа второстепенных транзисторов, образующих операционный усилитель [1, 2]. В этой связи весьма актуальной является задача построения избирательных усилителей на двух-трех транзисторах, обеспечивающих выделение узкого спектра сигналов с достаточно высокой добротностью (Q) резонансной характеристики (Q=2÷40) при малом энергопотреблении.

Известны схемы ИУ интегрированных в архитектуру RC-фильтров на основе биполярных транзисторов, которые обеспечивают формирование амплитудно-частотной характеристики коэффициента усиления по напряжению в заданном диапазоне частот Δf=fв-fн [3-10]. Причем их верхняя fв и нижняя fн граничные частоты формируются специальными корректирующими конденсаторами.

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является избирательный усилитель, представленный в патенте US 4843343, фиг.1. Он содержит источник входного сигнала 1, соединенный с базой первого 2 входного транзистора, второй 3 входной транзистор, база которого связана с выходом 4 устройства, а эмиттер соединен с эмиттером первого 2 входного транзистора и через первый 5 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 6 шиной источника питания, токовое зеркало 7, согласованное со второй 8 шиной источника питания, выход которого 9 через второй 10 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 6 шиной источника питания, первый 11 корректирующий конденсатор, включенный по переменному току между выходом 9 токового зеркала 7 и общей шиной источников питания 12, второй 13 корректирующий конденсатор.

Существенные недостатки ИУ-прототипа фиг.1 состоят в следующем:

- для обеспечения большого затухания выходного сигнала в диапазоне низких частот (<<f0) в структуре ИУ фиг.1 необходимо использовать подключение источника сигнала 1 к базе первого 2 входного транзистора через специальный разделительный конденсатор, емкость которого должна быть значительно больше емкостей частотно-задающей цепи (первый 11 и второй 13 корректирующие конденсаторы). Кроме этого в данном случае необходим дополнительный режимозадающий резистор в цепи базы входного транзистора 2;

- для каскадирования (последовательного соединения) таких схем ИУ в полосовые фильтры необходимо использовать дополнительные буферные усилители;

- в его структуре проблематично получение высоких добротностей. При реализации больших добротностей (Q=3…10) необходимо использовать большое значение сопротивления токостабилизирующего двухполюсника 10, что увеличивает пропорционально влияние на работу схемы паразитной емкости коллекторного перехода транзистора 3 и выходной емкости токового зеркала. В конечном итоге это ограничивает диапазон рабочих частот ИУ-прототипа.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в увеличении затухания выходного сигнала в диапазоне низких частот при повышенной и достаточно стабильной добротности Q амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) ИУ и большом коэффициенте усиления по напряжению (K0) на частоте квазирезонанса f0.

Поставленная задача решается тем, что в избирательном усилителе фиг.1, содержащем источник входного сигнала 1, соединенный с базой первого 2 входного транзистора, второй 3 входной транзистор, база которого связана с выходом 4 устройства, а эмиттер соединен с эмиттером первого 2 входного транзистора и через первый 5 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 6 шиной источника питания, токовое зеркало 7, согласованное со второй 8 шиной источника питания, выход которого 9 через второй 10 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 6 шиной источника питания, первый 11 корректирующий конденсатор, включенный по переменному току между выходом 9 токового зеркала 7 и общей шиной источников питания 12, второй 13 корректирующий конденсатор, предусмотрены новые элементы и связи - в качестве первого 2 и второго 3 входных транзисторов используются полевые транзисторы, исток которых соответствует эмиттеру, сток - коллектору, а затвор - базе биполярного транзистора, причем сток второго 3 входного транзистора соединен со входом 14 токового зеркала 7, выход 9 токового зеркала 7 связан со входом дополнительного буферного усилителя 15, выход которого соединен с выходом устройства 4 через второй 13 корректирующий конденсатор, сток первого 2 входного транзистора связан со второй 8 шиной источника питания, а выход устройства 4 зашунтирован по переменному току дополнительным резистором 16.

Схема усилителя-прототипа показана на фиг.1. На фиг.2 представлена схема заявляемого ИУ в соответствии с формулой изобретения.

