Управляющий модуль для устройства для ионной имплантации



Управляющий модуль для устройства для ионной имплантации
Управляющий модуль для устройства для ионной имплантации
Управляющий модуль для устройства для ионной имплантации

 


Владельцы патента RU 2616599:

ИОН БИМ СЕРВИСЕЗ (FR)

Изобретение относится к управляющему модулю для устройства ионной имплантации, имеющему источник питания, содержащий: электрогенератор (НТ) с заземленным положительным полюсом; первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом указанного генератора (НТ) и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) источника питания; и второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с указанным выходным разъемом (S) и второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N). Управляющий модуль также содержит токоизмерительную цепь (AMP) для измерения тока смещения, протекающего между вторым полюсом указанного второго переключателя (SW2) и указанным нейтрализующим разъемом (N). Технический результат - повышение точности определения дозы имплантируемых атомов. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

Изобретение относится к управляющему модулю для устройства для ионной имплантации.

Изобретение относится к устройствам для ионной имплантации, работающим в плазменно-иммерсионном режиме. Имплантация ионов в подложку включает погружение подложки в плазму и подачу на нее отрицательного напряжения от нескольких десятков вольт (эВ) до нескольких десятков киловольт (кэВ) (обычно меньше 100 кВ) с целью создания электрического поля, обеспечивающего ускорение ионов плазмы в направлении подложки с обеспечением имплантации ионов в подложку. Атомы, имплантированные таким образом, называются «легирующими атомами».

Глубина проникновения ионов определена их энергией ускорения. Прежде всего, она зависит от напряжения, приложенного к подложке, а также от соответствующих свойств ионов и подложки. Концентрация внедренных атомов зависит от дозы, выражающейся в виде количества ионов на квадратный сантиметр, и от глубины имплантации.

Одним из существенных параметров при осуществлении имплантации является доза имплантируемых легирущих атомов. Эта доза должна быть точно известна. Она, как правило, оценивается с помощью тока питания, подаваемого генератором напряжения смещения.

Далее рассмотрена ситуация, в которой напряжение смещения на подложке пульсирует.

В публикации WO 01/15200 со ссылкой на фиг. 1 предложено приложение напряжения смещения к подложке посредством источника питания, содержащего:

- генератор GEN с заземленным положительным полюсом;

- первый переключатель IT1, первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом генератора GEN и второй полюс которого соединен с выходным разъемом О источника питания; и

- второй переключатель IT2, первый полюс которого соединен с выходным разъемом О и второй полюс которого заземлен.

Когда открыт первый переключатель IT1 и закрыт второй переключатель IT2, ток смещения вырабатывается в зависимости от эквивалентной емкости устройства для имплантации.

Эта эквивалентная емкость является суммой всех паразитных емкостей устройства:

- паразитная емкость проводов;

- емкость между частями, к которым приложено напряжение смещения, заземленными частями, в частности емкость между пластиной держателя подложки и имплантационной камерой;

- емкость разделительных трансформаторов; и

- емкость плазменной оболочки.

Установлено, что ток смещения представляет собой ток, непригодный для имплантации, однако извлекаемый из тока питания.

При вычислении имплантируемой дозы целесообразно учитывать этот ток смещения для того, чтобы вычесть его из тока питания.

Таким образом, в патенте US 6433553 предложено обеспечение измерения емкости Cm параллельно несущей подложке.

Предпочтительно, эта измеренная емкость Cm равна эквивалентной емкости устройства для имплантации, однако эту эквивалентную емкость практически невозможно определить.

Кроме того, ток смещения Id является производной от заряда Q по времени:

Id=dQ/dt.

Заряд Q является произведением напряжения V и измеренной емкости:

Q=Cm⋅V.

Таким образом:

Id=Cm(dV/dt)+V(dCm/dt).

В упомянутом документе учитывают только первый член приведенного выше уравнения. Предполагается, что эквивалентная емкость постоянна, что не соответствует действительности, в частности, по причине изменений в плазменной оболочке.

