Мультидифференциальный операционный усилитель



Мультидифференциальный операционный усилитель
Мультидифференциальный операционный усилитель
Мультидифференциальный операционный усилитель
Мультидифференциальный операционный усилитель
Мультидифференциальный операционный усилитель
Мультидифференциальный операционный усилитель
Мультидифференциальный операционный усилитель

 


Владельцы патента RU 2523124:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения. Техническим результатом является повышение входных сопротивлений для дифференциального и синфазного сигналов по двум из четырех входов ОУ. В мультидифференциальном операционном усилителе в качестве первого (5) и второго (8) выходных транзисторов используются первый и второй полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом, затворы которых соответствуют базе, стоки - коллекторам, а истоки - эмиттерам соответствующих первого (5) и второго (8) выходных транзисторов, причем коллектор первого (1) входного транзистора связан со второй (10) шиной источника питания, сток второго (8) выходного полевого транзистора связан с первой (7) шиной источника питания, выход второго (9) токового зеркала подключен к выходу устройства (11), затвор первого (5) выходного полевого транзистора соединен со вторым (12) неинвертирующим входом устройства, а затвор второго (8) выходного полевого транзистора соединен со вторым (13) инвертирующим входом устройства. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

 

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в фотоприемных устройствах, решающих усилителях с малыми значениями входной проводимости).

В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение дифференциальные операционные усилители (ОУ) с существенными различными параметрами. Особое место занимают ОУ с комплементарными входными каскадами [1-11]. Такие ОУ имеют предельно простую структуру и характеризуются малым энергопотреблением.

Предлагаемое изобретение относится к классу ОУ на базе комплементарных входных каскадов [1-11].

Наиболее близким по сущности к заявляемому техническому решению является классическая схема ОУ, фиг.1, представленная в авт. свид. СССР №603097, которая также присутствует в большом числе других патентов, например [1-11]. ОУ-прототип, фиг.1, содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, база первого 1 входного транзистора соединена с первым 3 инвертирующим входом устройства, база второго 2 входного транзистора соединена с первым 4 неинвертирующим входом устройства, первый 5 выходной транзистор, эмиттер которого связан с эмиттером первого 1 входного транзистора, а коллектор подключен ко входу первого 6 токового зеркала, согласованного с первой 7 шиной источника питания, второй 8 выходной транзистор, эмиттер которого связан с эмиттером второго 2 входного транзистора, второе 9 токовое зеркало, согласованное со второй 10 шиной источника питания, вход которого связан с коллектором второго 2 входного транзистора, причем выход устройства 11 соединен с выходом первого 6 токового зеркала.

Существенный недостаток известного ОУ, фиг.1, состоит в том, что он имеет только два входа, что не позволяет его использовать в классе достаточно перспективных активных элементов аналоговой схемотехники нового поколения - мультидифференциальных ОУ.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в увеличении числа входов ОУ, т.е. в создании мультидифференциального ОУ. Дополнительная задача - повышение дифференциального и синфазного входных сопротивлений по двум из четырех входов ОУ и создание условий для реализации малых напряжений смещения нуля.

Поставленная задача достигается тем, что в мультидифференциальном операционном усилителе, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, база первого 1 входного транзистора соединена с первым 3 инвертирующим входом устройства, база второго 2 входного транзистора соединена с первым 4 неинвертирующим входом устройства, первый 5 выходной транзистор, эмиттер которого связан с эмиттером первого 1 входного транзистора, а коллектор подключен ко входу первого 6 токового зеркала, согласованного с первой 7 шиной источника питания, второй 8 выходной транзистор, эмиттер которого связан с эмиттером второго 2 входного транзистора, второе 9 токовое зеркало, согласованное со второй 10 шиной источника питания, вход которого связан с коллектором второго 2 входного транзистора, причем выход устройства 11 соединен с выходом первого 6 токового зеркала, предусмотрены новые элементы и связи - в качестве первого 5 и второго 8 выходных транзисторов используются первый и второй полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом, затворы которых соответствуют базе, стоки - коллекторам, а истоки - эмиттерам соответствующих первого 5 и второго 8 выходных транзисторов, причем коллектор первого 1 входного транзистора связан со второй 10 шиной источника питания, сток второго 8 выходного полевого транзистора связан с первой 7 шиной источника питания, выход второго 9 токового зеркала подключен к выходу устройства И, затвор первого 5 выходного полевого транзистора соединен со вторым 12 неинвертирующим входом устройства, а затвор второго 8 выходного полевого транзистора соединен со вторым 13 инвертирующим входом устройства.

