Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления (варианты)



Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления (варианты)
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления (варианты)

 

H01L31/00 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

Владельцы патента RU 2522172:

Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) (RU)
Стребков Дмитрий Семенович (RU)

Изобретение относится к оптоэлектронным приборам. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит прозрачное защитное покрытие на рабочей поверхности, на которое падает излучение, и секции фотопреобразователей, соединенные оптически прозрачным герметиком с защитным покрытием. Секции фотопреобразователей наклонены к рабочей поверхности под углом φ, равным 5-50°, между секциями фотопреобразователей установлены плоские зеркальные отражатели с углом наклона к рабочей поверхности генератора ψ=5-50°. Зеркальные отражатели и секции фотопреобразователей выполнены в виде периодической уголковой пилообразной структуры, секции фотопреобразователей имеют двухстороннюю рабочую поверхность, а зеркальные отражатели выполнены с двухсторонней отражающей поверхностью. Технический результат заключается в увеличении освещенности и электрической мощности на единицу площади поверхности фотопреобразователей. 6 н.п. ф-лы, 2 ил.

 

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических генераторов (ПФГ).

Известна конструкция и способ изготовления кремниевых ПФГ в виде диодной структуры с p-п переходом на лицевой стороне, токосъемными металлическими контактами к легированному слою в форме гребенки, сплошным тыльным контактом и антиотражающим защитным покрытием на лицевой (рабочей) стороне (книга «Полупроводниковые фотопреобразователи» Васильев A.M., Ландсман А.П. М.: «Советское Радио», 1971 г.). Процесс изготовления ПФГ основан на диффузионном легировании лицевой стороны фосфором, химическом осаждении никелевого контакта, избирательном травлении контактного рисунка и нанесении плоского защитного покрытия из стекла с помощью прозрачных герметиков. Недостатком получаемых ПФГ является сравнительно большая глубина p-n перехода и большие потери на отражение.

Известна конструкция и способ изготовления кремниевых ПФГ в виде двухсторонней твердотельной матрицы из последовательно скоммутированных микроэлементов, у которых два линейных размера - ширина и высота микроэлементов - не превышают диффузионной длины неосновных носителей тока в базовой области, p-n переходы и изотипные переходы расположены на двух противоположных гранях микроэлементов, перпендикулярных рабочей поверхности (Авт. свид. СССР №288163, БИ №36, 1970). Для изготовления известного ПФГ проводят диффузию фосфора и бора в противоположные стороны пластины кремния, металлизированные пластины спаивают в столбик с соблюдением полярности, столбик разрезают на матрицы перпендикулярно плоскости p-n переходов, удаляют нарушенные при резке слои и наносят плоское защитное покрытие из стекла на обе поверхности генератора с помощью прозрачного герметика.

Недостатком известного ПФГ является низкий КПД в результате повышения температуры при повышенной интенсивности солнечного излучения.

Известна конструкция и способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора, содержащего плоское защитное прозрачное покрытие, на которое падает излучение, и секции фотопреобразователей, соединенные оптически прозрачным герметиком с защитным покрытием, секции фотопреобразователей наклонены к плоскости защитного покрытия под углом φ, равным 5-50°,

где α - угол полного внутреннего отражения материала защитного покрытия;

β - угол входа излучения;

n - коэффициент преломления защитного покрытия, а на торцах генератора выполнено зеркальное покрытие.

В варианте конструкции полупроводникового фотоэлектрического генератора секции фотопреобразователей выполнены в виде периодической уголковой пилообразной структуры.

В варианте конструкции полупроводникового фотоэлектрического генератора секции фотопреобразователей со стороны, противоположной падающему излучению, присоединены по всей плоскости секций через теплопроводящее электроизолирующее покрытие к радиатору системы охлаждения.

В способе изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем изготовления секций фотопреобразователей, коммутации секций и приклейки защитного прозрачного покрытия с помощью оптически прозрачного герметика, скоммутированные секции устанавливают под углом φ, равным 5-60°, к плоскости защитного покрытия, заливают секции оптически прозрачным герметиком и приклеивают этим герметиком защитное прозрачное покрытие, а на торцы генератора наносят зеркальное покрытие.