На фиг.3 представлена схема ИУ фиг.2 с конкретным выполнением токового зеркала 7 и буферного усилителя 15.

На фиг.4 показана схема ИУ фиг.3 в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях SiGe интегральных транзисторов.

На фиг.5 приведена логарифмическая амплитудно-частотная характеристика ИУ фиг.4 в диапазоне частот 0,2-5 ГГц при разных значениях тока I0 токостабилизирующего двухполюсника 5.

На фиг.6 приведена логарифмическая фазочастотная характеристика ИУ фиг.4 в диапазоне частот 0,2-5 ГГц при разных значениях тока 10 двухполюсника 5.

На фиг.7 и 8 показаны амплитудно-частотная (фиг.7) и фазочастотная (фиг.8) характеристики ИУ фиг.4 в диапазоне частот 0,5-2 ГГц при разных величинах тока двухполюсника 20 (I20=Iк).

Управляемый избирательный усилитель содержит источник входного сигнала 1, соединенный с базой первого 2 входного транзистора, второй 3 входной транзистор, база которого связана с выходом 4 устройства, а эмиттер соединен с эмиттером первого 2 входного транзистора и через первый 5 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 6 шиной источника питания, токовое зеркало 7, согласованное со второй 8 шиной источника питания, выход которого 9 через второй 10 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 6 шиной источника питания, первый 11 корректирующий конденсатор, включенный по переменному току между выходом 9 токового зеркала 7 и общей шиной источников питания 12, второй 13 корректирующий конденсатор. В качестве первого 2 и второго 3 входных транзисторов используются полевые транзисторы, исток которых соответствует эмиттеру, сток - коллектору, а затвор - базе биполярного транзистора, причем сток второго 3 входного транзистора соединен со входом 14 токового зеркала 7, выход 9 токового зеркала 7 связан со входом дополнительного буферного усилителя 15, выход которого соединен с выходом устройства 4 через второй 13 корректирующий конденсатор, сток первого 2 входного транзистора связан со второй 8 шиной источника питания, а выход устройства 4 зашунтирован по переменному току дополнительным резистором 16.

На фиг.3 токовое зеркало 7 реализовано на транзисторах 17 и 18, а дополнительный буферный усилитель 15 содержит транзистор 19 и источник тока 20. В цепь стока транзистора 2 включен транзистор 21, что повышает симметрию схемы.

Рассмотрим работу предлагаемого ИУ на примере анализа частного варианта его построения (фиг.3).

Источник входного сигнала uвх (1) изменяет токи истоков (стоков) МОП транзисторов 2 и 3. Ток стока транзистора 3 изменяет ток базы и эмиттера транзистора 17. Аналогичное изменение коллекторного тока транзистора 17 в силу характера его коллекторной нагрузки приводит к усилению сигналов нижних частот и ослаблению сигналов верхних частот в цепи базы транзистора 19. Преобразование падения напряжения на двухполюснике 10 и конденсаторе 11 в напряжение эмиттерной цепи транзистора 19 обеспечивает (в силу дифференцирующих свойств цепи, образованной последовательным соединением конденсатора 13 и резистора 16) зависимость выходного напряжения ИУ (узел 4), соответствующую характеристике избирательного усилителя. Таким образом, регенеративные свойства контура обратной связи ИУ фиг.3 формируют его максимальную глубину только на одной частоте, совпадающей с частотой квазирезонанса избирательного усилителя (f0). Указанное свойство ИУ обеспечивает увеличение реализуемой добротности (Q) и коэффициента усиления (К0) без изменения f0.

