Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом


 


Владельцы патента RU 2515420:

Открытое акционерное общество "Сатурн" (RU)

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к фотопреобразователям. Техническим результатом изобретения является улучшение качества контактов и увеличение выхода годных приборов. В способе изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, включающем создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание мезы, удаление фоторезиста, напыление слоев тыльного контакта, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, нанесение просветляющего покрытия, вырезку из пластины фотопреобразователя со встроенным диодом, вытравливание диодной площадки проводят капельным смачиванием, а для напыления слоев лицевой металлизации используются слои хрома толщиной 5÷15 нм, серебра толщиной 5÷15 нм, золото-германия толщиной 50÷80 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 30÷80 нм, кроме того, после создания фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода проводят вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне подложки, а затем наносят защитное покрытие, после чего стравливают подложку, а после удаления защитного покрытия и фоторезиста напыляют слои тыльной металлизации. 1 табл.

 

Изобретение относится к электрическому оборудованию, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к фотопреобразователям.

Известен способ изготовления мелкозалегающих омических контактов к полупроводниковому слою n+-GaAs. На поверхности пластины создают фоторезистивную маску с окнами под контакты. Напыляют последовательно слои металлов палладия, золото-германия, серебра, золота с толщинами 5 нм / 0,1 мкм / 0,1 мкм / 0,1 мкм соответственно. Фоторезист с напыленной пленкой металлов удаляют, отжигают контактные слои при температуре 450°С в течение 30 сек (см. J. Appl. Phys. 71 (7), 1 April 1992, p.3566÷3571. Shallow ohmic contact Formation by sequential deposition of Pd/Au-Ge/Ag/Au on GaAs and rapid thermal annealing).

Недостаток способа применительно к изготовлению фотопреобразователей заключается в том, что поверх контактной металлизации Pd/Au-Ge/Ag/Au необходимо наносить слои Ag/Au толщиной 5-6 мкм для увеличения электропроводности контактов, при этом напряжение растягивания в напыленной металлической пленке вызывает отслаивание и скручивание контактов. Слой палладия способен поглощать большое количество водорода, что может приводить к растрескиванию покрытия и увеличению электросопротивления.

Признаки, общие с предлагаемым способом, следующие: создание фоторезистивной маски с окнами под контакты, напыление слоев металлов Au-Ge/Ag/Au, удаление фоторезиста, отжиг контактов.

Известен способ изготовления лицевых контактов трехкаскадного фотопреобразователя (см. патент США №6300558, опубл. 09.10.2001 г.), в котором на поверхности эпитаксиального слоя n+GaInAs создают фоторезистивную маску с окнами под контакты, напыляют последовательно слои металлов золото-германия, никеля, золота с толщиной 0,1 мкм / 20 нм / 20 нм соответственно, удаляют фоторезист, отжигают контакты, создают фоторезистивную маску, электрохимически наращивают слой золота, удаляют фоторезист.

Недостаток способа заключается в том, что двукратное выполнение операций фотолитографии и снятия фоторезиста удлиняет технологический маршрут; разрастание в стороны электрохимического осадка увеличивает площадь затенения фотопреобразователя; для обеспечения работоспособности фотоэлемента при возникновении трещин необходима устойчивая на разрыв пленка тыльного контакта.

Признаки, общие с предлагаемым способом, следующие: создание фоторезистивной маски с окнами под контакты, напыление слоя золото-германия, удаление фоторезиста, отжиг контактов.

Наиболее близкий способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, принятый за прототип, представлен в статье «Overview of EMCORE.s Multi-junction Solar Cell Technology and High Yolume Manufacturing Capabilities», CS ManTech Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA и заключается в том, что на подложке германия с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры создают фоторезистивную маску с окном под диодную площадку, вытравливают диодную площадку, удаляют фоторезист, создают фоторезистивную маску с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и диода, вытравливают мезу, удаляют фоторезист, создают фоторезистивную маску с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода, напыляют слои лицевой металлизации, удаляют фоторезист, создают фоторезистивную маску под вскрытие оптического окна, вскрывают оптическое окно травлением, удаляют фоторезист, наносят просветляющее покрытие, напыляют слои тыльного контакта, отжигают контакты, вырезают из пластины фотопреобразователь со встроенным диодом.

Недостаток способа заключается в том, что при вытравливании диодной площадки и мезы возможно образование ямок травления на активной области фотореобразователя из-за дефектов фоторезистивной маски (проколы, царапины). В последующем попадание лицевых контактов на поверхность ямок приводит к закорачиванию р/п переходов и деградации параметров прибора.