В варианте способа изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора секции фотопреобразователей устанавливают в виде периодической уголковой пилообразной структуры.

В другом варианте способа изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора секции фотопреобразователей со стороны, противоположной защитному покрытию, присоединяют по всей плоскости секций через теплопроводящее электроизолирующее покрытие к радиатору системы охлаждения.

Недостатком известного генератора являются большие затраты полупроводникового материала на создание уголковой пилообразной структуры и низкая освещенность и электрическая мощность на единицу площади поверхности фотопреобразователей.

Задачей изобретения является увеличение освещенности и электрической мощности на единицу площади поверхности фотопреобразователей.

Технический результат заключается в снижении расхода полупроводникового материала на единицу площади полупроводникового фотоэлектрического генератора.

Технический результат достигается тем, что в полупроводниковом фотоэлектрическом генераторе, содержащем прозрачное защитное покрытие на рабочей поверхности, на которое падает излучение, и секции фотопреобразователей, соединенные оптически прозрачным герметиком с защитным покрытием, секции фотопреобразователей наклонены к рабочей поверхности под углом φ, равным 5-50°, между секциями фотопреобразователей установлены плоские зеркальные отражатели с углом наклона к рабочей поверхности генератора ψ=5-50°, зеркальные отражатели и секции фотопреобразователей выполнены в виде периодической уголковой пилообразной структуры, секции фотопреобразователей имеют двухстороннюю рабочую поверхность, а зеркальные отражатели выполнены с двухсторонней отражающей поверхностью.

В варианте конструкции полупроводникового фотоэлектрического генератора, содержащего прозрачное защитное покрытие на рабочей поверхности, на которое падает излучение, и секции фотопреобразователей, соединенные оптически прозрачным герметиком с защитным покрытием, секции фотопреобразователей наклонены под углом φ=5-50° к плоскости защитного покрытия, прозрачное защитное покрытие выполнено в виде оптической периодической уголковой пилообразной структуры из множества соединенных друг с другом призм из стекла или пластмассы, с углом наклона боковых граней призм к поверхности защитного покрытия ψ=5-50°, на боковых поверхностях каждой из призм установлены попарно скоммутированные секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели, которые приклеены к боковым поверхностям призмы с помощью прозрачного герметика, с тыльной стороны генератора выполнено дополнительно прозрачное защитное покрытие, которое закреплено с тыльной стороны поверхности секций фотопреобразователей и зеркальных отражателей с помощью прозрачного герметика, секции фотопреобразователей имеют двухстороннюю рабочую поверхность, а зеркальные отражатели выполнены с двухсторонней отражающей поверхностью.

В варианте конструкции полупроводникового фотоэлектрического генератора, содержащего прозрачное защитное покрытие на рабочей поверхности, на которое падает излучение, и секции фотопреобразователей, соединенные оптически прозрачным герметиком с защитным покрытием, секции фотопреобразователей наклонены под углом 5-50° к поверхности прозрачного защитного покрытия, защитное покрытие выполнено в виде двух оптических периодических уголковых пилообразных структур, каждая из которых состоит из множества соединенных друг с другом призм из стекла или пластмассы, имеющих общую плоскую поверхность, боковые грани призм наклонены к поверхности защитного покрытия под углом 5-50°, оптические структуры соединены между собой оптически прозрачным герметиком таким образом, что боковые грани призм одной оптической структуры установлены на боковые грани призм другой оптической структуры, секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели установлены попарно между боковыми гранями призм обеих оптических структур, секции фотопреобразователей имеют двухстороннюю рабочую поверхность, а зеркальные отражатели выполнены с двухсторонней отражающей поверхностью.

