Способ гальванического цинкования

 

т} и 1 е }к т н о -т э х бийтиотвзи

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

32625I

Союз Советски}т

Социалистическими

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 04111.1969 (№ 1312135/22-1) М. Кл, С 23Ь 5/10 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 19.1.1972. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания З.III.1972

Комитет по аелам изобретений M открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.357.7:669.58 (088.8) Авторы изобретения

И. Д. Кудрявцева, Л. А. Липкина, Л. Е. Марченко, К. А. Рыбянец, М. Ф. Скалозубов и Л. В. Юринская

Новочеркасский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт имени Серго Орджоникидзе

Заявитель

СПОСОБ ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЦИНКОВАНИЕ

50 — 125

5 — 9

Изобретение относится к области гальванического цинкования из нецианистых электролитов.

Известен способ гальванического цинкования из электролита, содержащего окись цинка, хлористый аммоний, уротропин, барную кислоту и гидрат окиси аммония.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что в электролит вводят ванилич при определенном содержании компонентов и режиме проведения процесса, что позволяет получить блестящие осадки повышенной твердости и расширить интервал рабочих плотностей тока.

Описываемый способ заключается в том, что цинк осаждают из электролита, в состав которого входят (в г/л):

Окись цинка 25 — 40

Хлористый аммоний 180 †2

Уротропин 10 — 100

Борная кислота 10 — 20

Гидрат окиси аммония (25%-ный), мл/л

Ванилин при рН=7,8 — 8,5, температуре 10 — 25 С» катодной плотности тока 1 — 7 а/дм .

Цинковые осадки получаются блестящими (отражают печатный шрифт), коррозийностойкими. Твердость осадков, полученных этим способом, составляет 120 кг/мм, а твердость осадков, полученных по известному способу,— 43 кг/лги.

Приготовление э гектролита. При температуре 70 — 80 С растворяют в воде хлористый аммоний, уротропин и борную кислоту. В полученном растворе прп перемешивании рас10 творяют окись цинка и ванилин и добавляют расчетное количество гидрата окиси аммония, после чего раствор подогревают до температуры 90 С, а затем охлаждают до комнатной температуры.

15 Ванилин можно вводить в электролит и другим способом. В небольшом количестве воды (примерно десятой части объема электролита) с добавкой гидрата окиси аммония растворяют расчетное количество ванилина.

20 Раствор доводят до кипения, после чего вливают в ранее приготовленный электролит. Полученный электролит после охлаждения до комнатной температуры прорабатывают при плотности тока 1 — 2 а/для до получения бле25 стя}цих покрытш}. Электролит необходимо периодически или непрерывно фильтровать, его можно использовать в стационарных ваннах и автоматах.

Рекомендуется применять качающиеся

30 шта нги.

32625!

Предмет изобретения

25 — 40

180 †2

10 — 100

10 — 20

50 — 125

5 — 9

Составитель В. Лебедева

Редактор Л. Жаворонкова Техред Л, Куклина

Корректор Е. Зимина

Заказ 502/!2 Изд. Ко 119 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5

Типография, пр. Сапунова, 2

1. Способ гальванического цинкования из электролита, содержащего окись цинка, хло ристый аммоний, уротропин, борную кислоту и гидрат окиси аммония,- отличающийся тем, что, с целью получения блестящих осадков повышенной твердости и расширения интервала рабочих плотностей тока, в электролит вводят ванилин и процесс проводят при рН=

=7,8 — 8,5, температуре 10 — 25 С и катодной плотности тока 1 — 7 а/дм .

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в электролит вводят ванилин при следующем содержании компонентов (в г/л):

Окись цинка

Хлористый аммоний

Уротропин

Борная кислота

Гидрат окиси аммония (25 /о-ный), л л/л

Ванилин