При наращивании эпитаксиальных слоев на лицевой стороне германиевой подложки соответствующее подосаждение происходит и на тыльной стороне германиевой подложки, что не желательно, так как формируются встречно включенные р/п переходы, кроме того, напыленный на тыльную сторону германиевой подложки контактный слой золота не имеет адгезии к подосажденному слою n+ - GaAs. В связи с этим тыльную сторону германиевой подложки необходимо очищать от эпитаксиальных наростов.

В случае напыления в качестве первого слоя лицевых контактов золото-германия(палладия) при толщине металлизации 5÷6 мкм происходит ее отслаивание в процессе «взрыва» фоторезистивной маски вследствие недостаточной адгезии контактного слоя и растягивающего напряжения в металлической пленке. При отжиге контактов механическое напряжение в утолщенной сплошной металлизации тыла изгибает пластину.

Признаки прототипа, общие с предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, следующие: создание на подложке германия с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода, вытравливание диодной площадки, напыление слое лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляции фотопреобразователя и диода, вытравливание мезы, удаление фоторезиста, напыление слоев тыльного контакта, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, нанесение просвеляющего покрытия, вырезка из пластины фотопреобразователя со встроенным диодом.

Технический результат, достигаемый в предложенном способе, заключается в улучшении качества контактов и увеличении выхода годных приборов.

Достигается это тем, что в предложенном способе изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, включающем создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание мезы, удаление фоторезиста, напыление слоев тыльного контакта, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, нанесение просветляющего покрытия, вырезку из пластины фотопреобразователя со встроенным диодом, вытравливание диодной площадки проводят капельным смачиванием, а для напыления слоев лицевой металлизации используются слои хрома толщиной 5÷15 нм, серебра толщиной 5÷15 нм, золото-германия толщиной 50÷80 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 30÷80 нм, кроме того, после создания фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода проводят вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне германиевой подложки, а затем наносят защитное покрытие, после чего стравливают германиевую подложку в растворе азотной, плавиковой и уксусной кислот, а после удаления защитного покрытия и фоторезиста, напыляют слои тыльной металлизации используя слои хрома толщиной 5÷15 нм, золота толщиной 20÷50 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 20÷50 нм, кроме того, вырезанный из пластины фотопреобразователь со встроенным диодом выпрямляют путем охлаждения его в жидком азоте.

Отличительные признаки предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, обеспечивающие его соответствие критерию «новизна», следующие: вытравливание диодной площадки происходит капельным смачиванием; для напыления слоев лицевой металлизации используются слои: хрома толщиной 5÷15 нм, серебра толщиной 5÷15 нм, золото-германия толщиной 50÷80 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 30÷80 нм; вытравливание мезы происходит с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне германиевой подложки; нанесение защитного покрытия, после чего стравливание германиевой подложки в растворе азотной, плавиковой и уксусной кислот; после удаления защитного слоя и фоторезиста напыляют слои тыльной металлизации, используя слои: хрома толщиной 5÷15 нм, золота толщиной 20÷50 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 30÷80 нм, а после вырезки фотопреобразователя со встроенным диодом из пластины его выпрямляют путем охлаждения в жидком азоте.

Для обоснования соответствия предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом критерию «изобретательский уровень» был проведен анализ известных решений по литературным источникам, в результате которого не обнаружено технических решений, содержащих совокупность известных и отличительных признаков предлагаемого способа, дающих вышеуказанный технический результат. Поэтому, по мнению авторов, предлагаемый способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом соответствует критерию «изобретательский уровень».

Капельное вытравливание диодной площадки снижает ток утечки фотопреоборазователя, связанный с дефектами маскирования, в силу локальности смачивания травителем поверхности пластины.

Лицевая металлизация, состоящая из слоев хрома (5÷нм), серебра (5÷15 нм), золото-германия (50÷80 нм), серебра (5÷6 мкм), золота (30÷80 нм), обеспечивает адгезию при «взрыве» фоторезистивной маски и низкое переходное сопротивление контакта после отжига.

Меза-травление при наличии утолщенной лицевой металлизации снижает вероятность шунтирования р-n переходов из-за дефектов маски, кроме того, одновременная очистка тыльной стороны германиевой подложки от эпитаксиальных наростов обеспечивает адгезию тыльного контакта, сокращает технологический маршрут.

Стравливание германиевой подложки со 145 до 100 мкм снижает вес фотопреобразователя на ~0,7 г, что дает уменьшение массы батареи фотоэлементов площадью 10 м2 на ~2,2 кг.