В способе изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем изготовления секций фотопреобразователей, коммутации секций и установки прозрачного защитного покрытия на рабочей поверхности, на которую падает излучение, изготавливают плоские зеркальные отражатели, скоммутированные секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели попарно устанавливают под углом φ=5-50° к рабочей поверхности генератора в виде периодической уголковой пилообразной структуры, заливают секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели прозрачным герметиком и приклеивают прозрачным герметиком прозрачное защитное покрытие, секции фотопреобразователей изготавливают с двухсторонней рабочей поверхностью, а плоские зеркальные отражатели изготавливают с двухсторонней отражающей поверхностью.

В варианте способа изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем изготовления секций фотопреобразователей, коммутации секций и установки прозрачного защитного покрытия на рабочей поверхности генератора, на которую падает излучение, изготавливают плоские зеркальные отражатели и оптическую периодическую уголковую пилообразную структуру в виде множества соединенных друг с другом призм из стекла или пластмассы с углом наклона боковых граней призм к их поверхности 5-50°, скоммутированные секции фотопреобразователей и плоские зеркальные отражатели попарно закрепляют на боковых поверхностях каждой из призм оптической периодической уголковой пилообразной структуры, заливают секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели прозрачным герметиком и приклеивают со стороны, обратной поверхности оптической периодической уголковой пилообразной структуры, прозрачным герметиком прозрачное защитное покрытие, секции фотопреобразователей изготавливают с двухсторонней рабочей поверхностью, а плоские зеркальные отражатели изготавливают с двухсторонней отражающей поверхностью.

В варианте способа изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем изготовления секций фотопреобразователей, коммутации секций и установки прозрачного защитного покрытия на рабочей поверхности генератора, на которую падает излучение, изготавливают плоские зеркальные отражатели и две оптические периодические уголковые пилообразные структуры с одинаковым углом наклона 5-50° боковых граней призм двух пилообразных структур к их плоской поверхности, скоммутированные секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели устанавливают попарно на боковых гранях каждой из призм в первой оптической периодической уголковой пилообразной структуре, закрепляют секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели прозрачным герметиком и устанавливают вторую оптическую периодическую уголковую пилообразную структуру таким образом, чтобы боковые грани ее призм располагались между боковыми гранями призм первой оптической периодической уголковой пилообразной структуры, а секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели закрепляют с помощью оптически прозрачного герметика между боковыми гранями призм первой и второй оптической пилообразной структуры, секции фотопреобразователей изготавливают с двухсторонней рабочей поверхностью, а плоские зеркальные отражатели изготавливают с двухсторонней отражающей поверхностью.

Конструкция и способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора поясняются фиг.1, 2, где на фиг.1 представлен полупроводниковый фотоэлектрический генератор, содержащий уголковую пилообразную структуру с двухсторонней рабочей поверхностью (поперечное сечение), на фиг.2 - полупроводниковый фотоэлектрический генератор с двумя оптическими уголковыми пилообразными структурами (поперечное сечение).

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор на фиг.1 содержит два прозрачных защитных покрытия 1 и 2 и две рабочих поверхности 3 и 4, на которые падает излучение 5. В слое прозрачного герметика 6 установлены секции фотопреобразователей 7 с двухсторонней рабочей поверхностью 8 и 9 и зеркальные отражатели 10 с двумя зеркальными поверхностями 11 и 12. Секции фотопреобразователей 7 и зеркальные отражатели 10 установлены попарно под углом 5-50° к рабочим поверхностям генератора и образуют периодическую уголковую пилообразную структуру 11.

На фиг.2 полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит две оптические уголковые пилообразные структуры 12 и 13, каждая из которых имеет рабочую поверхность 14 и 15 и состоит из множества миниатюрных призм 16 из оптического стекла или пластмассы. Боковые грани 17 и 18 каждой призмы 16 наклонены под углом 5-50° к рабочей поверхности 14 и 15. К боковым граням 17 и 18 каждой из призм 16 присоединены с помощью прозрачного герметика 19 секции фотопреобразователей 7 с двухсторонней рабочей поверхностью и зеркальные отражатели 10 с двухсторонней зеркальной поверхностью. Оптические пилообразные структуры 12 и 13 соединены с помощью прозрачного герметика таким образом, что боковые грани 17 и 18 призмы 16 одной оптической пилообразной структуры 12 прилегают к боковым граням 17 и 18 призм 16 другой оптической пилообразной структуры 13, а секции фотопреобразователей 7 и зеркальные отражатели 10 находятся между боковыми гранями 17 и 18 призм 16 двух оптических пилообразных структур 12 и 13. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор имеет две рабочие поверхности, совпадающие с рабочими поверхностями 14 и 15 оптических уголковых пилообразных структур.