Комплексный коэффициент передачи ИУ как отношение выходного напряжения uвых=uвых.4 (выход устройства 4) к входному напряжению uвх усилителя фиг.2 определяется формулой, которую можно получить с помощью методов анализа электронных схем

K ( j f ) 12 = u в ы х .4 u в х = K 0 j f f 0 Q f 0 2 f 2 + j f f 0 Q , ( 1 )

где f - частота входного сигнала;

f0 - частота квазирезонанса ИУ;

Q - добротность АЧХ избирательного усилителя;

К0 - коэффициент усиления ИУ по напряжению на частоте квазирезонанса f0. Причем

f 0 = 1 2 π C 13 C 11 R 10 ( R в ы х 15 + R 16 ) , ( 2 )

Q 1 = d p = C 11 R 10 C 13 ( R 16 + R в ы х 15 ) + C 13 ( R 16 + R в ы х 15 ) C 11 R 10 ( 1 S R 16 R 10 R 16 + R в ы х 15 ) , ( 3 )

K 0 = Q S R 16 R 10 C 13 C 11 1 1 + R в ы х 15 R 16 , ( 4 )

где Rвых15, S - выходное сопротивление буферного усилителя 15 и крутизна токового зеркала 7.

Особенность структуры ИУ фиг.2 позволяет выбрать оптимальные значения параметров элементов схемы

m = C 11 R 10 C 13 ( R 16 + R в ы х 15 ) , ( 5 )

R16=kRвых15,

m o p t = 1 2 d p ; k o p t = 1 4 d p 2 . ( 6 )

Тогда для схемы фиг.3

R 2 2 h 11.17 α 17 1 + k k , ( 7 )

Поэтому, выбор m=mopt осуществляется через отношение емкостей конденсаторов C13 и C11

C 11 C 13 = n , ( 8 )

при C 10 C 16 = l можно найти

n = 1 l ( 1 + 1 k ) d p 2 4 . ( 9 )

Например, при выборе k≈3, получим l≈3/k и n = d p 2 3 легко реализуемые параметрические условия.

Совокупность структурных и параметрических особенностей схемы заявляемого устройства позволяет осуществить настройку его частоты квазирезонанса f0. Так, для управления частотой квазирезонанса f0 через изменение выходного сопротивления буферного усилителя 15 необходимо обеспечить зависимость Rвых15Т/Iк (фиг.3). Учитывая, что R16=kRвых15, реализация ограничений (6) приводит к следующему дополнительному параметрическому условию:

R 2 = 2 h 11.17 1 + k α 17 k ( 1 1 4 d p 2 ) = 1 2 h 11.17 ( 4 d p 2 ) 1 + k α 17 k 2 h 11.17 α 17 1 + k k , ( 10 )

где α17, h11.17 - малосигнальные параметры транзистора 17.

Например, для изменения f0 на ±10% целесообразно иметь

k 3, R 2 8 3 h 11.17 3 h 11.17 . ( 11 )

Тогда параметры dp и m o p t = 1 2 d p (при R 10 R 16 = 1 ) задаются «перекосом» емкостей Сп13=n при сохранении соотношений

n R 10 R 16 + R в ы х 15 = n l 1 1 + 1 / k = n l k 1 + k = 1 4 d p 2 , ( 12 )

n = 1 l ( 1 + 1 k ) d p 2 4 .

Для случая, когда k 3 и l 3 h 11.17 k R в ы х 15 3 k

получаем, что

n = 1 3 ( k + 1 ) d p 2 4 4 3 d p 2 4 = d p 2 3 . ( 13 )

Настройка схемы на требуемое значение добротности Q осуществляется в соответствии с соотношением (3) изменением крутизны S через источник стабильного тока I5. Для схемы фиг.3 параметр S=α17/h11.17≈φТ/I0 и, как видно из соотношения (2), режимная зависимость крутизны S не изменяет значения f0.

Таким образом, предлагаемое схемотехническое решение обеспечивает неитерационную процедуру настройки ИУ при сохранении высокого асимптотического затухания в области нижних частот (f<<f0) и нулевых режимных (постоянных) входных и выходных напряжениях схемы. Дополнительно отметим, что выбор (реализация) указанных выше параметров не требует значительного напряжения источника питания.

Представленные на фиг.5-8 результаты моделирования предлагаемого ИУ подтверждают указанные свойства.