Тыльная металлизация, состоящая из слоев хрома (5÷15 нм), золота (20÷50 нм), серебра (5÷6 мкм), золота (30÷80 нм), обеспечивает адгезию тыльного контакта к германиевой подложке и механическую прочность фотопреобразователя со встроенным диодом.

Для конкретного примера реализации способа используют трехкаскадные эпитаксиальные структуры, выращенные на p-Ge подложке диаметром 100 мм.

Создают фоторезистивную маску с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода. Используют негативный фоторезист Aznlof2070, толщина маски ~9 мкм. Травление диодной площадки выполняют капельным смачиванием в два этапа до вскрытия стопорных эпитаксиальных слоев.

На первом этапе в окна фоторезистивной маски под диодные площадки горизонтально расположенной пластины наносят каплю травителя состава H3PO4÷H2O2=1÷1. Травитель не парит и не воздействует на открытые участки рабочей области фотопреобразователя. Время травления до вскрытия стопорного эпитаксиального слоя tтр ~10 сек. При этом удаляются верхний контактный слой n-Ge(In)As и широкозонный слой n-AlInP. Пластину промывают в деионизованной воде, сушат. На втором этапе в диодные окна наносят каплю концентрированной соляной кислоты. Время травления до вскрытия стопорного эпитаксиального слоя 3G30W структур составляет tтр ~40 сек. При этом удаляются эмиттерный и базовый слои GaInP верхнего р/n перехода. Далее пластину промывают в деионизованной воде, сушат. Нанесение капли на окно маски исключает воздействие травителя на остальную поверхность (~99% площади пластины) даже при наличии дефектов маски (проколы, царапины).

Напыляют слои лицевой металлизации хрома толщиной 10 нм, серебра толщиной 7 нм, золото-германия толщиной 70 нм, серебра толщиной 5,5 мкм, золота толщиной 50 нм на установке ВАК 761. Слои хрома и последующий слой серебра необходимы в качестве адгезионных слоев, удерживающих напыленную пленку от скручивания и срыва с поверхности пластины при удалении фоторезистивной маски.

Слой золото-германия используется для снижения переходного сопротивления омического контакта. При отжиге происходит сквозная диффузия атомов золота и германия через адгезионные слои в полупроводник. Слой серебра толщиной 5÷6 мкм обеспечивает электропроводность лицевых контактов. Слой золота выполняет защитную функцию, предотвращая потемнение поверхности серебра.

При толщинах адгезионных слоев хрома, серебра менее 5 нм имеет место отслаивание лицевой металлизации при «взрыве» маски, что связано с выходом слоя золото-германия, имеющего недостаточную адгезию, к поверхности арсенида галлия. При толщинах слоев хрома, серебра более 15 нм возрастает переходное сопротивление контакта, так как атомы золота и германия не достигают поверхности полупроводника при отжиге.

Напыление слоев золото-германия толщиной более 80 нм нецелесообразно из-за расхода драгметалла. В случае, если толщина слоя серебра, ответственного за электропроводность лицевых контактов, менее 5 мкм, возрастает сопротивление металлизации, что снижает фактор заполнения фотопребразователя. Напыление слоев серебра и защитного слоя золота с толщинами, превышающими соответственно 6 мкм и 80 нм, неэкономично. Слои золота толщиной менее 30 нм растворяются в серебре при отжиге контактов. Фоторезист с нанесенной пленкой металлов удаляют в диметилформамиде.

Создают фоторезистивную маску с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода. Травление осуществляют поэтапно.

Таблица 1
Этапы вытравливания мезы
Этапы травления Состав травителя Время травления Величина суммарного подтрава под край мезы Стравливают
1 K2Cr2O7(10%)÷HBr=1÷1 90-120 сек 15-20 Слои эпитаксиальные
2 H3PO4÷H2O2÷H2O=2÷1÷4 5-7 мин 30-40 Слой германиевой подложки
3 K2Cr207(10%)÷HBr=1÷1 10-15 сек 30-40 Выступы эпитаксиальных слоев по краю мезы
4 HCl 10-15 сек 30-40 Выступы эпитаксиальных слоев по краю мезы

Эпитаксиальные слои GaInP, устойчивые к травителю H3PO4+H2O2+H2O (образуют нависающие выступы на боковой поверхности мезы), удаляются во избежание обламывания и шунтирования р/п переходов. Расстояние от края маски до омического контакта встроенного диода выбирается большим на 10-20 мкм величины подтрава под маску для предотвращения агрессивного воздействия на контакт.