Пример выполнения полупроводникового фотоэлектрического генератора.

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор с двухсторонней рабочей поверхностью содержит (фиг.1) два прозрачных защитных покрытия 1 и 2 из закаленного стекла толщиной 2,5 мм, между которыми установлены под углом ψ=23° попарно зеркальные отражатели 10 и секции фотопреобразователей 7 под углом φ=28° к рабочим поверхностям 3 и 4, размеры зеркальных отражателей 10 10×156 мм, секций кремниевых фотопреобразователей 7 10×156 мм, используемый герметик - полисилоксановый гель, количество секций фотопреобразователей 8, высота Н периодической уголковой пилообразной структуры 6 мм, общие размеры полупроводникового фотоэлектрического генератора 160×160×11 мм, пиковая электрическая мощность 4 Вт.

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор изготавливают следующим образом. Между двумя стеклами из закаленного стекла размещают попарно скоммутированные секции фотопреобразователей 7 и зеркальные отражатели 10 (фиг.1) под углом φ=5-50° к поверхности стекла. Герметизируют с трех сторон полость с поверхностями из стекла и заливают в полость полилаксановый гель с последующей структуризацией геля.

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор работает следующим образом. Солнечное излучение попадает на секции кремниевых фотопреобразователей 7 и на зеркальный отражатель 10 (фиг.1), отражается от зеркального отражателя и попадает на прозрачное защитное покрытие 1 под углом, большим угла полного внутреннего отражения. После отражения от прозрачного защитного покрытия солнечное излучение попадает на секции фотопреобразователей 7. Прозрачный герметик 6 служит для создания оптического контакта между зеркальным отражателем 10 и секцией фотопреобразователей 7. Прозрачный герметик 6 выполняет роль оптической призмы полного внутреннего отражения, установленной между зеркальным отражателем 10 и прозрачным защитным ограждением 1 и 2.

Конструкция полупроводникового фотоэлектрического генератора позволяет в 1,5-3 раза уменьшить расход солнечного кремния на единицу площади генератора и его стоимость, а также обеспечить двухстороннюю чувствительность и повышение мощности за счет использования двух рабочих поверхностей и встроенных зеркальных отражателей.

1. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор, содержащий прозрачное защитное покрытие на рабочей поверхности генератора, на которое падает излучение, и секции фотопреобразователей, соединенные оптически прозрачным герметиком с защитным покрытием, секции фотопреобразователей наклонены к рабочей поверхности под углом φ, равным 5-50°, между секциями фотопреобразователей установлены плоские зеркальные отражатели с углом наклона к рабочей поверхности генератора ψ=5-50°, зеркальные отражатели и секции фотопреобразователей выполнены в виде периодической уголковой пилообразной структуры, отличающийся тем, что секции фотопреобразователей имеют двухстороннюю рабочую поверхность, а зеркальные отражатели выполнены с двухсторонней отражающей поверхностью.

2. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор, содержащий прозрачное защитное покрытие на рабочей поверхности генератора, на которое падает излучение, и секции фотопреобразователей, соединенные оптически прозрачным герметиком с защитным покрытием, секции фотопреобразователей наклонены под углом φ=5-50° к плоскости защитного покрытия, прозрачное защитное покрытие выполнено в виде оптической периодической уголковой пилообразной структуры из множества соединенных друг с другом призм из стекла или пластмассы с углом наклона боковых граней призм к поверхности защитного покрытия ψ=5-50°, на боковых поверхностях каждой из призм установлены попарно скоммутированные секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели, которые приклеены к боковым поверхностям призмы с помощью прозрачного герметика, с тыльной стороны генератора выполнено дополнительно прозрачное защитное покрытие, которое закреплено с тыльной стороны поверхности секций фотопреобразователей и зеркальных отражателей с помощью прозрачного герметика, отличающийся тем, что секции фотопреобразователей имеют двухстороннюю рабочую поверхность, а зеркальные отражатели выполнены с двухсторонней отражающей поверхностью.

3. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор, содержащий прозрачное защитное покрытие на рабочей поверхности, на которое падает излучение, и секции фотопреобразователей, соединенные оптически прозрачным герметиком с защитным покрытием, секции фотопреобразователей наклонены под углом 5-50° к поверхности защитного покрытия, защитное покрытие выполнено в виде двух оптических периодических уголковых пилообразных структур, каждая из которых состоит из множества соединенных друг с другом призм из стекла или пластмассы, имеющих общую плоскую поверхность, боковые грани призм наклонены к поверхности прозрачного защитного покрытия под углом 5-50°, оптические структуры соединены между собой оптически прозрачным герметиком таким образом, что боковые грани призм одной оптической структуры установлены на боковые грани призм другой оптической структуры, секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели установлены попарно между боковыми гранями призм обеих оптических структур, отличающийся тем, что секции фотопреобразователей имеют двухстороннюю рабочую поверхность, а зеркальные отражатели выполнены с двухсторонней отражающей поверхностью.

4. Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем изготовления секций фотопреобразователей, коммутации секций и установки прозрачного защитного покрытия на рабочей поверхности генератора, на которую падает излучение, изготавления плоских зеркальных отражателей, скоммутированные секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели попарно устанавливают под углом 5-50° к рабочей поверхности генератора в виде периодической уголковой пилообразной структуры, заливают секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели прозрачным герметиком и приклеивают прозрачным герметиком прозрачное защитное покрытие, отличающийся тем, что секции фотопреобразователей изготавливают с двухсторонней рабочей поверхностью, а плоские зеркальные отражатели изготавливают с двухсторонней отражающей поверхностью.

5. Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем изготовления секций фотопреобразователей, коммутации секций и установки прозрачного защитного покрытия на рабочей поверхности генератора, на которую падает излучение, изготавливают зеркальные отражатели и оптическую периодическую уголковую пилообразную структуру в виде множества соединенных друг с другом призм из стекла или пластмассы с углом наклона боковых граней призм к их поверхности 5-50°, скоммутированные секции фотопреобразователей и плоские зеркальные отражатели попарно закрепляют на боковых поверхностях каждой из призм оптической периодической уголковой пилообразной структуры, заливают секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели прозрачным герметиком и приклеивают со стороны, обратной поверхности оптической периодической уголковой пилообразной структуры, прозрачным герметиком прозрачное защитное покрытие, отличающийся тем, что секции фотопреобразователей изготавливают с двухсторонней рабочей поверхностью, а плоские зеркальные отражатели изготавливают с двухсторонней отражающей поверхностью.

6. Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем изготовления секций фотопреобразователей, коммутации секций и установки прозрачного защитного покрытия на рабочей поверхности генератора, на которую падает излучение, изготавления зеркальных отражателей и двух оптических периодических уголковых пилообразных структур с одинаковым углом наклона 5-50° боковых граней призм двух пилообразных структур к рабочей поверхности, скоммутированные секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели устанавливают попарно на боковых гранях каждой из призм в первой оптической периодической уголковой пилообразной структуре, закрепляют секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели на боковых гранях каждой из призм прозрачным герметиком и устанавливают вторую оптическую периодическую уголковую пилообразную структуру таким образом, чтобы боковые грани ее призм располагались между боковыми гранями призм первой оптической периодической уголковой пилообразной структуры, а секции фотопреобразователей и зеркальные отражатели закрепляют с помощью оптически прозрачного герметика между боковыми гранями призм первой и второй оптической пилообразной структуры, отличающийся тем, что секции фотопреобразователей изготавливают с двухсторонней рабочей поверхностью, а плоские зеркальные отражатели изготавливают с двухсторонней отражающей поверхностью.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, предназначенных для регистрации инфракрасного излучения. Фотоприемный модуль на основе PbS представляет собой гибридную микросборку, состоящую из фоточувствительного элемента, в виде линейки на основе PbS и кристалла БИС-считывания (мультиплексора), соединенных между собой методом перевернутого монтажа (flip-chip).
Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к фотопреобразователям. Техническим результатом изобретения является улучшение качества контактов и увеличение выхода годных приборов.

