Составной транзистор с малой выходной емкостью



Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью
Составной транзистор с малой выходной емкостью

 


Владельцы патента RU 2536672:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении эквивалентной выходной емкости составного транзистора. Составной транзистор с малой выходной емкостью содержит выходной транзистор, база которого связана с эмиттером входного транзистора, коллектор подключен к коллектору входного транзистора и связан с эквивалентным коллекторным выводом составного транзистора, база входного транзистора соединена с эквивалентным базовым выводом составного транзистора, а эмиттер выходного транзистора связан с эквивалентным эмиттерным выводом составного транзистора, причем между коллектором и базой выходного транзистора включена первая паразитная емкость коллектор-база, а между коллектором и базой входного транзистора включена вторая паразитная емкость коллектор-база, причем база выходного транзистора связана с эмиттером входного транзистора через неинвертирующий усилитель тока. 2 з.п. ф-лы, 12 ил.

 

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве высокочастотного устройства усиления аналоговых сигналов по мощности, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных выходных каскадов ВЧ- и СВЧ-диапазонов).

В современной микроэлектронике находят широкое применение классические составные транзисторы (СТ) (так называемые схемы Дарлингтона), которые являются основой выходных каскадов и буферных усилителей различного функционального назначения.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является составной транзистор (фиг.1) по патенту 6.611.172. Он содержит выходной транзистор 1, база которого связана с эмиттером входного транзистора 2, коллектор подключен к коллектору входного транзистора 2 и связан с эквивалентным коллекторным выводом 3 составного транзистора, база входного транзистора 2 соединена с эквивалентным базовым выводом 4 составного транзистора, а эмиттер выходного транзистора 1 связан с эквивалентным эмиттерным выводом 5 составного транзистора, причем между коллектором и базой выходного транзистора 1 включена первая 6 паразитная емкость коллектор-база, а между коллектором и базой входного транзистора 2 включена вторая 7 паразитная емкость коллектор-база.

Существенный недостаток известного СТ, архитектура которого присутствует также во многих других СТ [1-28], состоит в том, что он обладает сравнительно большой выходной Свых паразитной емкостью, обусловленной паразитными конденсаторами «коллектор-база» входного 1 и выходного 2 транзисторов, что отрицательно сказывается на диапазоне его рабочих частот в структуре различных ВЧ- и СВЧ-усилителей.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в уменьшении эквивалентной выходной емкости составного транзистора и, как следствие, повышении верхней граничной частоты различных усилителей на базе заявляемого СТ.

Поставленная задача решается тем, что в составном транзисторе, фиг.1, содержащем выходной транзистор 1, база которого связана с эмиттером входного транзистора 2, коллектор подключен к коллектору входного транзистора 2 и связан с эквивалентным коллекторным выводом 3 составного транзистора, база входного транзистора 2 соединена с эквивалентным базовым выводом 4 составного транзистора, а эмиттер выходного транзистора 1 связан с эквивалентным эмиттерным выводом 5 составного транзистора, причем между коллектором и базой выходного транзистора 1 включена первая 6 паразитная емкость коллектор-база, а между коллектором и базой входного транзистора 2 включена вторая 7 паразитная емкость коллектор-база, предусмотрены новые элементы и связи - база выходного транзистора 1 связана с эмиттером входного транзистора 2 через неинвертирующий усилитель тока 8.

На фиг.1 представлена схема составного транзистора-прототипа.

На фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 формулы изобретения.

На фиг.3 показан заявляемый СТ для случая, когда неинвертирующий усилитель тока 8 реализован как токовое зеркало на p-n-p транзисторе 9 и дополнительном p-n переходе 10, источнике опорного тока 11, что соответствует п.2 формулы изобретения.

На фиг.4 представлена схема заявляемого СТ для случая, когда неинвертирующий усилитель тока 8 реализуется на основе токового зеркала 13 на транзисторах, имеющих такой же тип проводимости, что и выходной транзистор 1 и входной транзистор 2, а также включает источники опорного тока 16 и 17 для обеспечения статического режима.

Пример практической реализации схемы по фиг.4 показан на фиг.5.

