Способ изготовления pin-фотодиодов с охранным кольцом на высокоомном р-кремнии

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Способ изготовления pin-фотодиодов с охранным кольцом (ОК) на высокоомном р-кремнии включает термическое окисление исходной пластины р-кремния или эпитаксиальной структуры, содержащей слой высокоомного р-кремния, вскрытие «окон» в термическом окисном слое, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и области ОК, создание на обратной стороне пластины геттерирующего слоя и проведение геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование подконтактной области базы атомами бора для создания омического контакта р+-р типа, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и охранному кольцу и зондовый контроль их темновых токов, отбор пластин, не соответствующих заданным значениям темнового тока, стравливание с них термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С, вскрытие контактных «окон» в нанесенном слое и повторный зондовый контроль темновых токов и при соответствии темнового тока заданным значениям - нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла, а при несоответствии заданным значениям темнового тока - повторение операций до получения заданных значений темнового тока. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных фотодиодов за счет снижения уровня темнового тока рабочей области и области ОК до заданных значений. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам создания планарных диффузионных pin-фотодиодов с охранным кольцом (ОК) на основе высокоомного (удельное сопротивление более 1 кОм·см) р-кремния с низким уровнем темновых токов.

Известен способ изготовления планарных диффузионных pin-фотодиодов с ОК на высокооомном р-кремнии, в котором для минимизации темновых токов рабочей области и ОК сначала формируют габариты кристаллов отдельных pin-фотодиодов, затем на кристаллах термическим окислением выращивают слой окиси кремния, стравливают этот слой с обратной и торцевой сторон кристалла и проводят в них диффузию бора, затем исходный окисел и образовавшееся стекло стравливают и проводят второе термическое окисление для формирования на рабочей стороне нового слоя окиси кремния, после этого с применением метода обратной фотолитографии вскрывают «окна» в новом слое для создания n+-р переходов рабочей области и ОК и проводят в них диффузию фосфора, затем повторно снимают окись кремния с обратной и торцевых сторон кристалла и в них проводят диффузию бора (см. Ащеулов А.А., Годованюк В.Н., Добровольский Ю.Г., Рюхтин В.В., Романюк И.С. «Оптимизация надежности кремниевых pin-фотодиодов по темновом току», Технология и конструирование в электронной аппаратуре, №1, 1999 г., с.35-38).

Такой способ позволяет получать удельные значения темнового тока при напряжении 20 В в пределах ( 0,6 16 ) м к А с м 2 при выходе годных кристаллов до 50%. Однако э тот способ является сложным, малопроизводительным и обладает высокой трудоемкостью и энергоемкостью из-за необходимости работать с отдельными кристаллами, а не с пластинами, содержащими от 5 до 15 шт. таких кристаллов, повторения энергоемких операций термического окисления и диффузии бора вместе с повторными операциями фотолитографии, применения нетрадиционной для технологии таких приборов обратной фотолитографии.

Более простым, менее трудоемким и энергоемким является наиболее близкий к предлагаемому способ изготовления планарных диффузионных pin-фотодиодов с ОК на высокоомном р-кремнии, включающий термическое окисление исходной кремниевой пластины для формирования слоя окиси кремния, обеспечивающего маскирование при диффузии и защиту поверхности планарных n+-р переходов рабочей области и ОК, вскрытие «окон» в термическом окисном слое на рабочей стороне пластины, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и ОК, стравливание термического окисного слоя с обратной стороны пластины, загонку в нее атомов фосфора и их разгонку, совмещенную с окислением, для создания геттерирующего слоя и проведения геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование обратной стороны загонкой атомов бора для создания омического контакта p+-р типа к базе, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и ОК и зондовый контроль их темновых токов для отбраковки пластин, нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла (см. техническую документацию ОАО «МЗ «САПФИР» ЖИАЮ. 432235.012, ЖИАЮ. 432235.037, 2009 г.).

Однако такой способ не обеспечивает стабильный и высокий уровень годных кристаллов по темновому току из-за поверхностных утечек.

Задачей, решаемой предлагаемым способом, и техническим результатом при его использовании является повышение выхода годных фотодиодов за счет снижения уровня темнового тока рабочей области и ОК до заданных значений.

Указанный технический результат достигается тем, что способ изготовления pin-фотодиодов с ОК на высокоомном р-кремнии включает термическое окисление исходной пластины р-кремния или эпитаксиальной структуры, содержащей слой высокоомного р-кремния, вскрытие «окон» в термическом окисном слое, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и ОК, создание на обратной стороне пластины геттерирующего слоя и проведение геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование подконтактной области базы атомами бора для создания омического контакта р+-р типа, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и ОК и зондовый контроль их темновых токов, отбор пластин, не соответствующих заданным значениям темнового тока, стравливание с них термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°C, вскрытие контактных «окон» в нанесенном слое и повторный зондовый контроль темновых токов и при соответствии темнового тока заданным значениям - нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла, а при несоответствии заданным значениям темнового тока - повторное стравливание термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С с последующим вскрытием «окон» и измерением темновых токов до получения их заданных значений. В частном случае выполнения нанесение нового защитного слоя окиси кремния после стравливания термического окисного слоя проводят методом низкотемпературного разложения молекул металлоорганических соединений, например гексаметилдисилаксана или тетраэтоксисилана, в плазме аргона.

Новым в предложенном способе является то, что после измерения темновых токов, с превышающими их допустимые значения фотодиодами проводят операции стравливания термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°C. При этом происходит удаление встроенного заряда, в результате чего исчезают или ослабляются поверхностные каналы утечки. При нанесении нового защитного слоя окиси кремния при температурах не выше 300°C величина встроенного заряда оказывается недостаточной для образования каналов, что обеспечивает резкое уменьшение темновых токов и увеличение выхода годных приборов. Это объясняется следующим образом.

При создании планарных pin-фотодиодов с ОК на высокоомном р-кремнии необходимо обеспечение низкого уровня темновых токов рабочей области и ОК, которые обусловлены генерацией носителей заряда дефектными центрами в области пространственного заряда (ОПЗ) планарных n+-p переходов и утечками по инверсным каналам на поверхности р-базы за пределами планарных границ n+-области. Дефектные центры в ОПЗ в той или иной мере могут быть удалены в результате создания геттерирующего слоя и проведения процесса геттерирования. При успешном геттерировании темновой ток, обусловленный генерацией в ОПЗ, становится существенно меньше тока утечек по поверхностным инверсным каналам. Последние наводятся положительным эффективным поверхностным зарядом, который складывается из зарядов, локализованных непосредственно на поверхностных центрах, и зарядов, встроенных в поверхностный защитный диэлектрический слой на расстоянии до 100 Å от границы кремний-диэлектрик. При достаточно высоком качестве обработки поверхности кристалла в случае применения для защиты поверхности слоя окиси кремния, полученного термическим окислением, положительный эффективный поверхностный заряд является, в основном, встроенным, и его величина определяется условиями роста окисного слоя и охлаждения после проведения этого процесса. При упущениях в контроле условий проведения процесса окисления и охлаждения после процесса, например в случае попадания воздуха в реактор печи с контролируемой атмосферой азота, осушенного и очищенного от кислорода, при охлаждении может происходить значительное увеличение встроенного заряда. Аналогичный эффект возможен при охлаждении после других термических процессов (загонка-разгонка фосфора, загонка бора).

Поскольку обсуждаемый заряд встроен в защитный слой окисла, то он исчезает при стравливании этого слоя, уменьшая токи поверхностных утечек, однако для сохранения такого состояния требуется нанести новый защитный слой с минимальным встроенным зарядом.