Изобретение может быть использовано в различной оптико-электронной аппаратуре для обнаружения инфракрасного излучения. Фотоприемный модуль на основе PbSe согласно изобретению представляет собой гибридную микросборку, состоящую из фоточувствительного элемента, в виде линейки на основе PbSe и кристалла БИС-считывания (мультиплексора), соединенных между собой методом перевернутого монтажа (flip-chip), при этом индиевые столбики наносят на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, которые помимо слоев Cr, Pd, An содержат подслой Cr и In, и стыкуют с индиевыми столбиками, нанесенными на БИС-считывания, образуя электрическую и механическую связь.

Настоящее изобретение относится к области кремниевых многопереходных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечных батарей. Конструкция «наклонного» кремниевого монокристаллического многопереходного (МП) фотоэлектрического преобразователя (ФЭП) согласно изобретению содержит диодные ячейки (ДЯ) с n+-p--p+ (р+-n--n+) переходами, параллельными горизонтальной светопринимающей поверхности, диодные ячейки содержат n+(p+) и р+(n+) области n+-p--p+(p+-n--n+) переходов, через которые они соединены в единую конструкцию металлическими катодными и анодными электродами, расположенными на поверхности n+(p+) и p+(n+) областей с образованием соответствующих омических контактов - соединений, при этом, что n+(p+) и p+(n+) области и соответствующие им катодные и анодные электроды расположены под углом в диапазоне 30-60 градусов к светопринимающей поверхности, металлические катодные и анодные электроды расположены на их поверхности частично, а частично расположены на поверхности оптически прозрачного диэлектрика, расположенного на поверхности n+(p+) и p+(n+) областей, при этом они с металлическими электродами и оптически прозрачным диэлектриком образуют оптический рефлектор.

Изобретение относится к области фотоэлектрического преобразования солнечной энергии. Согласно изобретению предложен способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента, имеющей два электрода и содержащей по меньшей мере один слой соединения кремния, который включает осаждение слоя соединения кремния на несущую структуру, в результате чего одна поверхность слоя соединения кремния расположена на несущей структуре, а вторая поверхность слоя соединения кремния является непокрытой, обработку второй поверхности слоя соединения кремния в заданной кислородсодержащей атмосфере с обогащением тем самым второй поверхности слоя соединения кремния кислородом и воздействие на обогащенную вторую поверхность окружающим воздухом.

Изобретение касается способа изготовления электродов для солнечных батарей, в котором электрод выполнен в виде электропроводящего слоя на основе (1) для солнечных батарей, на первом этапе с носителя (7) на основу (1) переносят дисперсию, содержащую электропроводящие частицы, посредством облучения дисперсии лазером (9), а на втором этапе сушат и/или отверждают перенесенную на основу (1) дисперсию в целях образования электропроводящего слоя.

Изобретение относится к технологии тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей с текстурированным слоем прозрачного проводящего оксида. Способ получения слоя прозрачного проводящего оксида на стеклянной подложке включает нанесение на стеклянную подложку слоя оксида цинка ZnO химическим газофазным осаждением при пониженном давлении и последующее текстурирование поверхности слоя ZnO высокочастотным магнетронным травлением в среде рабочего газа с одновременным перемещением электромагнитов магнетрона по площади поверхности слоя ZnO в течение определенных времени и мощности магнетрона.

