Способ образования отверстий

 

Союз Советских

Социэлнстических

Республик

3I0762

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛВСТВУ

Зависимое от à" I. свидетельства XI—

Заявлено 28.1V.1969 (й1 1327046 25-27) МП1х В 23k 31!10

В 231 17! 00

С ПРЧCОЕДII!IЕ IÈÅ)I 3IIЯВКI! \O—

Комитет па делд!и изобретений и открытий при Совете с!1инистрав

СССР

Приоритет—

Опубликовано 09Х111.1971. Бюллетень М 24

УД К 621.791.947.55 (088.8) Дата опубликования описан;!я 13.. .1971

Авторы изобретения

Д. Г. Быховский, В. С. Кунин, В. А. Никифоров, А. В. Сак, В. Б. Серебровский, В. И. Ткачевский, В. H. Фирсов и Ш. Л. Теслер

Заявитель

СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ОТВЕРСТИЙ

Изобретение относится к области плазменной обработки, а точнее к способам получения отверстия 13 деталях из токопроводящих матер халов.

Известен с !особ образования отверстий преимущественно при плазменно-дуговой, при котором деталь вращают вокруг оси отверстия, а обрабатывающему инструменту придают возвратно-поступательное перемещение параллельно оси отверстия. Однако это очень сложный процесс, требующий оольшого расхода сложного и дорогостоящего оборудования.

Предлохкенный способ отличается от известного тем, что обработку ведут плазмотроном, ось которого наклоняют по отношению к оси вращения на угол 5 — 45 . При этом плазмотрону придают одновременно с возвратно-поступательным колебательное движение, перпендикулярное оси вращения. В отверстие дополнительно вводят подогревные плазмотроны, мощность которых выбирают, исходя из условия сохранения постоянным диаметра отверстия.

Это позволяет получить глухие и глубокие отверстия при одновременном упрощении оборудования.

На чертсжс схематично представлено устройство, поясняющее способ.

На вращающейся планшайбс манипулятора 1 закреплена обрабатываемая деталь 2.

Ось вращения планшайбы совпадает с осью обрабатываемого отверстия (контур предпола гасмого отверстия ооозначсн штриховыми линиями), она располагается относительно горизонтальной плоскости в пределах угла р от 0

5 до 90 . Плазмотрон 8 располагается так. чтобы ось плазмотрона относительно оси вращcния (ось обраоатываемого изделия) была расположена под углом > от 5 до 45 . После зажигания основной дуги включается механизм вращсния планшайоы с закрепленной на ней деталью и плазмотрон вводится в образующееся отверстие по мере выплавления из него металла. В результате того, что деталь вращается, расплавленный металл центрооежными силами

15 прижимается к стенкам и по ним вь!тскает из отверстия. Это обеспечивает высокую чистоту поверхности и оолегчаст защиту плазмотрона от расплавленного металла. Наклон осп отверстия на угол больший 5 значительно облегчает

20 удаление расплавленного металла, Для того, побы исключить «примерзанис» выплавляемого металла на входных кромках отверстия, плазмотрон совершает возвратно-поступательное движение вдоль оси отверстия - частотой, 25 достаточной для равномерного прогрева стенок отверстия, и одновременно колебательное движение, перпендикулярное оси вращения.

При обработке отверстия оольшой глубины возвратно-поступательное перемещение одного

30 основного плазмотрона 8 не сможет обеспе3 1 г(762 г. детали плазмогро:1 отклоняется от оси GTi3(" CÒИ51 H

«() l 0p0 \! деталь 13 ))lгца гот 1)окр чГ Оси 0 пВО1) сти51, jl ()() .) (1()и В1,3(1!огневу и:)струмснгу T:ðèäài(;: воз: )!1ÃÍÎ-f1OCÒ>>112TC,71Ij0C il(C)C> РIЦС13110 !1 i;)H.i1(I!!10 () !31)ащсни51, От. )м !())Ои((йс . те i, IT .), i 7ь!» II:) i!»СHHH H7>, II); 01 !3РРсj FIÉ 1:0131>ijjjc>i

;)!!:, 1>, (!;IHhI, O0) 200Tj(V 30дчТ )IлазмOTp OHO!i, ОС1 HÎ10 70ГО 1121 .ЛОНЯГОТ ПО ОТНОШРНИ10 Е ОCИ HjlljcIjH5I на угол 5 — 40,:)ри этом плазмотро< !

iP ИД<1 !О! ОДНОI)ОС >1 С IHO С БОЗВР ВТНО-!10СТУИ аГ(ЛЬИ и)! КОЛСО((ГОЛЬ:!ОС ДВИЖРНИС, ПСРПЕНДИЮ— . 51p1Ioc oi.::1 !>j) а!Пения.