Схема усилителя-прототипа показана на фиг.1.

На фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.2 формулы изобретения.

Схема ДУ, соответствующая п.3 и 4 формулы изобретения, показана на фиг.3.

На фиг.4 представлена схема заявляемого ОУ в среде PSpice на моделях транзисторов аналогового базового матричного кристалла АБМК_1_3, соответствующая п.5 формулы изобретения, а на фиг.5 приведена зависимость коэффициента усиления по напряжению от частоты ОУ фиг.4.

На фиг.6 представлена частотная зависимость коэффициента усиления по напряжению ОУ фиг.4 со 100% отрицательной обратной связью.

На фиг.7 представлена зависимость напряжения смещения нуля от температуры ОУ фиг.4.

Мультидифференциальный операционный усилитель содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, база первого 1 входного транзистора соединена с первым 3 инвертирующим входом устройства, база второго 2 входного транзистора соединена с первым 4 неинвертирующим входом устройства, первый 5 выходной транзистор, эмиттер которого связан с эмиттером первого 1 входного транзистора, а коллектор подключен ко входу первого 6 токового зеркала, согласованного с первой 7 шиной источника питания, второй 8 выходной транзистор, эмиттер которого связан с эмиттером второго 2 входного транзистора, второе 9 токовое зеркало, согласованное со второй 10 шиной источника питания, вход которого связан с коллектором второго 2 входного транзистора, причем выход устройства 11 соединен с выходом первого 6 токового зеркала. В качестве первого 5 и второго 8 выходных транзисторов используются первый и второй полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом, затворы которых соответствуют базе, стоки - коллекторам, а истоки - эмиттерам соответствующих первого 5 и второго 8 выходных транзисторов, причем коллектор первого 1 входного транзистора связан со второй 10 шиной источника питания, сток второго 8 выходного полевого транзистора связан с первой 7 шиной источника питания, выход второго 9 токового зеркала подключен к выходу устройства 11, затвор первого 5 выходного полевого транзистора соединен со вторым 12 неинвертирующим входом устройства, а затвор второго 8 выходного полевого транзистора соединен со вторым 13 инвертирующим входом устройства.

На фиг.3, в соответствии с п.2 формулы изобретения, первый 4 неинвертирующий и второй 13 инвертирующий входы устройства подключены, в частном случае, к общей шине 14 источников питания.

Кроме этого, на фиг.3, в соответствии с п.3 формулы изобретения, коллектор первого 1 входного транзистора связан со второй 10 шиной источника питания через цепь согласования потенциалов 15, выполненную в виде дополнительного транзистора 16, эмиттер которого соединен с коллектором первого 1 входного транзистора, база соединена со входом второго 9 токового зеркала, а коллектор подключен ко второй 10 шине источников питания.

Следует также заметить, что на фиг.3, в соответствии с п.4 формулы изобретения, выход устройства 11 связан со входом дополнительного буферного усилителя 17, выход которого 18 является дополнительным выходом устройства. Для симметрирования статического режима транзисторов 1 и 2 включен источник напряжения 19, в качестве которого можно использовать р-n-переход.

На фиг.4, в соответствии с п.5 формулы изобретения, в эмиттеры первого 1 и второго 2 входных транзисторов включены соответствующие первый и второй дополнительные резисторы.

Рассмотрим работу ОУ, фиг.2, который за счет новых связей имеет 4 входа 3, 12 и 1, 13, а также определим систематическую составляющую его напряжения смещения нуля Uсм.