Настоящее изобретение относится к области кремниевых многопереходных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечных батарей. Согласно изобретению предложено создание «гребенчатой» конструкции фотоэлектрического преобразователя, которая позволяет реализовать в его диодных ячейках максимально возможный объем области пространственного заряда p-n переходов, в котором сбор неосновных носителей заряда происходит наиболее эффективно.

Изобретение относится к области микроэлектроники, фотовольтаики, к не литографическим технологиям структурирования кремниевых подложек, в частности к способам структурирования поверхности монокристаллического кремния с помощью лазера.

Задний лист для модуля солнечных элементов содержит лист подложки и отвержденный слой пленки покрытия из материала покрытия, сформированного на одной стороне или на каждой стороне листа подложки, причем указанный материал покрытия содержит фторполимер (А), имеющий повторяющиеся звенья на основе фторолефина (а), повторяющиеся звенья на основе мономера (b), содержащего группы для поперечного сшивания и повторяющиеся звенья на основе мономера (с), содержащего алкильные группы, где C2-20 линейная или разветвленная алкильная группа не имеет четвертичного атома углерода, а ненасыщенные группы, способные к полимеризации, связаны друг с другом посредством эфирной связи или сложноэфирной связи.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при создании многоспектральных и многоэлементных фотоприемников. Гибридная фоточувствительная схема содержит алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками, расположенными на нем в шахматном порядке в виде прямоугольной матрицы и по числу равными числу индиевых столбиков.

Изобретение относится к технике машинного зрения и может быть использовано в видеокамерах и фотоаппаратах, предназначенных для регистрации цифровых изображений.

Изобретение относится к светоизлучающему модулю. .

Изобретение относится к способам измерения параметров инфракрасных матричных фотоприемных устройств (ИК ФПУ), работающих в режиме накопления. .

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к непрерывно следящим за Солнцем солнечным установкам как с концентраторами солнечного излучения, так и с плоскими кремниевыми модулями, предназначенным для питания потребителей, например, в районах ненадежного и децентрализованного электроснабжения.

Изобретение относится к солнечной фотоэнергетике и может найти применение как в мощных солнечных электростанциях, так и в качестве фотоэлектрической энергоустановки индивидуального пользования.

Изобретение относится к области солнечной энергетики и, в частности, к солнечным энергетическим установкам с концентраторами солнечного излучения и системами слежения, применяемым, например, в составе электростанций, предназначенных для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии.

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках.

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках.

Изобретение относится к технике фотометрии и предназначено для метрологического определения внутренней квантовой эффективности полупроводникового фотодиода по его вольт-амперным характеристикам. Известен способ калибровки фотодиодов - метод электрического смещения на окисле. Чтобы характеризовать кремниевые р+nn+ фотодиоды, необходимо решить задачу определения эффективности собирания зарядов для фототока, генерируемого в р+ области. Первичной причиной потерь во фронтальной области является высокая скорость электрон-дырочной рекомбинации. Этот эффект усиливается присутствием положительно заряженных ионов, которые наводят поверхностное электрическое поле. Для определения влияния этого эффекта на внутреннюю квантовую эффективность диода широко используется метод электрического смещения на окисле. Преимуществом данного способа являются прямое измерение фототока насыщения и вычисление по нему внутренней квантовой эффективности. Однако этот способ обладает недостатком, который состоит в деградации рабочей поверхности полупроводника, происходящей под действием высокого отрицательного напряжения, приложенного к поверхности. Целью настоящего изобретения является способ определения квантовой эффективности фотодиода, основанный на сравнении его экспериментально измеренных вольт-амперных характеристик с теоретически рассчитанными зависимостями. Поставленная цель достигается тем, что при 2-х разных мощностях падающего лазерного излучения, относительно которых известно лишь их отношение, снимают две вольт-амперные характеристики фотодиода, которые затем сопоставляются посредством разработанной расчетной процедуры. Таким образом, изобретение обеспечивает упрощение процедуры калибровки при сохранении точностных характеристик фотодиода.
Наверх