Патент ссср 325908

Авторы патента:

В. П. Дураев, Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, В. И. Бородулин,

Д. Гарбузов, Е. П. Морозов, Е. Л. Портной, Г. Т. Пак

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

88е<-е,;. н

Еаf - Н1 w.... .°,,а о и егР А- н-и е

ЙЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (п)325908

Совхоз Советских

Социалистических,Республик (б1) "-:àâèñII. ое от авт. свидетельства (22) Заявлено 30.04.70 (21) 1437665/26-25 (51) М. К:. H 01l 3У20 с присоединением заявки ¹.Гасударственный камнтет

Сената Миннстрав СССР аа делам изабретений н открытий (32) Приоритет

Опубликовано 05.04.74. Бюллетень X 13

Дата опубликования описания 16.09.74 (53) УДК 621.382.2 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. П. Дураев, Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, В. И. Бородулин, Д. 3. Гарбузов, Е, П. Морозов, Е. Л, Портной, Г. T. Пак и В. И. Швейкин (71) Заявитель (54) ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ПРИБОРА

Предмет изобретения

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов на сснове твердых растворов соединений А" В .

Известные омические контакты к полупроводниковым приборам на основе указанных соединений создаются методами вакуумного напыления, химического и электрохимического нанесения металлов. Металлы для омического контакта подбираются таким образом, чтобы контакт был невыпрямляющим и име1 наименьшее сопротивление.

Однако при использовании золота, индия, никеля, платины и других металлов не всегда можно получить низкоомный контакт, например к GaI,- Al.,-As, нашедшему широкое применение в изготовлении таких приборов, как полупроводниковые инжекционные квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.

С целью получения низкоомного омического контакта к Любому твердому раствору предлагается на соответствующей поверхности полупроводникового прибора перед нанесением металла создавать слой высоколегированного арсенида галлия, тип проводимости которого совпадает с типом проводимости примыкающего к нему слоя твердого раствора.

3а счет диффузии легирующей примеси из арсенида галлия в период наращивания удельное сопротивление приконтактного слоя твердого раствора уменьшается. Кроме того, при

5 наращивании арсенида галлия снимается окпсная пленка с поверхности твердого раствора.

При изготовлении лазерного диода с контактом, выполненным согласно изобретению, 10 можно получить увеличенный к.п.д. излучения, так как для GaAs и твердых растворов на основе GBAs вЂ” A1AS работы выхода электронов практически равны.

Омпчсский контакт полупроводникового прибора на основе твердых растворов соеди20 нений АгцВ, например тройного соединения

GaI,-А!,-Аз, содержащий металлический слой, отличающийся тем, что, с целью снижения его сопротивления, между металлическим слоем и полупроводниковой основой прибора

25 имеется слой арсенида галлия такого же типа проводимости, LITQ и примыкающий Ii нему слой твердого раствора.

Похожие патенты:

Способ получения покрытия ^ // 317131

Способ получения контактных выступов // 315229

Интегральная схема // 310594

Способ изготовления полупроводниковогоприбора // 253933

Патент 160779 // 160779

Патент 156250 // 156250

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых кристаллах или фотосопротивлениях // 151260

Способ получения омического контакта металла с кремнием // 118909

Способ изготовления цинко-германиевого поверхностно- барьерного триода // 104970

Фотоэлемент // 62557

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др