Токи истока и стока полевых транзисторов 5 и 8 (Iи=Ic=I0) зависят от крутизны их стоко-затворной характеристики при Uзи.5=Uзи.8≈0,7 B. При идентичных эмиттерных переходах первого 1 и второго 2 входных транзисторов, а также идентичных полевых транзисторах 5 и 8, коллекторный ток транзистора 2 и ток стока транзистора 5 также будут равны величине I0. Следовательно, напряжение смещения нуля рассматриваемого ОУ

U с м = U э б .1 U з и .5 0, ( 1 )

так как Uэб.1=Uзи.5, Uэб.2=Uэб.1=UA*B*, Uзи.5=Uзи.8.

Таким образом, в рассматриваемой схеме обеспечивается малое напряжение смещения нуля, который имеет за счет применения полевых транзисторов повышенные входные сопротивления по двум входам 12 и 13 для дифференциального и синфазного сигналов.

Дифференциальный коэффициент усиления по напряжению заявляемого ДУ, фиг.2:

К у = u в ы х .11 u в х .1 u в х .2 = u в ы х .11 u в х .1.2 R н . э к в . r э 1 + S 5 1 , ( 2 )

где r э 1 ϕ т I 0 - сопротивление эмиттерного перехода транзистора 1;

S1 - крутизна стоко-затворной характеристики полевого транзистора 5;

φт = 26 мВ - температурный потенциал;

Rн.экв - эквивалентное сопротивление нагрузки ОУ, подключенной к выходу 11.

При изменении температуры (или уровня радиации) изменяется ток стока транзистора 5, который поступает на вход, а затем выход токового зеркала 6. Однако точно так же (в связи с симметрией истоковой цепи) изменяется ток истока транзистора 8 и коллекторный ток транзистора 2, который поступает на вход, а затем выход токового зеркала 9. В результате в цепи выхода 11 происходит взаимная компенсация данных приращений и поэтому Uсм изменяется незначительно.

Таким образом, в заявляемом устройстве уменьшается систематическая составляющая напряжения смещения нуля Uсм и его дрейф.

Заявляемое устройство обладает существенными преимуществами в сравнении с прототипом по величине статической ошибки усиления сигналов постоянного тока и может использоваться в качестве IP-модулей современных систем на кристалле, реализуемых, например, по технологии аналоговых базовых матричных кристаллов АБМК_1_3.

Литература

1. Патент US 5.789.949.

2. Патент US 3.660.773.

3. Патент US 4.074.205.

4. Патентная заявка US 2010/0225392.

5. Патент GB 1543361.

6. Патент DE 2633952.

7. Патент US 4.059.808.

8. Патент RU 2.019.019.

9. Патентная заявка US 2006/0091952.

10. Патент US 5.521.553.

11. Патент US 5.010.303.

1. Мультидифференциальный операционный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входные транзисторы, база первого (1) входного транзистора соединена с первым (3) инвертирующим входом устройства, база второго (2) входного транзистора соединена с первым (4) неинвертирующим входом устройства, первый (5) выходной транзистор, эмиттер которого связан с эмиттером первого (1) входного транзистора, а коллектор подключен ко входу первого (6) токового зеркала, согласованного с первой (7) шиной источника питания, второй (8) выходной транзистор, эмиттер которого связан с эмиттером второго (2) входного транзистора, второе (9) токовое зеркало, согласованное со второй (10) шиной источника питания, вход которого связан с коллектором второго (2) входного транзистора, причем выход устройства (11) соединен с выходом первого (6) токового зеркала, отличающийся тем, что в качестве первого (5) и второго (8) выходных транзисторов используются первый и второй полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом, затворы которых соответствуют базе, стоки - коллекторам, а истоки - эмиттерам соответствующих первого (5) и второго (8) выходных транзисторов, причем коллектор первого (1) входного транзистора связан со второй (10) шиной источника питания, сток второго (8) выходного полевого транзистора связан с первой (7) шиной источника питания, выход второго (9) токового зеркала подключен к выходу устройства (11), затвор первого (5) выходного полевого транзистора соединен со вторым (12) неинвертирующим входом устройства, а затвор второго (8) выходного полевого транзистора соединен со вторым (13) инвертирующим входом устройства.