На фиг.6 приведен пример построения заявляемого СТ по фиг.2 для случая, когда неинвертирующий усилитель тока 8 выполнен на основе известной ячейки Гильберта, включающей элементы 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26.

На фиг.7 приведена схема заявляемого устройства по фиг.4 в среде Cadence на моделях SiGe интегральных транзисторов. При этом выбраны паразитные емкости С7=С8=Ск=2пФ.

На фиг.8 показана зависимость эквивалентной выходной емкости составного транзистора по фиг.7 при различных значениях коэффициента передачи неинвертирующего усилителя тока 8 (Ki=0÷1) в диапазоне частот 100 кГц - 200 МГц. Из данного графика следует, что при Ki=1 эффективная выходная емкость СТ по фиг.7 уменьшается в 32 раза.

На фиг.9 представлена зависимость эквивалентной выходной емкости составного транзистора по фиг.7 от изменения коэффициента передачи по току Ki неинвертирующего усилителя тока 8.

На фиг.10 показана схема составного транзистора по фиг.3 в среде Cadence на моделях SiGe интегральных транзисторов.

На фиг.11 показана зависимость эквивалентной выходной емкости составного транзистора по фиг.10 при различных значениях коэффициента передачи неинвертирующего усилителя тока 8 (Ki=0÷1), в диапозоне частот 100 кГц - 200 МГц. Из данного графика следует, что при Ki=1 эффективная выходная емкость СТ уменьшается.

На фиг.12 показан фрагмент схемы по фиг.5, поясняющий работу заявляемого устройства при больших амплитудах входного напряжения UбΣ и низкоомных сопротивлениях резистора 29 в эмиттерной цепи выходного транзистора 1.

Составной транзистор с малой выходной емкостью, фиг.2, содержит выходной транзистор 1, база которого связана с эмиттером входного транзистора 2, коллектор подключен к коллектору входного транзистора 2 и связан с эквивалентным коллекторным выводом 3 составного транзистора, база входного транзистора 2 соединена с эквивалентным базовым выводом 4 составного транзистора, а эмиттер выходного транзистора 1 связан с эквивалентным эмиттерным выводом 5 составного транзистора, причем между коллектором и базой выходного транзистора 1 включена первая 6 паразитная емкость коллектор-база, а между коллектором и базой входного транзистора 2 включена вторая 7 паразитная емкость коллектор-база. База выходного транзистора 1 связана с эмиттером входного транзистора 2 через неинвертирующий усилитель тока 8.

На фиг.3 в соответствии с п.2 формулы изобретения неинвертирующий усилитель тока 8 выполнен на основе вспомогательного транзистора 9, параллельно эмиттерно-базовому переходу которого включен дополнительный p-n переход 10, причем база вспомогательного транзистора 9, являющаяся входом неинвертирующего усилителя тока 8, соединена через дополнительный источник опорного тока 11 с шиной источника питания 12, а эмиттер вспомогательного транзистора 9 является выходом неинвертирующего усилителя тока 8 и соединен с эмиттером входного транзистора 2.

На фиг.4 в соответствии с п.3 формулы изобретения неинвертирующий усилитель тока 8 выполнен в виде токового зеркала 13, базовый вход 14 которого соединен с базой выходного транзистора 1, а эмиттерный выход 15 является выходом неинвертирующего усилителя тока 8 и соединен с эмиттером входного транзистора 2, причем статический режим токового зеркала 13 устанавливается первым 16 источником опорного тока, связанным с базовым входом 14 токового зеркала 13, а статический режим входного транзистора 2 устанавливается вторым 17 источником опорного тока, связанным с эмиттерным выходом 15 токового зеркала 13.

На фиг.5 токовое зеркало 15 реализовано на транзисторах 18 и 19.

На фиг.6 неинвертирующий усилитель тока 8 содержит p-n переход 20, транзисторы 21, 22 и 23, а также источники опорного тока 24, 25, 26.

На фиг.12 токовое зеркало содержит p-n переход 27 и источник опорного тока 28. Статический режим транзистора 2 устанавливается источником опорного тока 29. Низкоомный резистор 30 моделирует работу СТ при больших приращениях напряжения на базе транзистора 2. Транзистор 3 1 является элементом токового зеркала.