Наиболее пригодными для защиты поверхности планарных кремниевых приборов являются слои именно окиси кремния, в которых встроенный заряд определяется вакансиями кислорода. Последние активно формируются в растущем и готовом окисном слое при температурах 400-700°С при наличии даже «следов» кислорода в атмосфере, контактирующей с образцами. По этой причине безопасными для приборных структур на высокоомном кремнии являются температуры не выше 300°C. Поэтому для нанесения нового защитного слоя окиси кремния наиболее пригодны низкотемпературные (при температурах не выше 300°C) методы, из которых в наибольшей мере безопасным для поверхности и отработанным является метод разложения молекул металлоорганических соединений, например гексаметилдисилаксана или тетраэтоксисилана, в плазме аргона.

Таким образом, технический результат достигается за счет того, что защитный слой термической окиси кремния с повышенным встроенным зарядом удаляют вместе с этим зарядом, в результате чего исчезают или ослабляются поверхностные каналы, и на место удаленного слоя наносят новый защитный слой окиси кремния в условиях, когда величина встроенного заряда оказывается недостаточной для образования каналов, что имеет место при температурах нанесения не выше 300°C. При этом темновой ток резко уменьшается.

Согласно предложению была изготовлена партия №1 кристаллов pin-фотодиодов на пластинах р-кремния ⌀60 мм с удельным сопротивлением (10÷15) кОм·см. На аналогичном материале изготовлены также партия №2 с отступлением от предложения и партия №3 - по прототипу. Каждая партия состояла из 10 шт. пластин, на каждой из которых размещалось до 5 шт. кристаллов размером 22×22 мм с планарными n+-р переходами рабочей центральной области ⌀14 мм и окружающего ее на расстоянии 0,2 мм ОК с внешним ⌀15,6 мм, защитным слоем окиси кремня на рабочей стороне пластины, омическим контактом p+-p типа на обратной стороне пластины и контактами из системы Cr+Au ко всем областям кристалла. Для всех партий температура окисления составляла 1150°C (режим: сухой-влажный-сухой кислород), температуры загонки и разгонки фосфора при формировании рабочей области, ОК и геттерирующего слоя составляли соответственно 950°C и 1130°С, источник при загонке - POCl3; температура загонки бора - 980°C, источник - пластины нитрида бора.

В партии №1 после стравливания термического окисного слоя наносился слой окиси кремния разложением паров гексаметилдисилаксана в плазме аргона при температуре 200°C, в партии №2 - при 350°C (отступление от предложения). При этом в обеих партиях слой термического окисла стравливали в буферном травителе (HF:H2O=1:10). После формирования контактной системы пластины разрезали на кристаллы, на которых с помощью прижимных зондов при температуре (22±2)°C и обратных напряжениях 20 В и 150 В измеряли темновые токи OK ( I 20 O K и I 150 O K ) и рабочей области при параллельном подключении ОК (I20 и I150). По результатам измерений на годных кристаллах определяли средние значения всех указанных параметров ( I 20 О К ¯ , I 150 О К ¯ , I 20 O K и I 150 O K ) и выход годных для обоих напряжений (η20 и η150), считая, что допустимыми значениями являются

I 20 О К 10  мкА , I 20 1  мкА

и

I 150 О К 200  мкА , I 150 3  мкА .

В таблице представлены полученные результаты, из которых следует, что за счет применения предложения выход годных pin-фотодиодов по темновому току при рабочем напряжении 20 В возрос в ~2 раза, а при 150 В - в ~6 раз. При этом средний уровень темновых токов рабочей области и ОК годных фотодиодов практически не изменился.

Таблица
№ партии Выход годных, η20, % Средний темновой ток ОК, I 20 О К ¯ мкА Средний темновой ток рабочей области, I 20 ¯ мкА Выход годных, η150, % Средний темновой ток ОК, I 150 О К ¯ мкА Средний темновой ток рабочей области, I 150 ¯ мкА
1 48 9,3 0,92 41 110 7,7
2 20 8,8 0,98 9 106 8,3
3 22 9,5 0,89 7 120 2,8

