Способ разделения проскрайбированных полупроводниковых пластин на кристаллы

 

О П И СА Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕДЬСТВУ

2980I5

Ьаюз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 01.XI1.1969 (№ 1381462/26-25) МПК Н Oll 7/64 с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет ло делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР

Опубликовано 11.lll.1971, Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 29.IV.1971

УДК 621.382.3(088.8) Авторы изобретения

О. М. Чигринский и Г. В. Шуваев

Заявитель

СПОСОБ РАЗДЕЛ ЕНИЯ ПРОСКРАЙБИ РОВАН Н Ъ|Х

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ

Предмет изобретения

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов.

Известен способ разделения полупроводниковых пластин на кристаллы после скрайбирования, заключающийся в том, что полупроводниковую пластину помещают на перфорированную мембрану, ориентируя пластину таким образом, чтобы каждый кристалл тыльной стороной располагался напротив соответствующего отверстия в мембране. Разделяемая пластина, перекрывая все отверстия, позволяет получить замкнутый объем. После этого изпод мембраны откачивается воздух, под действием атмосферного давления мембрана прогибается, и пластина раскалывается на кристаллы.

Известный способ разделения имеет следук щие недостатки; необходимость ориентации кристаллов относительно отверстий в мембране, что усложняет устройство для осуществления способа и снижает производительность, а также ограниченность использования мембраны, определяемой размерами пластин и кристаллов.

Предложенный способ позволяет использовать пластины и кристаллы различных размеров.

Сущность способа состоит в том, что пластину помещают без ориентации на мелкоячеечную сетку, изолируют ее от атмосферного давления с помощью эластичной воздухонепроницаемой пленки, из-под сетки откачивают воздух, и производят раскалывание.

Способ поясняется чертежом.

Проскрайбированную пластину 1 произвольно устанавливают тыльной стороной на мелкоячеечную сетку 2. Сверху на пластину накладывают воздухонепроницаемую эластичную

10 пленку 8, и из-под сетки откачивают воздух.

Под воздействием атмосферного давления сетка прогибается, и пластина раскалывается на кристаллы.

Способ разделения проскрайбированных полупроводниковых пластин на кристаллы путем

20 расположения их на перфорированной мембране с последующим воздействием на пластины избыточного давления, отличающийся тем. что, с целью повышения производительности труда, в качестве мембраны используют мел2S коячеечную сетку, на которой произвольно располагают пластину, изолируют эту систему воздухонепроницаемой эластичной пленкой, например из полиэтилена, после чего производят откачку воздуха и раскалывание.

Составитель Н. П. Островская

Редактор Т. 3. Орловская Тсхред Л. Л. Евдонов

Корректоры: Л. Корогод и А. Николаева

Заказ 1151/12 Изд.. 6 504 Тира>к 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2