Рассмотрим работу СТ, фиг.2.

Приращение напряжения на коллекторе «КΣ» (узел 3) составного транзистора в схеме по фиг.2 вызывает изменение тока İск6 через паразитную емкость коллектор-база 6 выходного транзистора 1. Данный ток поступает на вход, а затем на выход неинвертирующего усилителя тока 8:

I ˙ в ы х .8 = K i I ˙ с к 6 , ( 1 )

где Ki - коэффициент усиления по току неинвертирующего усилителя тока 8.

Таким образом, комплекс коллекторного тока транзистора 1 и, следовательно, суммарный ток коллектора IкΣ составного транзистора:

I ˙ к 2 = α 2 K i I ˙ с к 6 , ( 2 )

I ˙ к Σ = I ˙ с к 6 + I ˙ с к 7 α 2 K i I ˙ с к 6 . ( 3 )

Из (3) следует, что эффективная выходная емкость предлагаемого СТ уменьшается

С к Σ = С 7 + С 6 ( 1 α 2 K i ) . ( 4 )

Для получения СкΣ≈0, необходимо, чтобы

C 7 = C 6 ( α 2 K i 2 1 ) . ( 5 )

При Ki=2, α2≈1, должно выполняться равенство С7≈С6.

Как следствие, уменьшается эквивалентная постоянная времени коллекторной цепи нагрузки СТ и увеличивается верхняя граничная частота схемы.

Схема по фиг.3 рекомендуется для использования в технологических процессах, обеспечивающих создание микросхем на n-p-n и p-n-p транзисторах. В частном случае источник тока 11 в данной схеме может принимать малые значения.

Схемы по фиг.4, фиг.5 могут применяться в том случае, если микросхема реализуется только на n-p-n транзисторах. Данные схемы обладают функциями защиты от чрезмерно больших эмиттерных токов выходного транзистора, причем данные их свойства поясняются фиг.12.

Особенность схемы по фиг.6 - реализация неивертирующего усилителя тока 8 на основе каскада Гильберта, который обладает более широким частотным диапазоном.

При больших уровнях напряжения на базе транзистора 2 в схеме по фиг.12 максимально возможный ток эмиттера транзистора 1 не больше чем произведение β1I28. В то же время входное сопротивление предлагаемого составного транзистора, так же как и СТ-прототипа, определяется по формуле β1β2R30, где R30 - сопротивление в эмиттерной цепи транзистора 1, где βi - коэффициент усиления по току базы i-го транзистора. Таким образом, заявляемая схема имеет такое же, как и в прототипе, входное сопротивление и максимальный ток в эмиттерной цепи транзистора 1 не больше чем произведение β1I28. В прототипе максимальный ток в эмиттерной цепи транзистора 1 при больших напряжениях на базе транзистора 2 практически не ограничивается, что может привести к его выходу из строя.

Данные теоретические выводы подтверждают результаты моделирования, показанные на фиг.8, фиг.9, фиг.11.

Таким образом, заявляемое схемотехническое решение составного транзистора, который может использоваться не только как элемент интегральных микросхем, но и как СТ на основе мощных дискретных транзисторов с большой площадью p-n перехода и, следовательно, емкостью коллектор-база, характеризуется меньшей величиной выходной емкости и более высокими значениями верхней граничной частоты.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Патент US 6.806.778.

2. Патент US 4.706.038.

3. Патент US 4.024.462.

4. Патент US 3.510.791.

5. Патент US 4.890.067.

6. Патент US 7.123.091.

7. Патент ЕР 0648010.

8. Патент US 7.692.492.

9. Патент US 6.611.172.

10. Патент ЕР 0623993.

11. Патент US 5.488.330.

12. Патент US 7.436.262.

13. Патент US 6.653.901.

12. Патент US 5.900.774.

15. Патент US 5.694.031.

16. Патент US 6.798.285.

17. Патент US 6.107.886.

18. Патент ЕР 385547.

19. Патент US 2.658.673.

20. Патент US 4.547.744.

21. Патент US 4.219.839.

22. Патент US 7.088.174.

23. Патент US 7.834.695.

24. Патент US 2.658.675.

25. Патент US 4.914.533.

26. Патент US 3.694.763.

27. Патент US 5.218.319.

28. Патент ЕР 0767989.

1. Составной транзистор с малой выходной емкостью, содержащий выходной транзистор (1), база которого связана с эмиттером входного транзистора (2), коллектор подключен к коллектору входного транзистора (2) и связан с эквивалентным коллекторным выводом (3) составного транзистора, база входного транзистора (2) соединена с эквивалентным базовым выводом (4) составного транзистора, а эмиттер выходного транзистора (1) связан с эквивалентным эмиттерным выводом (5) составного транзистора, причем между коллектором и базой выходного транзистора (1) включена первая (6) паразитная емкость коллектор-база, а между коллектором и базой входного транзистора (2) включена вторая (7) паразитная емкость коллектор-база, отличающийся тем, что база выходного транзистора (1) связана с эмиттером входного транзистора (2) через неинвертирующий усилитель тока (8).

2. Составной транзистор с малой выходной емкостью по п.1, отличающийся тем, что неинвертирующий усилитель тока (8) выполнен на основе вспомогательного транзистора (9), параллельно эмиттерно-базовому переходу которого включен дополнительный p-n переход (10), причем база вспомогательного транзистора (9), являющаяся входом неинвертирующего усилителя тока (8), соединена через дополнительный источник опорного тока (11) с шиной источника питания (12), а эмиттер вспомогательного транзистора (9) является выходом неинвертирующего усилителя тока (8) и соединен с эмиттером входного транзистора (2).

3. Составной транзистор с малой выходной емкостью по п.1, отличающийся тем, что неинвертирующий усилитель тока (8) выполнен в виде токового зеркала (13), базовый вход (14) которого соединен с базой выходного транзистора (1), а эмиттерный выход (15) является выходом неинвертирующего усилителя тока (8) и соединен с эмиттером входного транзистора (2), причем статический режим токового зеркала (13) устанавливается первым (16) источником опорного тока, связанным с базовым входом (14) токового зеркала (13), а статический режим входного транзистора (2) устанавливается вторым (17) источником опорного тока, связанным с эмиттерным выходом (15) токового зеркала (13).



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства для прецизионного усиления по мощности аналоговых сигналов, в структурах неинвертирующих усилителей и выходных каскадов различного функционального назначения, в том числе ВЧ- и СВЧ-диапазонов.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в радиоприемных устройствах, фазовых детекторах и модуляторах, а также в системах умножения частоты.

Изобретение относится к области радиотехники, а конкретно к управляемым избирательным усилителям. Технический результат заключается в расширение частотного диапазона избирательного усилителя.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники, а конкретно к управляемым избирательным усилителям. Технический результат заключается в повышении добротности АЧХ и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса.