Таким образом, задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является более точное определение тока смещения.

Согласно изобретению предложен управляющий модуль для устройства для ионной имплантации, содержащий источник питания, включающий:

- электрогенератор с заземленным положительным полюсом;

- первый переключатель, первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом генератора и второй полюс которого соединен с выходным разъемом источника питания; и

- второй переключатель, первый полюс которого соединен с выходным разъемом, а второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом;

Дополнительно, управляющий модуль содержит токоизмерительную цепь для измерения тока, протекающего между вторым полюсом второго переключателя и нейтрализующим разъемом.

Ток смещения протекает между пластиной держателя подложки и нейтрализующим разъемом.

В первом примере нейтрализующий разъем заземлен.

Во втором примере нейтрализующий разъем соединен с положительным полюсом источника напряжения, отрицательный полюс которого заземлен.

В первом варианте выполнения токоизмерительная цепь представляет собой катушку, окружающую провод, соединяющий второй полюс второго переключателя с нейтрализующим разъемом.

Во втором варианте выполнения токоизмерительная цепь содержит измерительный резистор, соединенный между вторым полюсом второго переключателя и нейтрализующим полюсом, интегрирующий конденсатор, расположенный параллельно измерительному резистору, и цепь для измерения напряжения, расположенную тоже параллельно измерительному резистору.

Предпочтительно, управляющий модуль дополнительно содержит регулирующий конденсатор, расположенный между отрицательным полюсом генератора и землей.

Таким образом, управляющий модуль содержит модуль для вычисления тока для имплантации, подаваемого от генератора, и дополнительно содержит управляющую цепь для вычисления тока для имплантации путем взятия разности тока питания и тока смещения.

Кроме того, поскольку ток для имплантации является разностью тока питания и тока смещения, ток для имплантации представляет собой не только ток имплантированных ионов.

Возникновение положительных зарядов не исключительно обусловлено положительными ионами, достигающими подложки, но также появлением вторичных электронов, выбрасываемых с поверхности подложки.

В ионно-лучевых устройствах для имплантации вторичные электроны имеют небольшую энергию, поэтому они могут быть притянуты к подложке посредством окружающей ее клетки Фарадея, выполненной с возможностью оптического закрытия отрицательным потенциальным барьером.

В устройстве для имплантации, работающем в плазменно-иммерсионном режиме, вторичные электроны ускоряются с энергией, по существу равной энергии положительных ионов плазмы, что значительно усложняет возвращение ионов к подложке.

Таким образом, другой задачей настоящего изобретения является учет вклада вторичных электронов в ток для имплантации.

Согласно изобретению, управляющий модуль содержит модуль для вычисления тока питания, подаваемого от генератора, и получения тока, создаваемого радиопомехой, подаваемого от детектора вторичных электронов, а также дополнительно содержит управляющую цепь для вычисления ионного тока путем вычитания тока смещения и тока, создаваемого радиопомехой, из тока питания.

Кроме того, когда управляющая цепь получает от спектрометра долю предварительно определенных сортов ионов, она выделяет эту долю в ионный ток для вычисления имплантированной дозы.

Согласно изобретению также предложено устройство для ионной имплантации, снабженное управляющим модулем и содержащее пластину держателя подложки, причем выходной разъем источника питания соединен с пластиной держателя подложки.

Далее настоящее изобретение описано и проиллюстрировано более подробно в контексте его реализации со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых:

на фиг. 1 показан высоковольтный источник питания согласно известному аналогу;

на фиг. 2 показано устройство для ионной имплантации, снабженное управляющим модулем;

на фиг. 3 показан высоковольтный источник электропитания согласно предложенному изобретению;

на фиг. 4 изображен вариант выполнения токоизмерительной цепи.

Элементы устройства, изображенные более чем на одном чертеже, обозначены одинаковыми номерами позиций.