2. Мультидифференциальный операционный усилитель по п.1, отличающийся тем, что первый (4) неинвертирующий и второй (13) инвертирующий входы устройства подключены к общей шине (14) источников питания.

3. Мультидифференциальный операционный усилитель по п.1, отличающийся тем, что коллектор первого (1) входного транзистора связан со второй (10) шиной источника питания через цепь согласования потенциалов (15), выполненную в виде дополнительного транзистора (16), эмиттер которого соединен с коллектором первого (1) входного транзистора, база соединена со входом второго (9) токового зеркала, а коллектор подключен ко второй (10) шине источников питания.

4. Мультидифференциальный операционный усилитель по п.1, отличающийся тем, что выход устройства (11) связан со входом дополнительного буферного усилителя (17), выход которого (18) является дополнительным выходом устройства.

5. Мультидифференциальный операционный усилитель по п.1, отличающийся тем, что в эмиттеры первого (1) и второго (2) входных транзисторов включены соответствующие первый (19) и второй (20) дополнительные резисторы.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области радиотехники, а конкретно к управляемым избирательным усилителям. Технический результат заключается в повышении добротности АЧХ и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса.

Изобретение относится к составному транзистору, который может быть использован в качестве устройства усиления аналоговых сигналов и в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Технический результат - повышение добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (К0) на частоте квазирезонанса f0,что позволяет в ряде случаев уменьшить общее энергопотребление.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Техническим результатом является уменьшение общего энергопотребления.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п. Технический результат - уменьшение общего энергопотребление за счет увеличения затухания входного сигнала в диапазоне низких частот при повышенной и стабильной добротности АЧХ ИУ и коэффициенте усиления по напряжению (K0) на частоте квазирезонанса f0.

Изобретение относится к области измерительной техники, радиотехники, связи. Техническим результатом является повышение коэффициента ослабления входного синфазного напряжения и исключение синфазной составляющей в выходных сигналах операционных усилителей, что позволит повысить эффективность использования их амплитудной характеристики.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в повышении добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (К0) на частоте квазирезонанса f0.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных и избирательных усилителях ВЧ и СВЧ диапазонов).

