Растровая маска
3546I8
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено ОЗ.XI I.1970 (№ 1602088/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 09.Х.1972. Бюллетень № 30
Дата опубликования описания 7,XII.1972
М. Кл. Н 05k 3/12
Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 771,32:539.23(088.8) Авторы изобретения
М. Г. Анкудинов и Б. П. Шараев
Заявитель
РАСТРОВАЯ МАСКА
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении тол стопленочных микросхем, а также печатных плат.
Известная растровая маска, преимущественно для нанесения пасты при изготовлении толстопленочных микросхем, выполненная на фольге, имеющей с одной стороны растровые отверстия, а с другой — рисунок топологии, не позволяет получить однородный по толщине слой пасты.
Для получения однородного по толщине слоя пасты предлагаемая маска снабжена опорными выступами, расположенными в поле рисунка.
На фиг. 1 изображена предлагаемая растровая маска, поперечный разрез; на фиг. 2— фотошаблон липейчатого растра; на фиг. 3— фотошаблон точечного растра, причем точки расположены под узлами пересечений линейчатого растра через один узел; на фиг. 4 фотошаблон задашюго рисунка, совмещенного с точечным растром, растровые нити, опорные столбики и подрастровое пространство.
Растровую маску изготовляют следующим образом.
Методом съемки и контактной печати изготовляют фотошаблоны линейчатого и точечного cT 0B M T e I: I »a пленке.
Методом совместной съемки рисунка и точечного растра изготовляют фотошаблон растрированного рисунка в масштабе 1: 1 на пленке (см. фиг. 4).
Фотошаблоны линейчатого растра и растрированного рисунка совмещают под микроско5 пом (точки должны лежать на перекрестьях нитей) и склеивают.
Заготовку из беррилиевой бронзы покрывают с двух сторон фоторезистом, экспонируют каждую сторону через соответствующий
10 фотошаблон ультрафиолетовыми лучами, проявляют соответствующим фоторезисту проявителем и дубят. Проводят химическое травление заготовки с двух сторон в растворе CrO>.
Задубленная пленка фоторезиста служит за15 щитным слоем.
При необходимости получить более точные геометрические размеры контура рисунка защитным слоем при травлении служит 10-микромиллиметровый слой гальванически нанесенного никеля по подобной технологии. Вытравленную заготовку прйклепвают клеем
БФ-4 к базирующей рамке. Полученную маску устанавливают фольгой к подложке, на которую необходимо нанести рисунок той стороной, где вытравлен рисунок с опорными столбиками.
Наносимую ракелем пасту продавливают через растровые отверстия на подложку. При этом опорные столбики ограничивают касание
30 растровых нитей подложки, обеспечивая постоянную толщину продавливаемой пасты на
354618 шпиг l
Составитель Ю. Еркин
Техред А. Камышникова Корректор С. Сатагулова
Редактор Т. Иванова
Заказ 3940/ll Изд. № 1586 Тираж 406 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 всей площади рисунка. Из-за малых геометрических размеров площади касания (сечения) опорных столбиков следы в пасте от них сливаются после отделения маски.
Предмет изобретения
Растровая маска, преимущественно для нанесения пасты при,изготовлении толстопленочных микросхем, выполненная на фольге, имеющей с одной стороны растровые отверстия, а с другой — рисунок топологии, отличающаяся тем, что, с целью получения однородного по толщине слоя пасты, маска снабжена опорными выступами, расположенными в поле рисунка.