Таким образом, заявляемое схемотехническое решение ИУ характеризуется более высокими значениями коэффициента усиления K0 на частоте квазирезонанса f0, повышенными величинами добротности Q, характеризующей его избирательные свойства, а также более высоким ослаблением выходного сигнала в диапазоне низких частот.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz \ N.Prokopenko, A.Budyakov, K.Schmalz, C.Scheytt, P.Ostrovskyy \\ Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 /- Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp.50-53.

2. СВЧ СФ-блоки систем связи на базе полностью дифференциальных операционных усилителей./ Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., К. Schmalz, С.Scheytt. // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л.Стемпковского. - М.: ИППМ РАН, 2010. - С.583-586.

3. Патент US 4843343.

4. Патент US 4590435, fig.5.

5. Патент US 4999585, fig.2.

6. Патент US 6307438, fig.2.

7. Патент US 4267518, fig.4.

8. Патент WO 03052925.

9. Патентная заявка US 2008/0246538, fig.3.

10. Патентная заявка US 2010/0201437.

Управляемый избирательный усилитель, содержащий источник входного сигнала 1, соединенный с базой первого 2 входного транзистора, второй 3 входной транзистор, база которого связана с выходом 4 устройства, а эмиттер соединен с эмиттером первого 2 входного транзистора и через первый 5 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 6 шиной источника питания, токовое зеркало 7, согласованное со второй 8 шиной источника питания, выход которого 9 через второй 10 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 6 шиной источника питания, первый 11 корректирующий конденсатор, включенный по переменному току между выходом 9 токового зеркала 7 и общей шиной источников питания 12, второй 13 корректирующий конденсатор, отличающийся тем, что в качестве первого 2 и второго 3 входных транзисторов используются полевые транзисторы, исток которых соответствует эмиттеру, сток - коллектору, а затвор - базе биполярного транзистора, причем сток второго 3 входного транзистора соединен с входом 14 токового зеркала 7, выход 9 токового зеркала 7 связан с входом дополнительного буферного усилителя 15, выход которого соединен с выходом устройства 4 через второй 13 корректирующий конденсатор, сток первого 2 входного транзистора связан со второй 8 шиной источника питания, а выход устройства 4 зашунтирован по переменному току дополнительным резистором 16.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области измерительной техники, радиотехники, связи. Техническим результатом является повышение коэффициента ослабления входного синфазного напряжения и исключение синфазной составляющей в выходных сигналах операционных усилителей, что позволит повысить эффективность использования их амплитудной характеристики.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в повышении добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (К0) на частоте квазирезонанса f0.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных и избирательных усилителях ВЧ и СВЧ диапазонов).

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Техническим результатом является повышение добротности амплитудно-частотной характеристики избирательного усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса fo.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Техническим результатом является повышение добротности амплитудно-частотной характеристики избирательного усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса fo.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п. Техническим результатом является уменьшение общего энергопотребления за счет повышения добротности АЧХ усилителя и его коэффициента усиления по напряжению (K0) на частоте квазирезонанса f0.

Изобретение относится к схемам для улучшения избирательности входных каскадов приемников, подходящих для беспроводной связи. .

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в качестве устройства усиления аналоговых сигналов датчиков различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. .