Поскольку возникновение повышенных токов утечки при изготовлении фотодиодов во многом обусловлено возможной нестабильностью условий проведения технологических операций, с образцами, не ставшими годными по темновому току, были проведены повторные операции стравливания термического окисного слоя и нанесения на свободную поверхность слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С, с последующим вскрытием «окон» и измерением темновых токов, получение значения которых показали, что выход годных фотодиодов увеличился еще на ~20%. При этом для оставшихся негодных фотодиодов сохраняется возможность проведения операций повторного стравливания и нанесения слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С с последующим контролем темновых токов, что позволяет дополнительно увеличить выход годных фотодиодов и является экономически целесообразным, поскольку стоимость операций стравливания и нанесения окиси кремния значительно ниже стоимости исходного материала - пластин р-кремния или эпитаксиальных структур.

1. Способ изготовления pin-фотодиодов с охранным кольцом на высокоомном р-кремнии, включающий термическое окисление исходной пластины р-кремния или эпитаксиальной структуры, содержащей слой высокоомного р-кремния, вскрытие «окон» в термическом окисном слое, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и охранного кольца, создание на обратной стороне пластины геттерирующего слоя и проведение геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование подконтактной области базы атомами бора для создания омического контакта р+-р типа, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и охранному кольцу и зондовый контроль их темновых токов, отбор пластин, не соответствующих заданным значениям темнового тока, стравливание с них термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С, вскрытие контактных «окон» в нанесенном слое и повторный зондовый контроль темновых токов и при соответствии темновых токов заданным значениям - нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла, а при несоответствии заданным значениям темнового тока - повторное стравливание термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°C с последующим вскрытием «окон» и измерением темновых токов до получения их заданных значений.

2. Способ изготовления планарных диффузионных pin-фотодиодов с охранным кольцом на высокоомном р-кремнии по п.1, отличающийся тем, что нанесение нового защитного слоя окиси кремния после стравливания термического окисного слоя проводят методом низкотемпературного разложения молекул металлоорганических соединений, например гексаметилдисилаксана или тетраэтоксисилана, в плазме аргона.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs, позволяющих преобразовывать мощное узкополосное излучение в электрическую энергию для энергоснабжения наземных и космических объектов.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к способу изготовления фотопроводящих радиационно стойких структур. Способ включает предварительное формирование монослоя жирной кислоты на поверхности раствора свинецсодержащей соли в воде в концентрации 1·10-3-5·10-3 моль/л для получения свинецсодержащего монослоя жирной кислоты по методу Ленгмюра-Блоджетт, перенос одного свинецсодержащего монослоя жирной кислоты на поверхность фоточувствительной пленки, термическую сенсибилизацию фоточувствительной пленки.

Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности, к способам изготовления планарных pin-фотодиодов большой площади на основе высокоомного кремния p-типа проводимости.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,9-1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс).

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. Согласно изобретению способ гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств включает сдавливание индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, при этом микроконтакты выполняют в форме вытянутых прямоугольников с размерами сторон менее зазоров между микроконтактами, как по вертикали, так и по горизонтали, причем микроконтакты на кристаллах БИС и матрицы фоточувствительных элементов расположены под углом по отношению к друг другу.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,9-1,06 мкм. Согласно изобретению в способе изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов для снижения концентрации электрически активных центров, создаваемых загрязняющими примесями с низкими значениями коэффициентов диффузии, процесс термического окисления проводят при температуре не выше 950°C и последующие процессы диффузии (диффузия фосфора для создания n+-областей, геттерирование диффузионным n+-слоем, диффузия бора для создания p+-области) проводят при температурах, не превышающих указанную.

Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Согласно изобретению предложен способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlxGa1-xN.

Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения.

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления.

Способ изготовления каскадных солнечных элементов включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста.