Изобретение относится к составному транзистору, который может быть использован в качестве устройства усиления аналоговых сигналов и в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Технический результат - повышение добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (К0) на частоте квазирезонанса f0,что позволяет в ряде случаев уменьшить общее энергопотребление.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Техническим результатом является уменьшение общего энергопотребления.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п. Технический результат - уменьшение общего энергопотребление за счет увеличения затухания входного сигнала в диапазоне низких частот при повышенной и стабильной добротности АЧХ ИУ и коэффициенте усиления по напряжению (K0) на частоте квазирезонанса f0.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п. Техническим результатом является уменьшение общего энергопотребления за счет повышения добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (K0) на частоте квазирезонанса f0. Управляемый избирательный усилитель содержит источник входного напряжения (1), выходной транзистор (2), источник вспомогательного напряжения (3), первый (4) и второй (5) частотозадающие резисторы, первую (6) шину источника питания, первый (7) корректирующий конденсатор, второй (8) корректирующий конденсатор, цепь установления статического режима (9) выходного транзистора (2), вторую (10) шину источника питания, первый (12), второй (13) и третий (15) дополнительные транзисторы, первый (14) и второй (16) токостабилизирующие двухполюсники. Выход устройства (11) связан с общим узлом последовательно соединенных первого (4) и второго (5) частотозадающих резисторов. 12 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано в качестве источника тока или высокоомной нагрузки усилителя в структуре аналоговых микросхем и блоков различного функционального назначения. Достигаемый технический результат - повышение точности передачи тока при сохранении высокого выходного сопротивления и низкого выходного напряжения. Токовое зеркало с пониженным выходным напряжением содержит первый и второй входные МОП-транзисторы, включенные последовательно между шиной питания и входом токового зеркала, а также первый и второй выходные МОП-транзисторы, включенные последовательно между шиной питания и выходом токового зеркала, истоки и изолирующие карманы первого входного и первого выходного МОП-транзисторов соединены с шиной питания, а затворы всех МОП-транзисторов и изолирующие карманы второго входного и второго выходного МОП-транзисторов подключены к входу токового зеркала. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в расширении допустимого диапазона частот квазирезонанса f0, зависящего от численных значений сопротивления первого частотозадающего резистора. Избирательный усилитель с высоким асимптотическим затуханием в диапазоне дорезонансных частот содержит входной дифференциальный каскад с первым и вторым противофазными токовыми выходами, источник сигнала, связанный с инвертирующим относительно первого токового выхода первым входом входного дифференциального каскада, первую шину источника питания, связанную с общей истоковой цепью входного дифференциального каскада, второй неинвертирующий относительно первого токового выхода вход входного дифференциального каскада, связанный с выходом устройства, токовое зеркало, согласованное со второй шиной источника питания, вход которого соединен со вторым токовым выходом входного дифференциального каскада, а выход соединен с первым выводом первого частотозадающего резистора, первый частотозадающий конденсатор, второй частотозадающий резистор и второй частотозадающий конденсатор, причем выход токового зеркала соединен с первым токовым выходом входного дифференциального каскада, а второй вывод первого частотозадающего резистора связан с цепью смещения статического уровня. 2 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к прецизионным устройствам усиления сигналов различных сенсоров. Технический результат заключается в создании радиационно стойкого симметричного мультидифференциального усилителя для биполярно-полевого технологического процесса с повышенным коэффициентом усиления входного дифференциального сигнала. Дополнительный технический результат - уменьшение коэффициента передачи входного синфазного сигнала. Мультидифференциальный усилитель для радиационно стойкого биполярно-полевого технологического процесса, в который введены первый (17), второй (18) полевые транзисторы, истоки которых объединены и связаны с первой (14) шиной источника питания через первый (19) дополнительный резистор, первый (20) и второй (21) дополнительные биполярные транзисторы, коллекторы которых соединены с объединенными истоками первого (17) и второго (18) полевых транзисторов, база первого (20) дополнительного транзистора связана с базой первого (3) выходного транзистора и соединена со стоком первого (17) полевого транзистора, эмиттер первого (20) дополнительного транзистора соединен с эмиттером первого (3) выходного транзистора, база второго (21) дополнительного транзистора подключена к базе второго (6) выходного транзистора и соединена со стоком второго (8) полевого транзистора, эмиттер второго (21) дополнительного транзистора подключен к эмиттеру второго (6) выходного транзистора, коллектор первого (3) выходного транзистора соединен с первым (13) выходом устройства, коллектор второго (6) выходного транзистора соединен со вторым (16) выходом устройства, причем затворы первого (17) и второго (18) полевых транзисторов связаны с первой (14) шиной источника питания. 1 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области усилителей аналоговых ВЧ и СВЧ сигналов. Техническим результатом является расширение диапазона рабочих частот цепи смещения статического уровня. Широкополосная цепь смещения статического уровня в транзисторных каскадах усиления и преобразования сигналов содержит входной транзистор (1), база которого соединена с источником входного сигнала (2), коллектор подключен к первой (3) шине питания, а эмиттер через согласующий резистор (4) соединен с выходом устройства (5), вспомогательный транзистор (6), коллектор которого подключен к выходу устройства (5), эмиттер через токостабилизирующий двухполюсник (7) связан со второй (8) шиной источника питания, а база соединена с источником напряжения смещения (9), корректирующий конденсатор (10), неинвертирующий усилитель напряжения (11), вход которого подключен к выходу устройства (5). Выход неинвертирующего усилителя напряжения (11) связан с эмиттером вспомогательного транзистора (6) через корректирующий конденсатор (10). 8 ил.