Согласно фиг. 2 устройство для ионной имплантации содержит множество составных частей, размещенных внутри и снаружи вакуумной камеры ENV. В микроэлектронике рекомендовано использование камеры, выполненной из алюминиевого сплава с целью ограничения загрязнения металлами, такими как железо, хром, никель или кобальт. Кроме того, возможно использование покрытия из кремния или карбида кремния.

Пластина PPS держателя подложки имеет форму горизонтально размещенного диска, выполненного с возможностью вращения относительно своей вертикальной оси АХТ, а также с возможностью размещения на нем подложки SUB для осуществления ее ионной имплантации.

Верхняя часть камеры ENV содержит цилиндрический корпус CS источника, расположенный на вертикальной оси АХР. Указанный корпус выполнен из кварца. Снаружи он окружен, во-первых, удерживающими катушками Boci и BOCj, а во-вторых, внешней радиочастотной антенной ANT. Входное отверстие ING для плазмообразующего газа расположено соосно вертикальной оси АХР корпуса CS источника. Вертикальная ось АХР пересекает поверхность пластины PPS держателя подложки, на которой размещена подложка SUB для ионной имплантации.

Возможно использование импульсного источника плазмы любого типа: индуктивно-связанной плазмы (ICP), геликонового, микроволнового, дугового. Эти источники должны работать при достаточно низких уровнях давлений, чтобы электрическое поле, создаваемое между пластиной PPS под высоким напряжением и камерой ENV, имеющей потенциал земли, не вызвало разряд плазмы, приводящий к нарушению работы источника в импульсном режиме.

Устройство для имплантации также содержит детектор DES вторичных электронов, расположенный обращенным к подложке SUB. Оно также содержит размещенный в камере ENV спектрометр SPC, например масс-спектрометр или оптический спектрометр. Спектрометр определяет долю имплантированных в плазму сортов.

Управляющий модуль MP устройства для имплантации по существу содержит четыре части:

- высоковольтный источник PS электропитания;

- измерительную цепь AMP для вычисления тока смещения;

- элемент CUR для вычисления тока источника питания; и

- управляющую цепь СС.

Согласно фиг. 3 источник PS питания содержит:

- высоковольтный генератор НТ с заземленным положительным полюсом;

- первый переключатель SW1, первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом генератора НТ, а второй полюс которого соединен с выходным разъемом S источника питания;

- второй переключатель SW2, первый полюс которого соединен с выходным разъемом S, а второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом N напрямую либо через разрядный резистор Rd, как правило, имеющий сопротивление 1 кОм (кΩ); и

- предпочтительно, регулирующий конденсатор Cr, соединенный параллельно с генератором НТ.

Выходной разъем S подключен к пластине PPS держателя подложки устройства для имплантации.

Элемент CUR для вычисления тока питания, равноценный амперметру, обеспечивает измерение тока питания, подаваемого от генератора НТ к пластине PPS держателя подложки.

Нейтрализующий разъем может быть заземлен. Он также может быть подключен к положительному полюсу источника напряжения, отрицательный полюс которого заземлен. Это положительное напряжение выбирают с обеспечением по существу его равенства потенциалу плазмы, находящемуся, как правило, в диапазоне от +10 вольт (В) до +20 В.

Токоизмерительная цепь AMP измеряет ток смещения, протекающий между вторым полюсом второго переключателя SW2 и нейтрализующим разъемом N.

В первом варианте выполнения эта токоизмерительная цепь представляет собой катушку, окружающую провод, по которому протекает ток смещения. Это обеспечивает измерение мгновенного тока, случается, что этот ток меняется чрезвычайно быстро. Во избежание использования электронных устройств для быстрых измерений, предпочтительно, следует измерить среднее значение этого тока.

Таким образом, согласно фиг. 4 во втором варианте выполнения токоизмерительная цепь AMP представляет собой усредняющую цепь. Она содержит измерительный резистор Rm, соединенный между вторым полюсом второго переключателя SW2 и нейтрализующим разъемом, интегрирующий конденсатор Ci, соединенный параллельно измерительному резистору Rm, и цепь U для измерения напряжения, соединенную также параллельно измерительному резистору Rm. Измеренное напряжение представляет собой среднее значение тока смещения.

