Способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов

 

О П И С А Н И Е 274233

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союа Советскит

Социалистическиа республич

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 04.1Х.1968 (Л 1271178/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 24.V1.1970. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 24.IX.1970

1 л. 2lg, 11/02

Комитет по делам иаооретвиий и открытий при Совете Мииистров ссср

ЧПК С Olr 36/26 «ДК, 621,382.3(088.8) @11;, rtlai )>

Авторы изобретения и заяви ели

Л. Н. Зуев, А. В. Тодуа, Г. М. Семенов и A. А. Ра ийарсоц,,„

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Х ПРИБОРОВ

Предмет изобретения

Известны способы измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов, по которым измеряют температуру корпуса прибора непосредственно, температуру кристалла полупроводника косвенно, рассеиваемую прибором мощность, а затем вычисляют тепловое сопротивление, характеризующее теплоотвод в приборе.

Недостатком известного способа является необходимость в трех операциях измерения и операции вычисления теплового сопротивления прибора.

Цель изобретения — обеспечение непосредственного отсчета теплового сопротивления полупроводникового прибора по шкале измерительного прибора, упрогцение и ускорение Н3мерений.

Для достижения этой цели измеряют разность фаз между током и напряжением на полупроводниковом приборе, которая пропорциональна величине его теплового сопротивления.

Способ заключается в следующем.

Через прибор пропускают синусоидально модулированный ток, среднее значение которого равно номинальному току прибора. Обра5 зующееся при этом на приборе напряжение подают на фильтр первой гармоники, затем отселектированный сигнал напряжения с фильтра и ток тиристора подают на фазочувствительный прибор, по отградуированной

10 шкале которого определяют тепловоесопротивление полупроводникового прибора.

15 Способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов, при котором на полупроводниковый прибор подают переменное напряжение с подобранной частотой, отличаюшийся тем, что, с целью непосредствен20 ного отсчета теплового сопротивления полупроводника, измеряют разность фаз между током и напряжением на приборе.

Способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх