Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием



Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием
Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием
Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием
Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием
Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием
Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием
Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием
Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием
H01L31/1844 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

Владельцы патента RU 2650785:

Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") (RU)

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры лицевого и тыльного контактов на основе серебра; выполнение меза-изоляции; отжиг контактов; вскрытие оптического окна травлением; нанесение просветляющего покрытия, содержащего слои ТiO2 и Al2O3, методом электронно-лучевого напыления; выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры; выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота; после отжига контактов выпрямление посредством охлаждения в парах азота металлизированной подложки; выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры; далее осуществляют вскрытие оптического окна травлением; наносят просветляющее покрытие последовательным напылением слоев ТiO2 толщиной 5÷35 нм без ионно-плазменного ассистирования, ТiO2 толщиной 10÷40 нм с ионно-плазменным ассистированием, Al2O3 толщиной 70÷80 нм без ионно-плазменного ассистирования, а затем выполняют химико-динамическое травление просветляющего покрытия в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды при следующем количественном соотношении компонентов: 1÷1,5 мас.%, 10÷20 мас.%, 89÷78,5 мас.% соответственно. Изобретение обеспечивает повышение параметров фотопреобразователя за счет улучшения оптических свойств просветляющего покрытия и минимизации шунтирующего воздействия плазмы на р/n-переходы, выходящие на поверхность мезы. 8 ил.

 

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке.

Известен фотоэлектрический преобразователь (см. «The development of 28% efficient triple-junction space solar cells at EMCORE Photovoltaics», Mark A. Stan, Daniel Aiken, Paul R. Sharps, Jennifer Hills, Brad Clevenger, Navid S. Fatemi Emcore Photovoltaics, 10420 Research Rd., Albuquerque, M87123, USA navid-fatemi@ emcore.com.) на основе трехкаскадной эпитаксиальной структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, с двухслойным просветляющим покрытием TiOx /Аl2O3.

Изготовление фотопреобразователя включает операции: создание лицевой и тыльной металлизации на основе серебра, вскрытие оптического окна травлением, нанесение просветляющего покрытия TiOx/Аl2O3, резку на чипы.

Недостаток фотопреобразователя заключается в том, что используемое для изготовления двухслойное просветляющее покрытие TiOx/Аl2O3 при напылении электронно-лучевым методом без ионно-плазменного ассистирования имеет высокий коэффициент отражения солнечного излучения в области спектрального диапазона двух верхних каскадов (360÷940 нм), в результате возникают дополнительные потери на отражение и снижается КПД преобразования солнечной энергии.

Признаки, общие с предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием, следующие: создание лицевой и тыльной металлизации на основе серебра; вскрытие оптического окна травлением; нанесение просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Аl2O3; резку на чипы.

Известен каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием (патент РФ №2436191, опубл. 10.12.2011 г.) на основе трехкаскадной эпитаксиальной структуры GaInP/ Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, с трехслойным просветляющим покрытием, включающим последовательно нанесенные слои SiO2 толщиной 70÷80 нм, Si3N4 толщиной 25÷35 нм и TiOx, где х=1,8÷2,2 толщиной 20÷30 нм.

Изготовление фотопреобразователя включает операции: создание лицевого контакта (на основе золото-германия, никеля, золота) и тыльного контакта (на основе серебра, марганца, никеля, золота); отжиг контактов; утолщение контактов электрохимическим осаждением золота, никеля, золота; вскрытие оптического окна травлением контактного слоя GaAs в местах, свободных от омического контакта; нанесение трехслойного просветляющего покрытия SiO2/Si3N4/TiOx методом магнетронного распыления; разделение эпитаксиальной структуры на чипы.

Недостаток фотопреобразователя заключается в том, что используемый для изготовления просветляющего покрытия SiO2/ Si3N4/TiOx слой Si3N4 невозможно нанести методом электронно-лучевого напыления.

Признаки, общие с предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием, следующие: создание лицевой и тыльной металлизации; вскрытие оптического окна травлением; нанесение трехслойного просветляющего покрытия; разделение эпитаксиальной структуры на чипы.

Известен способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом (патент РФ №2515420, опубл. 10.05.2014 г.), принятый за прототип, в котором создают на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры GaInP/Ga(In)As/Ge лицевой и тыльный контакты на основе серебра; выполняют меза-изоляцию; отжигают контакты; вскрывают оптическое окно травлением; наносят просветляющее покрытие, содержащее слои TiO2 и Аl2О3, методом электронно-лучевого напыления; выполняют дисковую резку эпитаксиальной структуры; выпрямляют фотопреобразователь посредством охлаждения в парах азота.

Недостаток способа-прототипа заключается в том, что при электронно-лучевом напылении просветляющего покрытия TiO2/Аl2O3 с ионно-плазменным ассистированием происходит деградация электрических параметров фотопреобразователя (снижаются величины коэффициента заполнения FF, рабочего тока Iр, КПД) в результате шунтирующего воздействия плазмы на эпитаксиальные слои, выходящие на поверхность мезы. В случае напыления TiO2/Аl2O3 без применения ионно-плазменного ассистирования ухудшаются оптические свойства просветляющего покрытия (см. фиг. 1).

Признаки, общие с предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием, следующие: создание на германиевой подложке, с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры, лицевого и тыльного контактов на основе серебра; выполнение меза-изоляции; отжиг контактов; вскрытие оптического окна травлением; нанесение просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Аl2O3, методом электронно-лучевого напыления; выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры; выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота.

Технический результат, достигаемый предложенным способом изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием, заключается в повышении параметров фотопреобразователя за счет улучшения оптических свойств просветляющего покрытия и минимизации шунтирующего воздействия плазмы на р/n-переходы, выходящие на поверхность мезы.

Отличительные признаки предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием, обуславливающие его соответствие критерию «новизна», следующие: выпрямление посредством охлаждения в парах азота металлизированной подложки после отжига контактов; затем выполнение операции резки эпитаксиальной структуры; далее вскрытие оптического окна; нанесение просветляющего покрытия последовательным напылением слоев TiO2 толщиной 5÷35 нм без ионно-плазменного ассистирования, TiO2 толщиной 10÷40 нм с ионно-плазменным ассистированием, Al2О3 толщиной 70÷80 нм без ионно-плазменного ассистирования, далее - проведение химико-динамического травления просветляющего покрытия в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды при количественном соотношении компонентов: 1÷1,5 мас.%, 10÷20 мас.%, 89÷78,5 мас.% соответственно.

Для обоснования соответствия предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием критерию «изобретательский уровень» был проведен анализ известных решений по литературным источникам, в результате которого не обнаружено технических решений, содержащих совокупность известных и отличительных признаков, дающих вышеуказанный технический результат, поэтому, по мнению авторов, предлагаемый способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием соответствует критерию «изобретательский уровень».

В трехслойном просветляющем покрытии TiO2/TiO2*/Аl2O3, напыляемом электронно-лучевым методом, нижний защитный слой TiO2 толщиной 5÷30 нм и верхний слой Al2O3 толщиной 70÷80 нм наносятся без ионно-плазменного ассистирования, что позволяет минимизировать шунтирующее воздействие плазмы на р/n-переходы, выходящие на поверхность мезы. Химико-динамическим травлением в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды поверхность слоя Al2O3 текстурируется, обеспечивая снижение коэффициента отражения в широком спектральном интервале.

Конкретный пример реализации предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием иллюстрирован чертежами (фиг. 1-8).

На фиг. 1 представлено спектральное отражение просветляющего покрытия TiO2/Al2O3, напыленного электронно-лучевым методом без ионно-плазменного ассистирования, с толщинами слоев 45/75 нм соответственно.

На фиг. 2, 4, 6 представлено спектральное отражение просветляющего покрытия TiO2/TiO2*/Al2O3 (знаком * отмечен слой ТiО2, напыляемый с ионно-плазменным ассистированием) с толщинами 20/25*/75 нм, 10/35*/80 нм и 30/15*/75 нм соответственно; на фиг. 3, 5 представлены электрические параметры (ВАХ) изготовленного фотопреобразователя с толщинами слоев просветляющего покрытия 20/25*/75 нм и 10/35*/80 нм соответственно: а) - до; б) - после химико-динамической обработки в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды.

На фиг. 7 представлено спектральное отражение просветляющего покрытия ТiO2/ТiO2*/Аl2О3* (со слоями ТiO2* и АlО3*, напыленными с ионно-плазменным ассистированием) с толщинами 10/35*/80*нм соответственно: а) - до; б) - после химико-динамической обработки в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды.

На фиг. 8 представлен вид области дискового реза германиевой подложки: а) - до; б) - после химико-динамической обработки в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды.

