Интегральная схема

 

О П И С А Н И Е BI0594

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 10.VII.1970 (№ 1453661/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 26.Х.1973. Бюллетень № 43

Дата опубликования описания 21.III.1974

М. Кл. Н OII 19/00

H 0Il 3/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам иаобретений л открытий

УДК 621.3.032(088.8) Авторы изобретения

Е. С. Данилин, В. В. Татаринцев, А. М. Райхлин, Е. В. Хренова и

С. А. Гаряинов

Заявитель

И НТЕГРАД ЪНАЯ СХЕМА

Предмет изобретения

Известна интегральная схема с нерегулярной металлической,раз водкой трехслойнои структуры, выполненной в виде токоведущих шин и перемычек.

Цель изобретения — получение большей кратности поперечных сечений токоведущи с шин и перемычек. Для этого разводка изготовлена из алюминия-ванадия-алюминия, приче-; перемычки сделаны из нижнего слоя алюмини» указанной структуры. При этом площадь по; еречного сечения перемычек меньше площа ди сечения трехслойной структуры.

На фиг. l,изображена интегральная схем;., общий вид; на фиг. 2 — конструкция разводки по новой методике.

Поверх кремниевых полос 1, в кото рых сформированы диодные структуры 2 и разделенны.; изолирующими промежутками из ситалла 3, располагают токоведущие шины 4, перемы;«и 5 и контактные площадки 6. Шины и контактные площадки выполнены в виде трехслойной структуры алюминий-,ванадий-алюминий с толщиной слоев 0,1 — 0,3 — О,б,як соответственно и соединены между собой перемычками 5, изготовленными в нижнем слое алюми«ия толщиной 0,1 ик. Нанесение трехслойной структуры алюминий-ванадий-алюминий осуществляют вакуумным напылением. На фого.резисте, на несенном поверх указанной структуры, создают рисунок токоведущих шин контактных площадок. Травлением в ортофосфорной кислоте, не воздействующей на ванадий, удаляют алюминий (верхний слой) в областях, не защищенных фоторезистом, используя слой ванадия в качестве стопорно,о слоя, предотвращающего подтравлпвание нижнего слоя алюминия. Удалив старый слой фо1орезиста и нанеся новый, создают рисунок разводки с перемычками; травлением в азог10 кой, а затем в ортофосфорной кислоте стразливают ванадий и нижний слой алюминия и областях, не закрытых фоторезистом. Сняв фоторезист, осуществляют травление ванадия

; азотной кислоте. Поскольку алюминий в

; зотной кислоте практически не травится, Iloc;Ic удаления ванадия нижний слой алюминия в области перемычек оказывается вскры ым.

Интегральная схема с нерегулярной металлической разводкой трехслойной структуры, выполненной B виде токоведущих шин и перемычек, отличаюшаяся тем. что, с целью .полуения большей кратности поперечных сечений токоведущих шин и перемычек, упомянутая разводка изготовлена из алюминия-ванадия30 алюминия, причем перемычки выполнены и з

310594

А7

Фi;) с

Составитель Л. Багян

Техред А. Камышникова

Корректор E. Хмелева

Редактор Л. Речицкий

Заказ 1047 Изд, № 193 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография ¹ 24 Союзполиграфпрома, Москва, 121019, ул. Маркса — Энгельса, 14

1ии)кпеГО слоя ял1оми11ия укяэанноЙ отjJyi T)"Içы., при этом площадь поперечного сечения пср-7

/ мычек Ml=llbllll площади 00 101IIIII ТР0хс.70ÉH0II структуры.

1 (i

Интегральная схема Интегральная схема 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния

Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании металлизации полупроводниковых приборов на основе моносульфида самария с использованием методов термического испарения, магнетронного и ионно-плазменного распыления и др
Наверх