Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых кристаллах или фотосопротивлениях
Взамен ранее изданного № 151260
Класс 21g, 11,, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подписная грунин М 97
Заявитель и действитсльньш изобретатель иностранец
Карл Вольфганг Беер (Германская Демократическая Республика) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
HA ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ|Х КРИСТАЛЛАХ
ИЛИ ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЯХ
Заявлено 15 июня 1960 г. за № 670253/26
В Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» ¹ 18 за 1963 г.
Известен способ изготовления омнческих контактов на полупроводниковых кристаллах или фотосопротивлениях, основанный на напылении в вакууме контактного слоя металла.
Предлагаемый способ отличается тем, что полупроводниковьш кристалл нагревают до температуры 150 — 250" и напыляют на него слой алюминия. После этого кристалл с нанесенным на него проводящим слоем алюминия подвергают термообработке при температуре 200—
300 С. Применение способа повышает стабильность параметров контакта,при повышенных температурах (например, при температуре порядка 150 С) и устраняет возникновение на участке омического контакта запорного слоя.
Предлагаемое изобретение относится к способу изготовления контактов, не имеющему запорного слоя на кристалле из соединения элемента второй подгруппы и элемента шестой основной группы периодической системы элементов, путем напыления алюминия в вакууме.
Перед напылением алюминия кристалл нагревается до температуры 150 — 250 . После напыления алюминия кристалл отхкигается при № 151260 температуре 200 †3 С. В качестве контактного материала отдается предпочтение алюминию с высокой степенью чистоты. Особенно вредной для процесса напыления примесью алюминия является бор.
Части иоверхности кристалла, не предназначенные для контактирования, уред напылением накрываются термостойким шаблоном.
Целесообразно кристалл еще в течение некоторого времени подвергнувь4гЖгпературной выдержке, чтобы обеспечить полную диффузию напыленного материала во внутренние, лежащие у поверхности кристалла слов.
Контакты, изготовленные этим способом, имеют высокую теплостой кость при работе до температуры 150 C.
Предмет изобретения
Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых кристаллах или фотосопротивлениях, основанный на напылении в вакууме контактного слоя металла, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров контакта при повышенных температурах (например, при температуре порядка 150 С) и устранения возникновения на участке омического контакта запорного слоя, кристалл нагревают до температуры 150 — 250 С, напыляют на него слой алюминия и подвергают кристалл с нанесенным на него проводящим слоем термообработке при температуре 200 †3 С.
Редактор Б. Гурчев Техред Т. П. Курилко
Корректор Л. В. Тюняева
Г1одп. к печ. ЗОЛ 1.1965 Формат бум. 70 108 /ц Объем 0,18 изд л.
Заказ 1493/6 Тираж 1575 Цена 5 коп.
ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изооретеннй и открытий СССР
Москва, Центр. пр. Серова, д. 4
Типографии, пр. Сапунова, 2