<). (.носo() ilo il. 1, от;!и<(июциас(! тем, что 13

О ГВС Сз",1С «10110.7Н)!ТРЛЬНО В130ДЯТ ПОДОГОСВНЫЕ

:1,7;.Iз мо 1 рОПЫ, . 10!ЦНОС 1 Ь KÎTOj)l>! к 13ЫОИр 210Т, ИС> <<Д51 Из ) C Яо !3ИИ CO);Р 2НСIlf!51 1 О- >ОЯННЫЧ ДИВ

"- 1

< !

> >!

I ! > — > <

)! ! > !) вc

Ге;-.<:Л Т. П. Ку!))!.))(о! е.(в!(т .>11 >лп Н<(Г)о>())<(5!.>о)(<оз оИЗ"

II11l»(С)! --.-.»--(>-.< ., >ос!(зо. Ж- », рв): Б в () t,), г:,.! ">",1 „:,,Г > С>! (; и ь Дос 12 го l!10 Ã() и 1 Гj) с >22 с! cH0 k О! IlcP cтиЯ.

В ЭТОЗ! C. 1)

llЛ)! НССК01ЬКО 10110ЛНИ 1 СЛЬИЬ! . Т;) К "li(! !CЛЬи а Я )i oil! Ii;) ть, н 0()x03 II)jjj 51;j;151 110.)ОГ>) (<3 11 !3. 1и гсл ы10 )icHI>ili(, lc)! д, 151 .)В1!1л а l3, Ри:! я та;(ла (o()!() <) 30!3<7 H 1 1 51 0ТНРР cTilя ), ТО ч ои(по с 1!

И. (З На >) II T(."11>110 31 lihjll! ОС Н013! !ОГО If 7)1 2) j OTP 0

f12. ЛДС7Ы!ь!!! Е il, 10130!l ПОТОК (OIIOËIIIITC .1>ilj>H(If 7!Iç. >!oTP0H0:j 10,1жРн ol, ) ан(1 1:1:32 I ься с)!, 1 l () 10

0IIIf H(«I олж ны l . jc7:I:1 ива гь .\1! а метр 0()() .! 02 i l>1(3C ГИЯ. (. ИСЛ!>. () X З:СНЬНI(.:1>f51 ! СI1ЛО1330ГО 110 1 0 !(1 Г230Ва 51 С 5!C".. > ДЛ и J 011 0 71!1>—

Г С, . Ь и 0 ГО и. 1 а 3 )1 0!" ) 011<1 м О Ж с Г С у и с С I".3 Ñ l l!! 0 О ,1 Н НТ1>(Я. (11(, С <71:i 0(ИОВН011 ll. l 1 I- 1,)

НО P БООТ IC! 11<1 13ОДОР О:10CC51

ГО ДО)!О 7т! И ГС7ЬИ Ь!. ЧО Г>, т ) 200т;17 i> II<1:1110 ГO × а 3 о с и i и CHÎCOOO)1 )!Oil(!HO !101 Ч I! IÒ!> 01 1)с(Р7 !i jf слож Holi (g)OP )11>I, н а НР и»!О)) О:3<1,7 ь(1;)(< )0 или lip 5! )IO!, ГО II>HÎ(. . 1 ГО ДОС Гil! !«7Я(3HЫ. : ОСИ БР 21ЦСНИЯ ! (Оз!Соани!! Плазмот(рона связана с Брагцсннсч !3:,C, I!151 Такll . >I Оо" 230)1, 11 0 иp!1 i(! Ж 103! 0(>() > ()—

;,) С З) Г li 3 О О P Е i (11" и

Е(: >р! (!;> )3. И. >I>î(!)>äåâ <

".!",:,!. 4Т, / !.,>... .. !i . -.::.,,::, -; ñ .Ч. i: (; . о о C C i

5) !и ":! В

Способ образования отверстий Способ образования отверстий 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электродуговой сварке и резке, конкретно к устройствам для сварки и резки материалов
Наверх