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения. Техническим результатом является уменьшение систематической составляющей напряжения смещения нуля, а также его температурного и радиационного дрейфа. Гибридный дифференциальный усилитель содержит первый (1) входной транзистор, база которого подключена к неинвертирующему входу (2) устройства, коллектор связан с первой (3) шиной источника питания, а эмиттер соединен с эмиттером второго (4) входного транзистора, причем база второго (4) входного транзистора соединена с инвертирующим входом (5) устройства, а его коллектор соединен с выходом (6) устройства и связан со второй (7) шиной источника питания через цепь нагрузки (8). В качестве первого (1) входного транзистора используется первый (1) полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соответствует базе, исток - эмиттеру, а сток - коллектору биполярного транзистора, а цепь нагрузки (8) содержит второй (9) полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со второй (7) шиной источника питания, сток связан с коллектором второго (4) входного транзистора, а исток связан со второй (7) шиной источника питания через дополнительный p-n переход (10), идентичный эмиттерно-базовому переходу второго (4) входного транзистора. 1 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Техническим результатом является уменьшение общего энергопотребления. Избирательный усилитель содержит первый (1) входной транзистор, база которого соединена со входом (2) устройства, а коллектор соединен с выходом (3) устройства и через первый (4) частотозадающий резистор связан с первой (5) шиной источника питания, первый (6) корректирующий конденсатор, включенный по переменному току параллельно первому (4) частотозадающему резистору, второй (7) входной транзистор, коллектор которого связан со второй (8) шиной источника питания, а эмиттер подключен к эмиттеру первого (1) входного транзистора, второй (9) частотозадающий резистор, первый вывод которого соединен с базой второго (7) входного транзистора, второй (10) корректирующий конденсатор, первый вывод которого соединен с базой второго (7) входного транзистора. Второй вывод второго (10) корректирующего конденсатора подключен к выходу (3) устройства, а второй вывод второго (9) частотозадающего резистора соединен с первым (11) источником вспомогательного напряжения. 6 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Технический результат - повышение добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (К0) на частоте квазирезонанса f0,что позволяет в ряде случаев уменьшить общее энергопотребление. Избирательный усилитель содержит источник входного напряжения (1), преобразователь «напряжение-ток» (2), выходной транзистор (3), первую (4) шину источника питания, первый (5) частотозадающий резистор, первый (6) и второй (7) корректирующие конденсаторы, второй (8) и третий (9) частотозадающие резисторы, источник вспомогательного напряжения (10), отрицательную шину источника питания (11), общую шину источников питания (12), выход устройства (13), первый (14) дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, дополнительный транзистор (15) и дополнительный конденсатор (16). 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к составному транзистору, который может быть использован в качестве устройства усиления аналоговых сигналов и в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения. Технический результат заключается в повышении в 8÷10 раз верхней граничной частоты различных усилителей за счет уменьшение входной и выходной емкостей используемого в них составного транзистора. Составной транзистор содержит входной транзистор (1), база которого является базой (2), а эмиттер - эмиттером (3) составного транзистора, выходной транзистор (4), коллектор которого является коллектором (5) составного транзистора, а эмиттер соединен с коллектором входного транзистора (1), при этом в схему введен дополнительный транзистор (6), статический режим которого по току эмиттера устанавливается дополнительным источником опорного тока (7), включенным между первой (8) шиной источника питания и эмиттером дополнительного транзистора (6), причем база дополнительного транзистора (6) соединена с базой входного транзистора (1), его коллектор связан с эмиттером входного транзистора (1), а эмиттер подключен к базе выходного транзистора (4). 1 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области радиотехники, а конкретно к управляемым избирательным усилителям. Технический результат заключается в повышении добротности АЧХ и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса. Избирательный усилитель содержит источник сигнала, подключенный к базе первого входного транзистора, второй входной транзистор, первый токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого входного транзистора и первой шиной источника питания, второй токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером второго входного транзистора и первой шиной источника питания, первый корректирующий конденсатор, включенный между эмиттером первого и второго входных транзисторов, первый частотозадающий резистор, включенный между коллектором первого входного транзистора и второй шиной источника питания, второй корректирующий конденсатор, второй частотозадающий резистор. Второй корректирующий конденсатор включен между базой второго входного транзистора и коллектором первого входного транзистора, второй частотозадающий резистор включен между базой второго входного транзистора, связанной с выходом устройства и общей шиной источников питания, причем параллельно второму частотозадающему резистору включен по переменному току дополнительный корректирующий конденсатор. 