Пленки твердых растворов замещения PbSnSe - востребованный материал полупроводниковой оптоэлектроники и лазерной техники среднего и дальнего инфракрасного диапазона. Однако достигнутое на сегодня содержание олова в составе гидрохимически синтезируемых пленок PbSnSe не обеспечивает в полной мере их фоточувствительности к дальнему ИК-диапазону. В способе получения пленок твердых растворов замещения PbSnSe методом ионообменного замещения обработку предварительно полученных пленок PbSe проводят в водном растворе соли олова(II), содержащем растворимую уксуснокислую соль или уксуснокислую кислоту в количестве до 6,0 моль/л при температуре процесса 353-371 K с последующей обработкой на воздухе при температуре от 523 до 723 K. Технический результат изобретения состоит в сдвиге спектрального диапазона фоточувствительности пленок твердых растворов PbSnSe, получаемых из водного раствора методом ионного обмена, в дальний инфракрасный диапазон. 1 табл.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к созданию тонкопленочных элементов матрицы неохлаждаемого типа в тепловых приемниках излучения (болометров) высокой чувствительности. Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника на основе оксида ванадия представляет собой нанесение металлической пленки ванадия и электродов методами магнетронного распыления и последующей лифт-офф литографии на диэлектрическую подложку. Затем через металлическую пленку ванадия пропускают электрический ток высокой плотности, под действием которого она нагревается и термически окисляется. После нагрева структуры и образования оксида VOx ток отключают, и происходит остывание сформированного тонкопленочного элемента. Изобретение позволяет значительно упростить способ изготовления чувствительного элемента матрицы теплового приемника. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к способам получения трехкаскадных преобразователей. Технический результат, достигаемый в предложенном способе, изготовления фотопреобразователя заключается в улучшении однородности и воспроизводимости стравливания контактного слоя структуры, повышении фотоэлектрических параметров. Достигается это тем, что формируют контактную металлизацию на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вжигают контакты, вытравливают мезу, удаляют контактный слой структуры химикодинамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении компонентов, соответственно в мас.%: гидроокись тетраметиламмония 0,7÷1,3, перекись водорода 6,5÷17,7, вода 92,8÷81. 1 табл.

Изобретение обеспечивает фотогальваническое устройство и способ изготовления такого устройства. Фотогальваническое устройство согласно изобретению включает в себя комбинацию полупроводниковых структур и защитный слой. Комбинация полупроводниковых структур имеет множество сторон и включает в себя p-n-переход, n-p-переход, p-i-n-переход, n-i-p-переход, тандемный переход или мульти-переход. В частности, защитный слой сформирован для покрытия сторон комбинации полупроводниковых структур. Благодаря этому защитный слой может эффективно подавлять эффект вызванной высоким потенциалом деградации фотогальванического устройства согласно изобретению, что повышает надежность фотогальванического устройства. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 13 ил., 1 табл.

Согласно изобретению предложена печь для вжигания электрода солнечного элемента, которая снабжена транспортировочным элементом, транспортирующим подложку с нанесенной на нее проводящей пастой, секцией нагрева, которая нагревает подложку и вжигает проводящую пасту, и секцией охлаждения, которая охлаждает нагретую подложку. При этом печь снабжена средством нагрева транспортировочного элемента. Также предложены способ изготовления солнечного элемента с использованием описанной выше печи и устройство, изготовленное этим способом. Изобретение обеспечивает во время вжигания электродной пасты исключение осаждения материала металлического компонента проводящей пасты на транспортирующей проволоке, и печь для вжигания можно использовать непрерывно, что исключает потери производительности. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области контроля фотоэлектрических устройств и касается способа исследования пространственного распределения характеристик восприимчивости фотоэлектрических преобразователей в составе солнечных батарей к оптическому излучению. Способ включает сканирование поверхности исследуемого объекта лазерным лучом с помощью гальваносканеров с одновременной записью координат сканирования и напряжения, пропорционального величине фотоотклика в данной точке исследуемого объекта. Технический результат заключается в обеспечении возможности получения данных о распределении энергетических параметров фотоэлектричиских преобразователей в составе солнечных батарей, а также в обеспечении возможности визуализации полученных данных. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления матричных фотоприемников ИК-излучения на основе антимонида индия, теллурида кадмия-ртути. Способ изготовления матричного фотоприемника согласно изобретению включает формирование на полупроводниковой пластине р+-n- или n+-р-перехода по всей поверхности, формирование защитной маски фоторезиста с рисунком ФЧЭ с последующим травлением мезаструктур на глубину, при которой р+-n- или n+-р-переход выходит на поверхность у основания мезаструктуры под углом меньше 60°. Затем осуществляют нанесение защитного диэлектрика, формирование фоторезистивной маски с последующим травлением контактных окон в диэлектрике, напыление металла, формирование фоторезистивной маски с последующим травлением металла для получения контактной системы, напыление индия, формирование фоторезистивной маски с последующим травлением индия одним из известных способов: химическое травление или ионное травление с последующим удалением слоев фоторезиста для получения индиевых микроконтактов. Изобретение обеспечивает возможность изготовления мезаструктур с помощью известных методов ионного и химического травления, обеспечивающих низкое значение напряженности электрического поля на поверхности n+-р- или р+-n-переходов и, соответственно, низкие значения темновых токов фотоприемников. 9 ил.