Изобретение относится к прецизионным устройствам усиления сигналов различных сенсоров. Технический результат заключается в уменьшении абсолютного значения Uсм, а также его температурных и радиационных изменений, обусловленных дрейфом β транзисторов. Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля содержит транзисторы, масштабирующий резистор, высокоимпедансный узел 4, третий 5 и четвертый 6 входные транзисторы, токовое зеркало 8, согласованное с первой 9 шиной источника питания, вспомогательный транзистор 18, эмиттером связанный со второй 12 шиной источника питания через четвертый 19 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером четвертого 6 входного транзистора, причем базы третьего 16 и четвертого 18 вспомогательных транзисторов подключены к источнику напряжения смещения 20. Базы первого 11 и второго 14 вспомогательных транзисторов соединены с эмиттером третьего 16 вспомогательного транзистора. 6 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных сенсоров. Технический результат заключается в уменьшении напряжения смещения нуля для повышения прецизионности операционного усилителя. Технический результат достигается за счет прецизионного операционного усилителя на основе радиационно стойкого биполярно-полевого технологического процесса, который содержит входной дифференциальный каскад (1), общая эмиттерная цепь которого согласована с первой (2) шиной источника питания, первый (3) токовый выход входного дифференциального каскада (1), эмиттер первого (4) выходного транзистора, первый (5) вспомогательный резистор, вторую (6) шину источника питания, второй (7) токовый выход входного дифференциального каскада (1), эмиттер второго (8) выходного транзистора, второй (9) вспомогательный резистор, первый (10) токостабилизирующий двухполюсник, второй (11) токостабилизирующий двухполюсник, выходной буферный усилитель (12). В схему введены первый (13) и второй (14) дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и дополнительное токовое зеркало (16). 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Технический результат заключается в расширении диапазона рабочих частот каскодного усилителя без ухудшения коэффициента усиления по напряжению. Устройство содержит входной преобразователь «напряжение-ток», токовый выход которого соединен с эмиттером выходного транзистора, источник напряжения смещения, подключенный к базе выходного транзистора, двухполюсник коллекторной нагрузки, включенный между шиной источника питания и выходом устройства, который связан с коллектором выходного транзистора. Выход устройства соединен со входом дополнительного усилителя тока через дополнительный корректирующий конденсатор, причем выход дополнительного усилителя тока подключен к эмиттеру выходного транзистора. 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в микросхемах СВЧ-фильтрации радиосигналов систем сотовой связи, спутникового телевидения, радиолокации и т.п. Техническим результатом является повышение добротности резонансной амплитудно-частотной характеристики избирательного усилителя при использовании низкодобротных планарных индуктивностей. В СВЧ избирательный усилитель на основе планарной индуктивности с низкой добротностью дополнительно введено токовое зеркало, согласованное со второй шиной источника питания, вход которого соединен со стоком второго полевого транзистора, а выход подключен к затвору второго полевого транзистора и выходу устройства. 14 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано также в измерительной технике в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных сенсоров. Технический результат: создание радиационно-стойкого симметричного (по входным цепям) операционного усилителя для биполярно-полевого технологического процесса с малым напряжением смещения нуля (Uсм). Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса имеет следующие особенности: в схему введены первый и второй дополнительные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой шиной источника питания через дополнительный токостабилизирующий двухполюсник и подключены к объединенным базам первого и второго выходных транзисторов, затвор первого дополнительного полевого транзистора соединен с коллектором второго выходного биполярного транзистора, затвор второго дополнительного полевого транзистора соединен с коллектором первого выходного биполярного транзистора, причем сток первого дополнительного полевого транзистора соединен с первым входом буферного усилителя, а сток второго дополнительного полевого транзистора соединен со вторым входом буферного усилителя. 5 з.п. ф-лы, 13 ил.
Наверх