Для конкретного примера реализации способа изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием используют трехкаскадные эпитаксиальные структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенные на германиевой подложке, на которых создают лицевой и тыльный контакты на основе серебра, выполняют меза-изоляцию, отжигают контакты, выпрямляют посредством охлаждения в парах азота металлизированную подложку. Выпрямление металлизированной подложки необходимо в последующем для планарного расположения чипа в посадочном гнезде металлической немагнитной маски, защищающей контактные площадки фотопреобразователя при напылении просветляющего покрытия. Выполняют дисковую резку эпитаксиальных структур на чипы с габаритными размерами 40×80 мм, вскрывают оптическое окно травлением n+-GaAs контактного слоя по маске лицевых контактов, наносят просветляющее покрытие методом электронно-лучевого напыления последовательно слоев ТiO2 толщиной 20 нм (без ионно-плазменного ассистирования), ТiO2* толщиной 25 нм (с ионно-плазменным ассистированием), Аl2O3 толщиной 75 нм (без ионно-плазменного ассистирования). Ионно-плазменное ассистирование осуществляют с использованием системы IS-300. Выполняют химико-динамическое травление просветляющего покрытия вместе с чипом в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды при соотношении компонентов 1,2 мас.%, 10 мас.%, 88,8 мас.% соответственно, в течение t = 3 мин.

В результате обработки снижается коэффициент спектрального отражения в области чувствительности двух верхних каскадов эпитаксиальной структуры, см. фиг. 2, возрастают электрические параметры фотопреобразователя: рабочий ток Ip с 501,13 до 513,21 mA, КПД с 28,83 до 29,54% соответственно, см. фиг. 3. Аналогично, вид спектрального отражения просветляющего покрытия для слоев ТiO2/ТiO2*/Аl2О3 с толщинами соответственно 10/35*/80 нм и 30/15*/75 нм представлен на фиг. 4, 6. После химико-динамической обработки просветляющего покрытия с толщиной слоев 10/35*/80 нм прирост электрических параметров фотопреобразователя составил ΔIp = 11,24 mA, ΔКПД = 0,59%, см. фиг. 5. Далее выпрямляют фотопреобразователь посредством охлаждения в парах азота.

Напыление первого слоя ТiO2 толщиной менее 5 нм и слоя Аl2O3* (с ионно-плазменным ассистированием) толщиной 70-80 нм нецелесообразно из-за шунтирующего воздействия плазмы на поверхность мезы, приводящего к деградации параметров фотопреобразователя. Кроме того, в случае напыления слоя Аl2O3* (с ионно-плазменным ассистированием) химико-динамическая обработка просветляющего покрытия в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды не эффективна. Коэффициент отражения при этом снижается в узком спектральном диапазоне (360÷420 нм), см. фиг. 7.

В случае, если толщина слоя Аl2О3 (напыляемого без ионно-плазменного ассистирования) более 80 нм. существенно возрастает отражение в видимой области спектра, а при толщинах менее 70 нм - в инфракрасной части спектра. При толщинах слоя ТiO2* (напыляемого с ионно-плазменным ассистированием) более 40 нм недопустимо возрастает отражение в видимой области спектра, при толщинах менее 10 нм - в инфракрасной части спектра. Толщины слоя ТiO2 (напыляемого без ионно-плазменного ассистирования) более 30 нм нежелательны из-за возрастания отражения в видимой части спектра. Использование для химико-динамической обработки просветляющего покрытия раствора с содержанием гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды более 1,5 и 20 мас.% нецелесообразно из-за интенсивного травления слоя Аl2O3.

При содержании в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода соответственно менее 1 и 10 мас.% значительно увеличиваются затраты времени на выполнение процесса обработки (более 5 мин), что снижает производительность операции.

Предложенный способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием обеспечивает повышение электрических параметров (увеличение рабочего тока Ip, КПД) фотопреобразователя за счет снижения потерь на отражение солнечного излучения в диапазоне спектральной чувствительности двух верхних каскадов эпитаксиальной структуры (360÷940 нм). При этом в трехслойном просветляющем покрытии ТiO2/ТiO2*/Аl2О3 средний слой ТiO2 напыляется электронно-лучевым методом с ионно-плазменным ассистированием, а нижний слой ТiO2 и верхний слой Аl2O3 без ионно-плазменного ассистирования, что позволяет устранить шунтирующее воздействие плазмы на р-n-переходы, выходящие на поверхность мезы фотопреобразователя. Кроме того, напыление нижнего слоя ТiO2, без ионно-плазменного ассистирования улучшает адгезию просветляющего покрытия к слою оптического окна АlInP.