Согласно предлагаемому способу меза-травление выполняется после «взрыва» лицевых контактов, что снижает вероятность закорачивания р/п переходов в результате запыления ямок травления или загрязнения металлическими частицами меза-граней. Очистка тыльной стороны германиевой подложки от эпитаксиальных наростов, осуществляемая одновременно с меза-травлением, является необходимым условием получения тыльного контакта с низким переходным сопротивлением и хорошей адгезией.

Наносят центрифугированием защитное покрытие на лицевую сторону пластины: слой фоторезиста (используют ФП 9120-2) и слой хлорвинилового клея (марки ХВК-2а).

Стравливают германиевую подложку в растворе азотной, плавиковой и уксусной кислот состава HNO3÷HF÷СН3СООН=1÷1, 5÷3. При этом пластина укладывается в ванночку горизонтально, германиевой подложкой кверху. Объем травителя ~25 мл. В процессе травления ванночка с пластиной совершают круговые движения радиусом R ~5 с частотой вращения ~70 об/мин в установке химико-динамического травления. Малый объем травителя и дополнительный теплоотвод предотвращают процесс неконтролируемого тепловыделения. Через 7 мин использованный травитель выливается. В ванночку наливают свежую порцию травителя и процесс повторяется.

Затем ванночка с пластиной промываются деионизованной водой и пластина извлекается с помощью шпателя. Толщина стравленного слоя подложки составляет ~50 мкм.

Далее удаляют защитное покрытие. Для этого пластины погружают в диметилформамид на время ~2 мин, а затем в деионизованную воду на время ~2 мин. Снимают защитную пленку хлорвинилового клея. Удаляют фоторезист в диметилформамиде. Далее освежают поверхность пластины в водном растворе плавиковой кислоты: HF+H2O=0,5÷100 в течение t ~30 сек. Напыляют слои тыльной металлизации хрома толщиной 10 нм, золота толщиной 30 нм, серебра толщиной 6 мкм, золота толщиной 50 нм на установке ВАК-761.

Слои хрома толщиной менее 5 нм не обеспечивают адгезии тыльного контакта к германиевой подложке. Слои с толщиной более 15 нм увеличивают переходное сопротивление контакта. При отжиге золото растворяется в германии, в связи с этим толщины менее 20 нм нецелесообразны из-за роста переходного сопротивления контакта. Слои серебра толщиной 5÷6 мкм обеспечивают механическую прочность фотопреобразователя со встроенным диодом. Защитные слои золота толщиной менее 30 нм растворяются в серебре, слои толщиной более 80 нм неэкономичны.

Отжигают контакты на установке ATV SR0706 в атмосфере водорода при температуре ~335°С, в течение t=7 сек. Вскрывают оптическое окно фотопреобразователя, стравливая контактный слой п+-Ga(In)As в водном растворе лимонной кислоты и перекиси водорода по маске лицевой металлизации.

Наносят просветляющее покрытие TiO2/Al2O3 на установке ВАК 761 opt.

Вырезают фотопреобразователь со встроенным диодом на установке DFD 6240.

Выравнивают фотопреобразователь со встроенным диодом посредством охлаждения в жидком азоте. Для этого его укладывают между кремниевыми подложками ⌀ ~100 мм. Сжимают кремниевые подложки по периметру скобами из полимерного материала. Погружают подложки с фотопреобразователем в жидкий азот на время t ~10÷15 сек и затем помещают в вытяжной шкаф. После высыхания конденсата кремниевые подложки освобождают от скоб и извлекают плоский фотопреобразователь со встроенным диодом.

Изготовленный фотопреобразователь имеет толщину германиевой подложки ~100 мкм, общий вес ~1,8 г, величину неплоскостности не более 0,15 мм. Слой тыльной металлизации обеспечивает работоспособность фотопреобразователя в случае возникновения трещин.

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, включающий создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя со встроенным диодом, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание мезы, удаление фоторезиста, напыление слоев тыльного контакта, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, нанесение просветляющего покрытия, вырезку из пластины фотопреобразователя со встроенным диодом, отличающийся тем, что вытравливание диодной площадки проводят капельным смачиванием, а для напыления слоев лицевой металлизации используются слои хрома толщиной 5÷15 нм, серебра толщиной 5~15 нм, золото-германия толщиной 50÷80 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 30÷80 нм, кроме того, после создания фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода проводят вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов по тыльной стороне германиевой подложки, а затем наносят защитное покрытие, после чего стравливают германиевую подложку в растворе азотной, плавиковой и уксусной кислот, и далее после удаления защитного покрытия и фоторезиста напыляют слои тыльной металлизации, используя слои хрома толщиной 5÷15 нм, золота толщиной 20÷50 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 30÷80 нм, кроме того, вырезанный из пластины фотопреобразователь со встроенным диодом выпрямляют путем охлаждения его в жидком азоте.



 

Похожие патенты:

Изобретение может быть использовано в различной оптико-электронной аппаратуре для обнаружения инфракрасного излучения. Фотоприемный модуль на основе PbSe согласно изобретению представляет собой гибридную микросборку, состоящую из фоточувствительного элемента, в виде линейки на основе PbSe и кристалла БИС-считывания (мультиплексора), соединенных между собой методом перевернутого монтажа (flip-chip), при этом индиевые столбики наносят на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, которые помимо слоев Cr, Pd, An содержат подслой Cr и In, и стыкуют с индиевыми столбиками, нанесенными на БИС-считывания, образуя электрическую и механическую связь.

Настоящее изобретение относится к области кремниевых многопереходных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечных батарей. Конструкция «наклонного» кремниевого монокристаллического многопереходного (МП) фотоэлектрического преобразователя (ФЭП) согласно изобретению содержит диодные ячейки (ДЯ) с n+-p--p+ (р+-n--n+) переходами, параллельными горизонтальной светопринимающей поверхности, диодные ячейки содержат n+(p+) и р+(n+) области n+-p--p+(p+-n--n+) переходов, через которые они соединены в единую конструкцию металлическими катодными и анодными электродами, расположенными на поверхности n+(p+) и p+(n+) областей с образованием соответствующих омических контактов - соединений, при этом, что n+(p+) и p+(n+) области и соответствующие им катодные и анодные электроды расположены под углом в диапазоне 30-60 градусов к светопринимающей поверхности, металлические катодные и анодные электроды расположены на их поверхности частично, а частично расположены на поверхности оптически прозрачного диэлектрика, расположенного на поверхности n+(p+) и p+(n+) областей, при этом они с металлическими электродами и оптически прозрачным диэлектриком образуют оптический рефлектор.

Изобретение относится к области фотоэлектрического преобразования солнечной энергии. Согласно изобретению предложен способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента, имеющей два электрода и содержащей по меньшей мере один слой соединения кремния, который включает осаждение слоя соединения кремния на несущую структуру, в результате чего одна поверхность слоя соединения кремния расположена на несущей структуре, а вторая поверхность слоя соединения кремния является непокрытой, обработку второй поверхности слоя соединения кремния в заданной кислородсодержащей атмосфере с обогащением тем самым второй поверхности слоя соединения кремния кислородом и воздействие на обогащенную вторую поверхность окружающим воздухом.

Изобретение касается способа изготовления электродов для солнечных батарей, в котором электрод выполнен в виде электропроводящего слоя на основе (1) для солнечных батарей, на первом этапе с носителя (7) на основу (1) переносят дисперсию, содержащую электропроводящие частицы, посредством облучения дисперсии лазером (9), а на втором этапе сушат и/или отверждают перенесенную на основу (1) дисперсию в целях образования электропроводящего слоя.

Изобретение относится к технологии тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей с текстурированным слоем прозрачного проводящего оксида. Способ получения слоя прозрачного проводящего оксида на стеклянной подложке включает нанесение на стеклянную подложку слоя оксида цинка ZnO химическим газофазным осаждением при пониженном давлении и последующее текстурирование поверхности слоя ZnO высокочастотным магнетронным травлением в среде рабочего газа с одновременным перемещением электромагнитов магнетрона по площади поверхности слоя ZnO в течение определенных времени и мощности магнетрона.

Настоящее изобретение относится к области кремниевых многопереходных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечных батарей. Согласно изобретению предложено создание «гребенчатой» конструкции фотоэлектрического преобразователя, которая позволяет реализовать в его диодных ячейках максимально возможный объем области пространственного заряда p-n переходов, в котором сбор неосновных носителей заряда происходит наиболее эффективно.

Изобретение относится к области микроэлектроники, фотовольтаики, к не литографическим технологиям структурирования кремниевых подложек, в частности к способам структурирования поверхности монокристаллического кремния с помощью лазера.