Измерительный резистор Rm должен иметь такое сопротивление, чтобы обеспечить легкое измерение напряжения на выводах с достаточной точностью. Примерное сопротивление составляет около 10 Ом.

Обратимся к фиг. 2, на которой управляющий модуль MP содержит управляющую цепь СС, принимающую ток питания, подаваемый с элемента CUR для вычисления тока, а также принимающую ток смещения, подаваемый с токоизмерительной цепи AMP. Она вычисляет разность между этими двумя токами для расчета тока для имплантации, который является значительно улучшенным представлением имплантированной дозы, в сравнении с током питания.

Уточнение измерения дозы обеспечено следующим образом.

Управляющая цепь также получает ток, создаваемый радиопомехой, подаваемый от детектора DES вторичных электронов, и затем вычисляет ионный ток путем вычитания тока смещения и тока, создаваемого радиопомехой, из тока питания.

Дополнительное значительное улучшение измерения дозы обеспечено благодаря спектрометру SPC. Из него управляющая цепь получает доли плазмы, включающей имплантированные сорта, и умножает эту долю на ионный ток для вычисления дозы.

Изложенный вариант реализации изобретения выбран по причине его конкретной природы. Однако исчерпывающее перечисление всех возможных вариантов реализации изобретения не представляется возможным. В частности, любая стадия или любые средства, раскрытые в описании, возможно заменить эквивалентными средствами без выхода за рамки настоящего изобретения.

1. Управляющий модуль для устройства для ионной имплантации, включающий источник питания, содержащий:

- электрогенератор (HT) с заземленным положительным полюсом;

- первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом генератора (HT) и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) источника питания; и

- второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с выходным разъемом (S) и второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N);

отличающийся тем, что он содержит токоизмерительную цепь (AMP) для измерения тока смещения, протекающего между вторым полюсом второго переключателя (SW2) и нейтрализующим разъемом (N).

2. Управляющий модуль по п. 1, отличающийся тем, что нейтрализующий разъем (N) заземлен.

3. Управляющий модуль по п. 1, отличающийся тем, что нейтрализующий разъем (N) соединен с положительным полюсом источника напряжения, отрицательный полюс которого заземлен.

4. Управляющий модуль по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что токоизмерительная цепь (AMP) представляет собой катушку, окружающую провод, соединяющий второй полюс второго переключателя (SW2) с нейтрализующим разъемом (N).

5. Управляющий модуль по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что токоизмерительная цепь (AMP) содержит измерительный резистор (Rm), соединенный между вторым полюсом второго переключателя (SW2) и нейтрализующим разъемом (N), интегрирующий конденсатор (Ci), соединенный параллельно измерительному резистору (Rm), а также цепь (U) для измерения напряжения, также соединенную параллельно измерительному резистору (Rm).

6. Управляющий модуль по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что он дополнительно содержит регулирующий конденсатор (Cr), размещенный между отрицательным полюсом генератора (HT) и землей.

7. Управляющий модуль по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что он содержит элемент (CUR) для вычисления тока питания, подаваемого генератором (HT), а также содержит управляющую цепь (СС) для вычисления тока для имплантации путем взятия разности тока питания и тока смещения (AMP).

8. Управляющий модуль по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что он содержит элемент (CUR) для вычисления тока для имплантации, подаваемого генератором (HT), и получения тока, создаваемого радиопомехой, подаваемого детектором (DES) вторичных электронов, а также он содержит управляющую цепь (СС) для вычисления ионного тока путем вычитания тока смещения (AMP) и тока, создаваемого радиопомехой, из тока питания.