Изобретение относится к области радиотехники, а конкретно к управляемым избирательным усилителям. Технический результат заключается в расширение частотного диапазона избирательного усилителя. Избирательный усилитель содержит основной операционный усилитель, между выходом и инвертирующим входом которого включен первый частотозадающий резистор, первый и второй частотозадающие конденсаторы, включенные последовательно между выходом основного операционного усилителя и его инвертирующим входом, второй частотозадающий резистор, первый вывод которого соединен с общим узлом последовательно включенных первого и второго частотозадающих конденсаторов, источник входного напряжения, связанный со вторым выводом второго частотозадающего резистора. Источник входного напряжения связан со вторым выводом второго частотозадающего резистора через дополнительный инвертирующий каскад, неинвертирующий вход которого соединен с инвертирующим входом основного операционного усилителя. 10 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в радиоприемных устройствах, фазовых детекторах и модуляторах, а также в системах умножения частоты. Достигаемый технический результат: получение на выходе не только амплитудных изменений выходного сигнала под действием управляющего напряжения, но и его фазы, что позволяет подавить основные гармоники. Управляемый усилитель и смеситель аналоговых сигналов содержит первый (1) и второй (2) источники противофазных входных напряжений, первый (3) входной транзистор, эмиттер которого через первый (4) токостабилизирующий двухполюсник связан с первым (5) источником питания, второй (6) входной транзистор, эмиттер которого через второй (7) токостабилизирующий двухполюсник связан с первым (5) источником питания, третий (8) входной транзистор, эмиттер которого связан с эмиттером четвертого (9) входного транзистора и через третий (10) токостабилизирующий двухполюсник соединен с первым (5) источником питания, дифференциальную цепь нагрузки, согласованную со вторым источником питания. 3 з.п. ф-лы, 21 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства для прецизионного усиления по мощности аналоговых сигналов, в структурах неинвертирующих усилителей и выходных каскадов различного функционального назначения, в том числе ВЧ- и СВЧ-диапазонов. Технический результат: уменьшение уровня нелинейных искажений и шумов различного происхождения в цепи нагрузки ШНУ с неинвертирующим выходным каскадом. Широкополосный неинвертирующий усилитель с малым уровнем нелинейных искажений и шумов содержит неинвертирующий выходной каскад (1), вход которого связан со входом устройства (2) и источником входного напряжения (3) через согласующий резистор (4), цепь нагрузки (5), подключенную к выходу (6) устройства, связанному с выходом неинвертирующего выходного каскада (1). Между входом (2) и выходом (6) устройства включены последовательно соединенные инвертирующий буферный усилитель (7), второй (8) и третий (9) дополнительные резисторы, причем общий узел (10) второго (8) и третьего (9) дополнительных резисторов подключен ко входу корректирующего каскада (11), токовый выход которого (12) соединен со входом неинвертирующего выходного каскада (1). 2 з.п. ф-лы, 19 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении эквивалентной выходной емкости составного транзистора. Составной транзистор с малой выходной емкостью содержит выходной транзистор, база которого связана с эмиттером входного транзистора, коллектор подключен к коллектору входного транзистора и связан с эквивалентным коллекторным выводом составного транзистора, база входного транзистора соединена с эквивалентным базовым выводом составного транзистора, а эмиттер выходного транзистора связан с эквивалентным эмиттерным выводом составного транзистора, причем между коллектором и базой выходного транзистора включена первая паразитная емкость коллектор-база, а между коллектором и базой входного транзистора включена вторая паразитная емкость коллектор-база, причем база выходного транзистора связана с эмиттером входного транзистора через неинвертирующий усилитель тока. 2 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п. Техническим результатом является уменьшение общего энергопотребления за счет повышения добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (K0) на частоте квазирезонанса f0. Управляемый избирательный усилитель содержит источник входного напряжения (1), выходной транзистор (2), источник вспомогательного напряжения (3), первый (4) и второй (5) частотозадающие резисторы, первую (6) шину источника питания, первый (7) корректирующий конденсатор, второй (8) корректирующий конденсатор, цепь установления статического режима (9) выходного транзистора (2), вторую (10) шину источника питания, первый (12), второй (13) и третий (15) дополнительные транзисторы, первый (14) и второй (16) токостабилизирующие двухполюсники. Выход устройства (11) связан с общим узлом последовательно соединенных первого (4) и второго (5) частотозадающих резисторов. 