Задний лист для модуля солнечных элементов содержит лист подложки и отвержденный слой пленки покрытия из материала покрытия, сформированного на одной стороне или на каждой стороне листа подложки, причем указанный материал покрытия содержит фторполимер (А), имеющий повторяющиеся звенья на основе фторолефина (а), повторяющиеся звенья на основе мономера (b), содержащего группы для поперечного сшивания и повторяющиеся звенья на основе мономера (с), содержащего алкильные группы, где C2-20 линейная или разветвленная алкильная группа не имеет четвертичного атома углерода, а ненасыщенные группы, способные к полимеризации, связаны друг с другом посредством эфирной связи или сложноэфирной связи.

Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов относится к солнечной энергетике. Способ включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное выращивание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя, создание сплошных омических контактов на тыльной и фронтальной поверхностях фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры.

Изобретение относится к изготовлению солнечных батарей. .
Изобретение относится области порошковой металлургии, в частности к шихте электродного материала для электроискрового легирования деталей машин. Шихта содержит порошок карбида вольфрама и карбид титана.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния последовательно плазмохимическим осаждением из газовой фазы при температуре подложки 300оС осаждают слой нелегированного α-Si n--типа толщиной 300 нм и слой легированного фосфором микрокристаллического кремния n+-типа толщиной 20 нм, между стоком и истоком формируют термически слой оксида кремния толщиной 200 нм, углубленный в слой аморфного кремния, затем наносят 500 нм слой SiO2 методом химического осаждения из газовой фазы при 250°C, затем образцы отжигают в атмосфере водорода при 350°C в течение 30 минут.

Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов ИК-диапазона.

Изобретение относится к области лазерной техники. Нанорезонатор состоит из двух гребенчатых пересекающихся фотонно-кристаллических волноводов, в месте пересечения образующих резонансную камеру.

Изобретение относится к медицине, а именно к ортопедической стоматологии. Описан способ изготовления внутрикостных имплантатов, включающий послойное нанесение плазменным напылением на металлическую основу имплантата биологического активного покрытия, при этом первым и вторым слоями дистанционно напыляют титан, третьим слоем наносят механическую смесь порошка титана и гидроксиапатита, четвертый слой формируют на основе гидроксиапатита или оксида алюминия, при этом при формировании четвертого слоя смешивают порошок бемита дисперсностью не более 50 нм с порошками гидроксиапатита или оксида алюминия в количестве 5-20% порошка бемита от общего количества веществ, при этом бемит берут в виде суспензии, приготовленной с добавлением поверхностно-активного вещества, растворенного в дистиллированной воде концентрацией 0,25-5%, обработанного в ультразвуковой ванне, затем полученную суспензию из бемита и гидроксиапатита или оксида алюминия обрабатывают в ультразвуковой ванне, сушат, отжигают и измельчают.
Изобретение относится к медицине, в частности к способу получения реагента для приготовления меченного технецием-99m наноколлоида на основе гамма-оксида алюминия А12O3, который может быть использован для радионуклидной диагностики.

Настоящее изобретение относится к смазочной масляной композиции, включающей 100 масс. частей смазки и от 0,01 до 3,0 масс.

Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в различных областях современной наноиндустрии, микроэлектронике, альтернативной энергетике и т.д. В способе получения наноструктурного покрытия из гранулированного нанокомпозита «металл-керамика» получают нанокомпозит предпочтительно методом ионно-лучевого распыления с образованием гранул, со средним диаметром преимущественно 2-4 нм, а концентрацию металлической фазы в получаемом нанокомпозите при распылении обеспечивают в пределах 25-30 ат.%.

Изобретение относится к нанесению изоляционных покрытий на металлические проволоки и может быть использовано, в частности, для покрытия проволок, предназначенных для изготовления сетчатых и других изделий.

Изобретение относится к нефтехимической промышленности и плазмохимии и может быть использовано для плазменной обработки и утилизации отходов нефтепереработки. Жидкое углеводородное сырьёе 5 разлагают электрическим разрядом в разрядном устройстве, расположенном в вакуумной камере 6.

Изобретение относится к технологии нанесения наноструктурных покрытий и может быть использовано в наноэлектронике и наноэлектромеханике. Покрытие получают из композита металл-керамика состава (Co86Nb12Ta2)x(SiOn)100-x. Осуществляют осаждение композита ионно-лучевым распылением с обеспечением образования гранул металлической фазы со средним диаметром 2-4 нм, изолированных сплошной керамической фазой. Концентрацию металлической фазы при распылении выбирают в пределах 20 - 40 ат.%. Получаемые покрытия обладают высокой твердостью и характеризуются высокой стабильностью параметров. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.
Наверх