9. Управляющий модуль по п. 8, отличающийся тем, что управляющая цепь (СС) также получает долю предварительно заданных сортов ионов согласно установленному спектрометром (SPC), причем управляющая цепь (СС) выделяет указанную долю в ионный ток для вычисления имплантируемой дозы.

10. Устройство для ионной имплантации, снабженное управляющим модулем по любому из пп. 1-9 и отличающееся тем, что содержит пластину (PPS) держателя подложки с присоединенным к ней выходным разъемом (S) источника (PS) питания.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройству (100…103) для плазменного нанесения покрытия на подложку (2), в частности прессовальный лист, и способу плазменного нанесения покрытия.

Изобретение относится к области ионной имплантации с применением плазмы. Устройство для ионной имплантации содержит корпус, соединенный с насосным устройством; отрицательно поляризованный НТ держатель подложки PPS, размещенный в указанном корпусе; и плазмоподающее устройство АР, выполненное в форме цилиндрического тела, проходящего между начальным участком и замыкающим участком.

Изобретение относится к способу ввода пучка электронов в среду с повышенным давлением, при котором подачу газа осуществляют через систему напуска в сопловой блок, состоящий из двух кольцевых сопел (внутреннего и внешнего, по оси внутреннего кольцевого сопла имеется отверстие для прохождения пучка электронов), при расширении из которого в среду с повышенным давлением в приосевой области течения формируется «зона спокойствия», параметры которой зависят только от параметров, определяющих работу внутреннего кольцевого сопла (в частности, его геометрии и расхода газа), являющаяся частью транспортного канала для ввода пучка электронов из объема электронной пушки в среду с повышенным давлением.

Изобретение предназначено для использования в плазмохимических технологических процессах при конверсии тетрафторида кремния в моносилан для производства поликристаллического кремния высокой чистоты в микроэлектронной промышленности.

Изобретение относится к области катодного искрового испарения. Способ импульсного прерывистого искрового разряда осуществляют посредством разряда от конденсатора и током разряда управляют посредством периодического подключения конденсатора.
Изобретение относится к способу производства ацетилена с использованием плазменной технологии. Способ характеризуется тем, что содержащий, по меньшей мере, один вид углеводорода газ, предпочтительно метан, подается в нетермическую плазму источника плазмы, при этом микроволновая мощность составляет, по меньшей мере, 3 кВт.

Изобретение относится к плазменной технике, а именно к устройствам для плазменного осаждения пленок, и может быть использовано для изготовления тонкопленочных солнечных элементов, фоточувствительных материалов для оптических сенсоров и тонкопленочных транзисторов большеразмерных дисплеев, для нанесения защитных покрытий.

Изобретение относится к области газоразрядной техники, в частности к электродуговому испарителю для получения покрытий из твердых материалов на инструментах. Электродуговой испаритель снабжен предусмотренной на мишени системой магнитных полей для создания магнитных полей на поверхности мишени и над ней.

Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы содержит: микроволновый генератор, сконфигурированный для генерации микроволн на частоте f; плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от упомянутого основания до упомянутой верхней пластины, задавая объемный резонатор для поддержания микроволновой резонансной моды между основанием и верхней пластиной; конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволн от микроволнового генератора в плазменную камеру; систему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда; держатель подложки, расположенный в плазменной камере и содержащий поддерживающую поверхность для поддержания подложки; и подложку, расположенную на поддерживающей поверхности.

Изобретение относится к области плазменной обработки материалов. Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы содержит: микроволновый генератор, сконфигурированный для генерации микроволн на частоте f; плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от основания до верхней пластины, задавая объемный резонатор, для поддержания микроволновой резонансной моды, причем объемный резонатор имеет центральную вращательную ось симметрии, простирающуюся от основания до верхней пластины, и верхняя пластина установлена поперек центральной вращательной оси симметрии; конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволн от микроволнового генератора в плазменную камеру; систему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда и держатель подложки, расположенный в плазменной камере и содержащий поддерживающую поверхность для поддержания подложки, на которую осаждается синтетический алмазный материал при ее использовании.
Наверх