Химико-динамической обработкой в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды наряду с наноструктурированием поверхности просветляющего покрытия стравливаются дефекты реза германиевой подложки, см. фиг. 8, что увеличивает механическую прочность фотопреобразователя.

Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием, включающий создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры лицевого и тыльного контактов на основе серебра; выполнение меза-изоляции; отжиг контактов; вскрытие оптического окна травлением; нанесение просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Al2O3, методом электронно-лучевого напыления; выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры; выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота, отличающийся тем, что после отжига контактов выпрямляют посредством охлаждения в парах азота металлизированную подложку; выполняют дисковую резку эпитаксиальной структуры; далее вскрывают оптическое окно травлением; наносят просветляющее покрытие последовательным напылением слоев TiO2 толщиной 5÷35 нм без ионно-плазменного ассистирования, TiO2 толщиной 10÷40 нм с ионно-плазменным ассистированием, Al2O3 толщиной 70÷80 нм без ионно-плазменного ассистирования, а затем выполняют химико-динамическое травление просветляющего покрытия в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды при следующем количественном соотношении компонентов: 1÷1,5 мас.%, 10÷20 мас.%, 89÷78,5 мас.% соответственно.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в том числе солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ). Сущность способа состоит в следующем.

Изобретение относится к структуре двухкаскадного тонкопленочного солнечного модуля (фотопреобразователя) на основе аморфного и микрокристаллического кремния. Тонкопленочный солнечный модуль состоит из последовательно расположенных: фронтальной стеклянной подложки, фронтального контактного слоя из прозрачного проводящего оксида, подслоя из нестехиометрического карбида кремния р-типа, аморфного и микрокристаллического каскадов, соединенных последовательно.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание на подложке из арсенида индия твердого раствора InAs1-x-ySbxPy и разделенные р-n-переходом слои p- и n-типа проводимости, нанесение на поверхность гетероструктуры фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление по крайней мере части фоточувствительного материала, подложки и эпитаксиальной структуры при формировании мез(ы), подготовку поверхности для формирования омических контактов, напыление на поверхность слоев и/или подложки металлических композиций заданной геометрии, при этом согласно изобретению способ включает финальную стадию процесса удаления подложки или ее части при химическом травлении в водном растворе соляной кислоты.

Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения.

Изобретение относится к технологии изготовления фотопреобразователя с повышенным коэффициентом полезного действия (КПД). Предложен способ изготовления фотопреобразователя путем формирования в pin-структуре i-слоя на основе арсенида индия InGaAs между слоями GaAs и AlGaAs на подложках GaAs, при давлении 4⋅10-7-10-8 Па, температуре 600-800°С и скорости роста 2 Å/с.

Многопереходной солнечный элемент включает первый субэлемент, состоящий из соединения из InGaAs, причем первый субэлемент имеет первую постоянную решетки, и второй субэлемент со второй постоянной решетки, причем первая постоянная решетки по меньшей мере на 0,008 больше, чем вторая постоянная решетки, и, кроме того, предусмотрен метаморфный буфер, который выполнен между первым субэлементом и вторым субэлементом.

Солнечный фотоэлектрический концентраторный модуль содержит первичный оптический концентратор (3) в виде линзы Френеля, с линейным размером D, оптическая ось (4) которой проходит через центр (5) фотоактивной области фотоэлемента (1), выполненной в виде круга диаметром d, и соосный с ним вторичный концентратор (6), выполненный в виде четвертьволнового радиального градана диаметром d и высотой h1, установленный на расстоянии h2 от фронтальной поверхности линзы Френеля, при этом величины h1, h2, и D удовлетворяют определенным соотношениям.

Настоящее изобретение относится к многомодульным устройствам, сформированным на общей подложке, которые более предпочтительны, чем одиночные модульные устройства, особенно в фотоэлектрических областях применения.

Изобретение относится к сканирующим матричным фотоприемным устройствам (МФПУ) - устройствам, преобразующим входное оптическое изображение, формируемое объективом, в заданный спектральный диапазон, а затем в выходной электрический видеосигнал с помощью сканирования изображения.

Оптопара // 2633934
Изобретение относится к области к технике преобразования световой энергии в электрическую и предназначено для преобразования световой энергии в электрическую. Заявленная оптопара содержит источник света, фотопреобразователь и корпус.