Изобретение относится к технологии создания фоточувствительных халькопиритных пленок, которые могут найти применение при создании солнечных батарей. Способ получения фоточувствительных халькопиритных пленок включает два этапа, на первом получают прекурсорную пленку, а на втором проводят ее отжиг. В качестве прекурсоров используют интерметаллиды Cu2In, CuGa2 и металлический индий. Изобретение обеспечивает получение однородных пленок с хорошей адгезией. 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов методом газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений, в частности к технологии выращивания гетероструктуры для полупроводникового полупрозрачного фотокатода с активным слоем из арсенида галлия, фоточувствительного в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне. В способе изготовления гетероструктуры для полупроводникового полупрозрачного фотокатода из арсенида галлия методом МОС-гидридной эпитаксии, при котором стопорный слой и активная область выращиваются при температурах 600-640°C, в структуру введен переходной слой переменного состава от p-GaAs до p-AlyGa1-yAs. При его выращивании повышают температуру до 700-760°С. На нем выращивают буферный слой при температурах 700-760°C. Скорость выращивания слоев выбрана в диапазоне от 0,1 до 3 мкм/час. Поток металлорганического соединения цинка выбирают так, чтобы обеспечить требуемую концентрацию акцепторной примеси в выращиваемых слоях. С использованием данного способа получены фотокатоды с повышенной минимум на 10% квантовой эффективностью. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Коллекторный электрод для солнечного элемента изготавливают трафаретной печатью проводящей пасты, при этом трафаретную печать повторяют многократно. Скорость прокатывания во время второй или последующей трафаретных печатей является больше, чем скорость прокатывания во время первой трафаретной печати. Вторая и последующая трафаретная печать накладывается на коллекторный электрод, отпечатанный первый раз; таким образом, чем выше скорость прокатывания, тем лучше отделяется печатная форма от пасты и основания. Количество нанесенной пасты увеличивается, и пленка для изготавливаемого коллекторного электрода становится толще, уменьшается величина сопротивления, а также обеспечивается улучшение эффективности преобразования солнечной энергии. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Способ изготовления pin-фотодиодов с охранным кольцом на высокоомном р-кремнии включает термическое окисление исходной пластины р-кремния или эпитаксиальной структуры, содержащей слой высокоомного р-кремния, вскрытие «окон» в термическом окисном слое, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и области ОК, создание на обратной стороне пластины геттерирующего слоя и проведение геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование подконтактной области базы атомами бора для создания омического контакта р+-р типа, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и охранному кольцу и зондовый контроль их темновых токов, отбор пластин, не соответствующих заданным значениям темнового тока, стравливание с них термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С, вскрытие контактных «окон» в нанесенном слое и повторный зондовый контроль темновых токов и при соответствии темнового тока заданным значениям - нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла, а при несоответствии заданным значениям темнового тока - повторение операций до получения заданных значений темнового тока. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных фотодиодов за счет снижения уровня темнового тока рабочей области и области ОК до заданных значений. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Наверх