Фотоэлемент
¹ 62557
К асс 21 !! 2() ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Б. T. Коломиец
ФОТОЭЛ ЕМЕНТ
За?!??Яе??!! 17 марта 1938 г. за ¹ 4()64, 31723 а 11аргс(??!?!1 ?,им!!?Саар??ат гм;(Оа гр!);(тел! ?!()?1 ?11?!?м?>?! !Dc!! f:! Tf! (.((P
ДО ПОСЛЕДПЕГО ВРЕМЕНИ ОЫЛИ ИЗВССтПЫ ДВа -г;!ИЯ фот;!ЭЛЕМ.НтОВ. 0— f3f0IIl?fX СЯМОСТОЯТЕЛЫГ! 10 j) 33IIOC ГЬ ПО ГЕ?1 П113ЛСВ, I(,С ГЯТОЧН 10,1ЛЯ П?l,ва технических целей, без приложения внеш!,его напряжения, например 01 бятя1)еи. К этом1 типу фотоэлемеl(ToB ОГ1!сея l c?! )1(днсзакисные ll сс,!еп,BbIO (РОТОЭЛСМЕ:?ТЬ1 С ЗЯП?(РЯЮП1ИМ СЛОЕМ, Ч ВС! B;fTCËhi!O тh и;;ТО,)ЫХ ЛСЖ! : в видимой области спектра света, 1Л?!тегра!льиая чув,-TB;ITccih.lî Tb Ili равна соответственно 100 и 500 микроами(1) i3 лк)ме.f. B указан!Иых фо)оэлементах электроны, вы;)ва?шые светом, !?е;)ехсдят 1!3 !к;лмпрсводникя . металлический электрод, заряжая его OT,)ипате,?ь?|0, Согласно изобретеншо, предлагается фото-:ле.!!еи г с запира!Оп?им слоем между полупроводником if металлом, в котором электроны по действием света покидают металлический электрод, благодаря чему о;; заряжается положительно. Для получения такого эффекта материал полупроводнш(а должен быть приведен в сос)оянпе электронной проводимсст;1 путем соответствующей обработки, 113иример путем введения избытсчпсго против стехиометрическсго соотнспнчшя того )?ли иного э,!i(м(.! ГГ(! .
Такой фотоэлемент с положительным фотоэф(1)ектом состоит,, :юдкладки, служащей одним электродом.;?а которую люоым способом нанесен слой сернистого таллия, переведеш!ого в ссстояш?е электронно!. проводимости, и полупрозрачного слоя металла, служащего вторым верхним электродом.
Спектральная чувствительность предлагаемого фотоэлемента с положительньlм фотоэффектом лежит В ocHDBFIDAI В !1:!фрякрясиой Оолясти спек! ра, интегральная же чувствительно=ть составляет примерно
5000 — 6000 микроампер на л?омен.
go f) 7дД /
ИЗОО,) TЕ II IIЯ
Пр с,Гмст
Р«и II(Tof> Ю. Ь ороиеикий Т«.; >си А ."(. Камыш((икова корр«к(ор Л. Т(>ивков((11оди. и печ. 7/f f-1962 г
3 >к (1$19 (! >рмат бу(i, 7(l;, (к, Тира>к 200 I Ie.i.! 5 коп.
III>Tf I г(ри K(>, . ieie ио:««,(а;, иаооретеиий и открытий
>((>а Совеle . >!пиастров СССР >!и(>;:, I lси гр. й! !срк;>c(киii иер., (. 2 Сй
Ор."о((«как >(.::! «! !i!: I T (и(и" >а; i. "., f j> \ .1» г 0р(л \ «i., 1си !iii!. !
Фотоэлемент с запира(01цим слоем ме)кпу полупровотником;1 металлом, о т л и ч à 101п и и с я тем, что в качестве полупровочннка использоBBH ccPHIicTbiI1 TB 1 7111!, (пс))евеаегн1вГЙ с 1)e7bN) 1707>t «IQIIHH 110 7«)ккйгелГ>ног» знака фотоэффекта в состояние электроннои проводимости путем соотвегcTB)(l0IIIpI7 ООраб01ки, н а приме!) ГlмT(ем Введе11ия изОвггс н10ГО про1 ив ci p. ометрнческого соотно(пения того или иного элемента,
