Способ изготовления микроконтактов

Изобретение относится к технологии сборки полупроводниковых приборов и может быть использовано для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) методом перевернутого монтажа. Способ изготовления микроконтактов согласно изобретению включает нанесение пленки индия и формирование из нее методом фотолитографии массива индиевых микроконтактов, выполненных в виде прямоугольников, при этом при стыковке кристаллов в каждой ячейке стыкуемых кристаллов располагают более одного прямоугольного индиевого микроконтакта. Изобретение обеспечивает повышение прочности стыковки кристаллов за счет относительного увеличения доли площади боковой стыковки микроконтактов в суммарной площади стыковки микроконтактов. 2 ил., 1 табл.

 

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа.

В известном способе стыковки [патент США №4067104] индиевые микроконтакты выполнены в виде квадратных или круглых столбиков с плоскими вершинами и практически с одинаковыми геометрическими размерами для стыкуемых кристаллов БИС считывания и МФЧЭ. Главный недостаток указанного способа стыковки состоит в низкой прочности соединения кристаллов. Основная причина низкой прочности - наличие на поверхности индиевых микроконтактов оксидной пленки, обладающей низкими адгезионными и пластическими свойствами. Для повышения прочности стыковки необходимо очистить место соединения индиевых микроконтактов от оксидной пленки и создать тем самым условия для объединения чистого индия от двух стыкуемых микроконтактов.

Существует много способов очистки поверхности индиевых микроконтактов от оксидной пленки, однако полной очистки поверхности индиевых микроконтактов в известных способах не происходит. Кроме того, окисление индия на воздухе происходит очень быстро - за десятки секунд [патент RU 2411610]. От очистки поверхности микроконтактов до стыковки проходит время, в течение которого происходит рост новой пленки оксида индия.

Во время сдавливания микроконтактов при стыковке кристаллов происходит растрескивание оксидной пленки на поверхности индиевого микроконтакта, в зоне стыковки остаются частицы оксида от обоих микроконтактов и полной очистки от оксида индия в месте стыковки не происходит, что в конечном итоге снижает прочность стыковки.

Наиболее близким изобретением к предлагаемому является известное решение [RU 2613617], согласно которому для повышения прочности стыковки кристаллов используют индиевые микроконтакты, прямоугольной формы, ориентированные под углом 90° по отношению друг к другу. По этому способу стыкуемые микроконтакты как бы разрезают друг друга с последующим слипанием не только горизонтальными плоскостями, как в случае квадратных или круглых микроконтактов, но и боковыми стенками, что увеличивает суммарную площадь слипания микроконтактов.

Указанный способ стыковки имеет существенный недостаток, связанный с необходимостью использования больших усилий для разрушения окисной пленки при стыковке кристаллов. Это приводит к недопустимо высоким давлениям на ячейку МФЧЭ, что может привести к выходу ее из строя.

Известно [Автометрия, №4, 1998. Особо пластичные индиевые микростолбы для матричных ФПУ на CdHgTe, Клименко А.Г. и др.], что индиевые микроконтакты при сварке нуждаются в значительных давлениях до 3,8÷4 кг/мм2, тогда как давление порядка 1 кг/мм может быть слишком велико для КРТ, так как оно соответствуют его нижнему пределу прочности, при которой еще можно избежать возможной деградации электрических свойств из-за возникновения дополнительных электрически активных дислокаций.

Для шага элементов в матрице 30 мкм размер прямоугольного микроконтакта составляет примерно 10×25 мкм. Оставшиеся крайние части микроконтактов длиной по 8 мкм необходимы для надежной фиксации краев микроконтакта для предотвращения размытия вертикальности боковой стыковки.

Площадь поверхностной стыковки для одного микроконтакта в ячейке составляет S1=l12, где l1 - длина стороны стыковки, равная 10 мкм. В этом случае площадь поверхностной стыковки составит S1=10×10=100 мкм2. Площадь боковой стыковки равна S2=l2×n×h, где l2 - длина стороны боковой стыковки, n - число сторон, h - высота совместного продавливания индиевых микроконтактов (фиг. 1), равная в данном случае 5 мкм при высоте микроконтактов 8 мкм. Тогда площадь боковой стыковки составит: 10×4×5=200 мкм2, т.е. площадь боковой стыковки больше площади поверхностной стыковки в 2 раза. В расчетах приняты допущения, что поверхностная стыковка прямоугольных микроконтактов имеет только горизонтальную составляющую, а боковая стыковка - только вертикальную составляющую, т.е. без наклонных составляющих.

После разрыва жесткой пленки окисла индия дальнейшая деформация пластичного индия осуществляется при меньших давлениях.

Задачей предлагаемого изобретения является снижение давления на матрицу фоточувствительных элементов при соединении индиевых микроконтактов двух кристаллов.

Технический результат изобретения состоит в относительном увеличении доли площади боковой стыковки микроконтактов в суммарной площади стыковки микроконтактов.

Технический результат достигается тем, что с целью снижения давления на кристаллы при стыковке кристаллов, в каждой ячейке стыкуемых кристаллов располагают более одного индиевого микроконтакта.

Так, например, для шага элементов в матрице - 30 мкм в ячейке может быть расположено до двух прямоугольных микроконтактов (фиг. 2а), а для шага 40 мкм - до трех микроконтактов (фиг. 2б). При этом значительно увеличивается площадь боковой стыковки по сравнению с поверхностной.