12 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано в качестве источника тока или высокоомной нагрузки усилителя в структуре аналоговых микросхем и блоков различного функционального назначения. Достигаемый технический результат - повышение точности передачи тока при сохранении высокого выходного сопротивления и низкого выходного напряжения. Токовое зеркало с пониженным выходным напряжением содержит первый и второй входные МОП-транзисторы, включенные последовательно между шиной питания и входом токового зеркала, а также первый и второй выходные МОП-транзисторы, включенные последовательно между шиной питания и выходом токового зеркала, истоки и изолирующие карманы первого входного и первого выходного МОП-транзисторов соединены с шиной питания, а затворы всех МОП-транзисторов и изолирующие карманы второго входного и второго выходного МОП-транзисторов подключены к входу токового зеркала. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в расширении допустимого диапазона частот квазирезонанса f0, зависящего от численных значений сопротивления первого частотозадающего резистора. Избирательный усилитель с высоким асимптотическим затуханием в диапазоне дорезонансных частот содержит входной дифференциальный каскад с первым и вторым противофазными токовыми выходами, источник сигнала, связанный с инвертирующим относительно первого токового выхода первым входом входного дифференциального каскада, первую шину источника питания, связанную с общей истоковой цепью входного дифференциального каскада, второй неинвертирующий относительно первого токового выхода вход входного дифференциального каскада, связанный с выходом устройства, токовое зеркало, согласованное со второй шиной источника питания, вход которого соединен со вторым токовым выходом входного дифференциального каскада, а выход соединен с первым выводом первого частотозадающего резистора, первый частотозадающий конденсатор, второй частотозадающий резистор и второй частотозадающий конденсатор, причем выход токового зеркала соединен с первым токовым выходом входного дифференциального каскада, а второй вывод первого частотозадающего резистора связан с цепью смещения статического уровня. 2 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к прецизионным устройствам усиления сигналов различных сенсоров. Технический результат заключается в создании радиационно стойкого симметричного мультидифференциального усилителя для биполярно-полевого технологического процесса с повышенным коэффициентом усиления входного дифференциального сигнала. Дополнительный технический результат - уменьшение коэффициента передачи входного синфазного сигнала. Мультидифференциальный усилитель для радиационно стойкого биполярно-полевого технологического процесса, в который введены первый (17), второй (18) полевые транзисторы, истоки которых объединены и связаны с первой (14) шиной источника питания через первый (19) дополнительный резистор, первый (20) и второй (21) дополнительные биполярные транзисторы, коллекторы которых соединены с объединенными истоками первого (17) и второго (18) полевых транзисторов, база первого (20) дополнительного транзистора связана с базой первого (3) выходного транзистора и соединена со стоком первого (17) полевого транзистора, эмиттер первого (20) дополнительного транзистора соединен с эмиттером первого (3) выходного транзистора, база второго (21) дополнительного транзистора подключена к базе второго (6) выходного транзистора и соединена со стоком второго (8) полевого транзистора, эмиттер второго (21) дополнительного транзистора подключен к эмиттеру второго (6) выходного транзистора, коллектор первого (3) выходного транзистора соединен с первым (13) выходом устройства, коллектор второго (6) выходного транзистора соединен со вторым (16) выходом устройства, причем затворы первого (17) и второго (18) полевых транзисторов связаны с первой (14) шиной источника питания. 1 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области усилителей аналоговых ВЧ и СВЧ сигналов. Техническим результатом является расширение диапазона рабочих частот цепи смещения статического уровня. Широкополосная цепь смещения статического уровня в транзисторных каскадах усиления и преобразования сигналов содержит входной транзистор (1), база которого соединена с источником входного сигнала (2), коллектор подключен к первой (3) шине питания, а эмиттер через согласующий резистор (4) соединен с выходом устройства (5), вспомогательный транзистор (6), коллектор которого подключен к выходу устройства (5), эмиттер через токостабилизирующий двухполюсник (7) связан со второй (8) шиной источника питания, а база соединена с источником напряжения смещения (9), корректирующий конденсатор (10), неинвертирующий усилитель напряжения (11), вход которого подключен к выходу устройства (5). Выход неинвертирующего усилителя напряжения (11) связан с эмиттером вспомогательного транзистора (6) через корректирующий конденсатор (10). 8 ил.

Изобретение относится к прецизионным устройствам усиления сигналов различных сенсоров. Технический результат заключается в уменьшении абсолютного значения Uсм, а также его температурных и радиационных изменений, обусловленных дрейфом β транзисторов. Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля содержит транзисторы, масштабирующий резистор, высокоимпедансный узел 4, третий 5 и четвертый 6 входные транзисторы, токовое зеркало 8, согласованное с первой 9 шиной источника питания, вспомогательный транзистор 18, эмиттером связанный со второй 12 шиной источника питания через четвертый 19 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером четвертого 6 входного транзистора, причем базы третьего 16 и четвертого 18 вспомогательных транзисторов подключены к источнику напряжения смещения 20. Базы первого 11 и второго 14 вспомогательных транзисторов соединены с эмиттером третьего 16 вспомогательного транзистора. 6 ил.
Наверх