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения. Техническим результатом является повышение входных сопротивлений для дифференциального и синфазного сигналов по двум из четырех входов ОУ. В мультидифференциальном операционном усилителе в качестве первого (5) и второго (8) выходных транзисторов используются первый и второй полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом, затворы которых соответствуют базе, стоки - коллекторам, а истоки - эмиттерам соответствующих первого (5) и второго (8) выходных транзисторов, причем коллектор первого (1) входного транзистора связан со второй (10) шиной источника питания, сток второго (8) выходного полевого транзистора связан с первой (7) шиной источника питания, выход второго (9) токового зеркала подключен к выходу устройства (11), затвор первого (5) выходного полевого транзистора соединен со вторым (12) неинвертирующим входом устройства, а затвор второго (8) выходного полевого транзистора соединен со вторым (13) инвертирующим входом устройства. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области радиотехники, а конкретно к управляемым избирательным усилителям. Технический результат заключается в расширение частотного диапазона избирательного усилителя. Избирательный усилитель содержит основной операционный усилитель, между выходом и инвертирующим входом которого включен первый частотозадающий резистор, первый и второй частотозадающие конденсаторы, включенные последовательно между выходом основного операционного усилителя и его инвертирующим входом, второй частотозадающий резистор, первый вывод которого соединен с общим узлом последовательно включенных первого и второго частотозадающих конденсаторов, источник входного напряжения, связанный со вторым выводом второго частотозадающего резистора. Источник входного напряжения связан со вторым выводом второго частотозадающего резистора через дополнительный инвертирующий каскад, неинвертирующий вход которого соединен с инвертирующим входом основного операционного усилителя. 10 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в радиоприемных устройствах, фазовых детекторах и модуляторах, а также в системах умножения частоты. Достигаемый технический результат: получение на выходе не только амплитудных изменений выходного сигнала под действием управляющего напряжения, но и его фазы, что позволяет подавить основные гармоники. Управляемый усилитель и смеситель аналоговых сигналов содержит первый (1) и второй (2) источники противофазных входных напряжений, первый (3) входной транзистор, эмиттер которого через первый (4) токостабилизирующий двухполюсник связан с первым (5) источником питания, второй (6) входной транзистор, эмиттер которого через второй (7) токостабилизирующий двухполюсник связан с первым (5) источником питания, третий (8) входной транзистор, эмиттер которого связан с эмиттером четвертого (9) входного транзистора и через третий (10) токостабилизирующий двухполюсник соединен с первым (5) источником питания, дифференциальную цепь нагрузки, согласованную со вторым источником питания. 3 з.п. ф-лы, 21 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства для прецизионного усиления по мощности аналоговых сигналов, в структурах неинвертирующих усилителей и выходных каскадов различного функционального назначения, в том числе ВЧ- и СВЧ-диапазонов. Технический результат: уменьшение уровня нелинейных искажений и шумов различного происхождения в цепи нагрузки ШНУ с неинвертирующим выходным каскадом. Широкополосный неинвертирующий усилитель с малым уровнем нелинейных искажений и шумов содержит неинвертирующий выходной каскад (1), вход которого связан со входом устройства (2) и источником входного напряжения (3) через согласующий резистор (4), цепь нагрузки (5), подключенную к выходу (6) устройства, связанному с выходом неинвертирующего выходного каскада (1). Между входом (2) и выходом (6) устройства включены последовательно соединенные инвертирующий буферный усилитель (7), второй (8) и третий (9) дополнительные резисторы, причем общий узел (10) второго (8) и третьего (9) дополнительных резисторов подключен ко входу корректирующего каскада (11), токовый выход которого (12) соединен со входом неинвертирующего выходного каскада (1). 2 з.п. ф-лы, 19 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении эквивалентной выходной емкости составного транзистора. Составной транзистор с малой выходной емкостью содержит выходной транзистор, база которого связана с эмиттером входного транзистора, коллектор подключен к коллектору входного транзистора и связан с эквивалентным коллекторным выводом составного транзистора, база входного транзистора соединена с эквивалентным базовым выводом составного транзистора, а эмиттер выходного транзистора связан с эквивалентным эмиттерным выводом составного транзистора, причем между коллектором и базой выходного транзистора включена первая паразитная емкость коллектор-база, а между коллектором и базой входного транзистора включена вторая паразитная емкость коллектор-база, причем база выходного транзистора связана с эмиттером входного транзистора через неинвертирующий усилитель тока. 2 з.п. ф-лы, 12 ил.
Наверх