Такая форма микроконтактов позволяет значительно снизить давление на кристаллы во время стыковки за счет увеличения относительной доли боковой площади стыковки по сравнению с площадью поверхностной стыковки (см. табл.).

Из данных, приведенных в таблице, видно, что для шага элементов в матрице 30 мкм площадь боковой стыковки увеличивается в два раза с 200 до 400 мкм2 при использовании двух микроконтактов в ячейке. В случае шага элементов 40 мкм превышение площади боковой стыковки над поверхностной составляет два раза с 280 до 560 мкм2 при использовании двух микроконтактов в ячейке и более чем в 3,2 раза с 280 до 900 мкм2 в случае трех микроконтактов в ячейке.

Следует отметить, что увеличение площади боковой стыковки приводит и к соответствующему увеличению прочности холодной сварки индиевых микроконтактов.

Дальнейшее увеличение числа микроконтактов в матрице при принятых геометрических размерах не приводит к существенному увеличению суммарной площади стыковки индиевых микроконтактов. Это связано в том числе и с технологическими ограничениями при формировании прямоугольных микроконтактов малой ширины.

Способ изготовления микроконтактов, включающий нанесение пленки индия и формирование из нее методом фотолитографии массива индиевых микроконтактов, выполненных в виде прямоугольников, отличающийся тем, что с целью снижения давления на фоточувствительный элемент при стыковке кристаллов в каждой ячейке стыкуемых кристаллов располагают более одного прямоугольного индиевого микроконтакта.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм, предназначенных для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения.

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,4-1,0 мкм и изготавливаемых на кремнии n-типа проводимости, которые предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре с высокой пороговой чувствительностью.

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм, и может быть использовано в электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс).

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм, и может быть использовано в электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс).

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии создания матричных фотоприемных устройств (МФПУ), и может быть использовано при формировании матричных микроконтактов для кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с последующей их гибридизацией методом перевернутого монтажа.

Изобретение относится к получению поликристаллических пленок сульфида и оксида кадмия на монокристаллическом кремнии с помощью техники пиролиза аэрозоля раствора на нагретой подложке при постоянной температуре в интервале 450-500°С.

Изобретение относится к получению поликристаллических пленок сульфида и оксида кадмия на монокристаллическом кремнии с помощью техники пиролиза аэрозоля раствора на нагретой подложке при постоянной температуре в интервале 450-500°С.

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке.

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке.

Изобретение относится к полупроводниковым гетероструктурам для изготовления светоизлучающих диодов и фотоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов GaPAsN на подложках кремния.

Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов. Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов согласно изобретению включает формирование структуры планарного диода, проведение термических операций, металлизации лицевой и тыльной сторон кремниевой монокристаллической подложки, разделение подложки на кристаллы, присоединение электропроводящих шин, формирование защитного покрытия на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах, при этом защитное покрытие на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах формируют на основе никель-золота последовательно в несколько этапов: удаление органических загрязнений жидкостными методами, нанесение химического никеля, промывка никелированного диода в сборе, нанесение иммерсионного золота, промывка позолоченного диода в сборе, сушка в вакууме. Изобретение позволит повысить качество бескорпусных диодов и обеспечит возможность изготавливать бескорпусные диоды, сформированные в едином технологическом цикле на одной подложке, с идентичными характеристиками. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Предложен монолитный фотовольтаический элемент. Упомянутый элемент содержит по меньшей мере один переход. Каждый из упомянутого по меньшей мере одного перехода содержит базу, образованную легированным полупроводниковым материалом первого типа проводимости, и эмиттер, образованный легированным полупроводниковым материалом второго типа проводимости, противоположного первому. Упомянутый эмиттер расположен стопкой на базе в соответствии с первым направлением. Полупроводниковый материал базы и/или эмиттера по меньшей мере одного из упомянутого по меньшей мере одного перехода является полупроводниковым материалом, образованным химическим соединением по меньшей мере одного первого элемента и второго элемента. Ширина запрещенной зоны и постоянная решетки упомянутого полупроводникового материала базы и/или эмиттера зависят от концентрации упомянутого первого элемента в упомянутом химическом соединении по отношению к упомянутому второму элементу. Упомянутая концентрация первого элемента в упомянутом химическом соединении по отношению ко второму элементу не является равномерной вдоль упомянутого первого направления, будучи равной первой величине в нижней части упомянутых базы и/или эмиттера и будучи равной второй величине, меньшей, чем первая величина, в верхней части упомянутых базы и/или эмиттера. Упомянутая верхняя часть находится над упомянутой нижней частью в соответствии с первым направлением. Также предложен способ изготовления монолитного фотовольтаического элемента. Изобретения обеспечивают повышение эффективности солнечных элементов. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технологии сборки полупроводниковых приборов и может быть использовано для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов методом перевернутого монтажа. Способ изготовления микроконтактов согласно изобретению включает нанесение пленки индия и формирование из нее методом фотолитографии массива индиевых микроконтактов, выполненных в виде прямоугольников, при этом при стыковке кристаллов в каждой ячейке стыкуемых кристаллов располагают более одного прямоугольного индиевого микроконтакта. Изобретение обеспечивает повышение прочности стыковки кристаллов за счет относительного увеличения доли площади боковой стыковки микроконтактов в суммарной площади стыковки микроконтактов. 2 ил., 1 табл.

Наверх