Изобретение относится к полупроводниковым гетероструктурам для изготовления светоизлучающих диодов и фотоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов GaPAsN на подложках кремния.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в том числе солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ). Сущность способа состоит в следующем.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в том числе солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ). Сущность способа состоит в следующем.

Изобретение относится к структуре двухкаскадного тонкопленочного солнечного модуля (фотопреобразователя) на основе аморфного и микрокристаллического кремния. Тонкопленочный солнечный модуль состоит из последовательно расположенных: фронтальной стеклянной подложки, фронтального контактного слоя из прозрачного проводящего оксида, подслоя из нестехиометрического карбида кремния р-типа, аморфного и микрокристаллического каскадов, соединенных последовательно.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание на подложке из арсенида индия твердого раствора InAs1-x-ySbxPy и разделенные р-n-переходом слои p- и n-типа проводимости, нанесение на поверхность гетероструктуры фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление по крайней мере части фоточувствительного материала, подложки и эпитаксиальной структуры при формировании мез(ы), подготовку поверхности для формирования омических контактов, напыление на поверхность слоев и/или подложки металлических композиций заданной геометрии, при этом согласно изобретению способ включает финальную стадию процесса удаления подложки или ее части при химическом травлении в водном растворе соляной кислоты.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание на подложке из арсенида индия твердого раствора InAs1-x-ySbxPy и разделенные р-n-переходом слои p- и n-типа проводимости, нанесение на поверхность гетероструктуры фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление по крайней мере части фоточувствительного материала, подложки и эпитаксиальной структуры при формировании мез(ы), подготовку поверхности для формирования омических контактов, напыление на поверхность слоев и/или подложки металлических композиций заданной геометрии, при этом согласно изобретению способ включает финальную стадию процесса удаления подложки или ее части при химическом травлении в водном растворе соляной кислоты.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного ИК излучения при комнатной температуре.

Использование: для изготовления устройств рентгеновской маммографии и томосинтеза. Сущность изобретения заключается в том, что по меньшей мере один матричный фотоприемник контролируемо юстируют путем вращения и перемещения по жидкой фазе оптического полимера, предварительно нанесенного на по меньшей мере часть поверхности волоконно-оптической плиты, с последующей фиксацией отверждением указанного полимера.

Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения.

Изобретение может быть использовано при изготовлении металлооксидных солнечных элементов, сенсоров, систем запасания энергии, катализаторов. Для получения мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида методом электростатического напыления напыляемый материал помещают в контейнер с выпускным отверстием.

Изобретение относится к получению поликристаллических пленок сульфида и оксида кадмия на монокристаллическом кремнии с помощью техники пиролиза аэрозоля раствора на нагретой подложке при постоянной температуре в интервале 450-500°С. Согласно изобретению пиролиз аэрозоля проводят в два этапа: на первом в качестве распыляемого раствора используют 0,03 моль/л водный раствор хлорида или нитрида кадмия, а на втором – 0,15 моль/л водный раствор тиомочевины. Технический результат изобретения заключается в осаждении зеркально гладких поликристаллических пленок гексагональной модификации сульфида кадмия толщиной до 250 нм на монокристаллическом кремнии, обладающих хорошей адгезией к подложке. 2 ил., 2 пр.

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInPGaAsGe, выращенных на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры лицевого и тыльного контактов на основе серебра; выполнение меза-изоляции; отжиг контактов; вскрытие оптического окна травлением; нанесение просветляющего покрытия, содержащего слои ТiO2 и Al2O3, методом электронно-лучевого напыления; выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры; выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота; после отжига контактов выпрямление посредством охлаждения в парах азота металлизированной подложки; выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры; далее осуществляют вскрытие оптического окна травлением; наносят просветляющее покрытие последовательным напылением слоев ТiO2 толщиной 5÷35 нм без ионно-плазменного ассистирования, ТiO2 толщиной 10÷40 нм с ионно-плазменным ассистированием, Al2O3 толщиной 70÷80 нм без ионно-плазменного ассистирования, а затем выполняют химико-динамическое травление просветляющего покрытия в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды при следующем количественном соотношении компонентов: 1÷1,5 мас., 10÷20 мас., 89÷78,5 мас. соответственно. Изобретение обеспечивает повышение параметров фотопреобразователя за счет улучшения оптических свойств просветляющего покрытия и минимизации шунтирующего воздействия плазмы на рn-переходы, выходящие на поверхность мезы. 8 ил.

Наверх